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非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性摘要：在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞( a2Hg Cd Te , a2MCT)薄膜的低温生长. 采用 X 射线衍射 ^P}jn`4  
( XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态 Hg CdTe 薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态 Hg CdTe 薄膜的 “生长窗口” .采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态 Hg Cd Te 薄膜进行了光学性能研究,在 110～210μm 范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(～8 ×104cm - 1) ,研究了其光学带隙(约 0183eV)和吸收边附近的 3 个吸收区域. rV_i|  
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关键词：非晶态碲镉汞；射频磁控溅射；光学带隙