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核心 DjCqh-&L
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S{Kiy#ltWc
已修复以下问题： FTH|9OP
ZXu>,Jy
[^R^8 k
)#EGTRdo
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 J; 3{3
i)o2klI kB
未从设计文件中加载错误参数 [ /,)
Nu0C ; B66
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 e
h&IPU S
%r<rcY
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 Z EXc %- M
Um }
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 9? A)n4b;
qPW P &k
无法在参数 > 性能中输入图层编号 F G PB:
ynmWW^dg
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 OtY `@\hy
xVf| G_5$
运行表 dah[:rP,n{
V8 e> l[tH
sW Qfr$^A
以下问题已修复： ?# Mr
d)B@x`
0v6)t.]s
u~r=)His
芯片上的上一层并不总是正确选择。 pe0F0Ruy
HpR]q05d
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V11.4.584 w4_ U0
n3
核心 $[9%QQk5<L
7WZrSC
h&|[eZt?F
以下问题已修复： UN7EF/!Zz
`0rd26Qro
F@^~7ZmP`
c4!^nk]
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 g(nPQOs$u
TSA,WP\
V11.4.583 LU+3{O5y
核心 ylUb9KusOx
{qD SPo
32l3vv.j
以下问题已修复： /xG*,YL/q
!y#"l $"xK
6f;fx}y
4)E_0.C
目标生成器中没有回反射导数。 I\hh8abAp
|o,YCzy|5
V11.4.582 z _g ~
核心 D,m]CK '
d; [ C6d
~"dA~[r
L
以下问题已修复： bf0+ DvIB
K7$x<5 +)
\:R%4w#Jv
t4{rb,
}W
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 2`.cK 3
<C RP ^_c
V11.4.581 mCRt8 rY;
核心 :Y-{Kn6` _
siXr;/n"
bAsYv*t%r
以下问题已修复： YX% [ipgB
g! cUF+
AUeu1(
X(!Cfb8+5
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 QpZ:gM_
=5aDM\L $&
V11.4.580 >O1[:%Z1
核心 J5*tJoCYS
8 m5p_\&
QFfK0X8cC
以下问题已修复： k $M]3}$U
4f@o m AM
-8'C\R|J+
h1:aKm!
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 h"`ucC8X
Vw[ 6 t>`
V11.4.579 Mc#*wEo)8
核心 sLh==V;9
UU'|Xz9~
jATI&oX
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 iM2W]
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za#s/b$[
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 A01AlK_B
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Xm+8
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 ;_8#f%Y#R
P -`M
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 r~+\
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