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    [分享]解析硅衬底上GaN基LED的研制动向 [复制链接]

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    离线槐花村人
     
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    光币
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    光券
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2011-04-11
    关键词: LEDGaN激光器
    Ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光,紫外光探测器,以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底,目前高质量的GaN膜通常都生长在蓝宝石或SiC衬底上,但是这两种衬底部都比较昂贵,尤其是碳化硅,而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点,人们在用硅作衬底生长GaN方面一直不断地进行探索。由于GaN材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感,因此人们预期在Si衬底上异质外延生长Ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 e'fo^XQn[  
    KSU hB  
    人们还期待使用Si衬底今后还有可能将光发射器与硅电子学集成起来,将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 gmOP8.g  
    khQ fLA  
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    离线weiqyang75
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    光券
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    只看该作者 1楼 发表于: 2011-11-23
    我来学习,谢谢
    离线mak621
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    光券
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    只看该作者 2楼 发表于: 2011-12-15
    看看~~