负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响摘要 ：采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了 Ti 膜 ,研究了不同偏压条件对 Ti膜沉积速率、 密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大 ,Ti 膜沉积速率分三个阶段变化:0～ - 40 V 之间沉积速率基本不变; - 40～ - 80 V 之间沉积速率迅速降低;超过 - 80 V 后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti 膜密度 CyV2=o!F w
随偏压增加而增大 ,负偏压为 - 119. 1 V 时开始饱和并趋于块体 Ti 材密度。加负偏压能够抑制 Ti 膜的柱状生长方式;偏压可以改善 Ti 膜的表面形貌 ,对于 40 W和 100 W的溅射功率 ,负偏压分别在 - 100 V 和 - 80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的 Ti膜。 GXnrVI
q\$k'(k>35
关键词：Ti薄膜； 磁控溅射；负偏压；沉积速率；表面形貌
