膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响摘要：采用直流磁控溅射方法制备膜厚为 50 , 100 , 200 , 400 , 600 nm 的 Nb 薄膜 ,对薄膜的沉积速率、 表面形貌、 晶体结构进行了研究 ,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示 Nb膜表面光滑、 致密 ,均方根粗糙度达到 0. 1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、 晶粒尺寸和应力 Mhu*[a=;x
情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc) ,在(110)晶面方向存在明显的择优取向 ,且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大 ,在 200 nm时达到最大值(为 1. 015 1 GPa) ,后随薄膜厚度的增大有所减小。 u y+pP!<
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关键词：ICF靶；直流磁控溅射；Nb膜；择优取向；体心立方
