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    [求助]MGF2冲氧镀膜好还是不冲氧镀膜好啊? [复制链接]

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    离线飞2012
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    只看该作者 20楼 发表于: 2012-12-17
    不要充氧
    离线dyfdudu
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    只看该作者 21楼 发表于: 2012-12-28
    不用充,充氧只用在镀氧化物时防止失氧,如二氧化钛,充氧能抑制一氧化钛的生成。
    离线城市老虎
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    只看该作者 22楼 发表于: 2012-12-30
    不能。 pb0E@C/R  
      氟化物,充氧气变MgO了
    离线陶月天
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    只看该作者 23楼 发表于: 2013-01-24
    一看您就没接触过镀膜,没听说谁做MGF2时候还要充氧气!!! @DC)]C2  
    离线a060103112
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    只看该作者 24楼 发表于: 2013-02-27
    回 dede 的帖子
    dede:SiO2需要IAD吗? U/qE4u1J6M  
     (2012-03-04 22:51)  kpob b  
    bdh(WJh%  
    膜层多的话,要,否则不要
    离线luffy17520
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    只看该作者 25楼 发表于: 2013-03-31
    不能充氧吧
    离线chen1858
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    只看该作者 26楼 发表于: 2013-04-01
    学习了,感谢
    离线ken_jinyan1
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    只看该作者 27楼 发表于: 2013-04-02
    我这里有个问题,MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下,开离子源(充氩气)镀? u39FN?<^  
    怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢?
    离线luffy17520
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    只看该作者 28楼 发表于: 2013-04-12
    回 ken_jinyan1 的帖子
    ken_jinyan1:我这里有个问题,MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下,开离子源(充氩气)镀? UA0tFeH  
    怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢?(2013-04-02 11:54)嬀/color] =K6c;  
    6:RMU  
    还是不用离子源比较好
    离线aegeon
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    只看该作者 29楼 发表于: 2013-04-16
    SiO2需要IAD吗