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中频磁控溅射制备GaN薄膜摘要：采用中频磁控溅射技术，以金属 Ga 为靶材料，在 Si(111)衬底上形成了 GaN 薄膜，研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4~1.0 Pa 时，薄膜呈GaN(002)取向，气压大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 时，用 X 射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰。X射线能谱分析表明在最佳实验
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条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga:N为1:1。 GUQ3X
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关键词：中频磁控溅射；GaN；X射线衍射；沉积速率