铜薄膜的直流磁控溅射制备与表征摘要：根据薄膜的形成机理 ,用直流磁控溅射方法制备出了表面结构平滑、 致密的 Cu 薄膜。实验中 ,采用纯度 > 9919 %的铜靶 ,工作气压保持在 217 Pa不变 ,玻璃衬底温度随环境温度变化。用 X射线衍射仪(XRD) 、 扫描电镜(SEM)研究了薄膜的织构、 晶粒尺寸和表面形貌。结果表明 ,随着溅射功率增大 ,薄膜织构减弱;溅射功率增大和溅射时间增加均可使薄膜的晶粒尺寸增大 ,在溅射功率≤100 W时获得的薄膜晶粒细小 ,有裂纹缺陷;溅射功率为 150 W ,溅射时间为 30 min 时 ,薄膜表面结构平滑、 致密 ,晶粒尺寸相对较大。须进一步改进工艺参数 ,如衬底温度等 ,从而制备出表面结构平滑、 致密、 晶粒细小的薄膜。 (:[><-h.
;$|+H"g|
关键 词：Cu薄膜；磁控溅射；织构
