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核心 ef f6=DP
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已修复以下问题： ?tqTG2! (
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 |oSyyDYWP
ukS@8/eJ
未从设计文件中加载错误参数 $'L(}gNv5
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多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 k L*Q})
p'KU!I }
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 [Gh T.
&:akom8
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 u \Fq\_
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无法在参数 > 性能中输入图层编号 K+ ufcct
[g=yuVXNZZ
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 Va(R*38k
F3H)B:
运行表 VG2TiR 1
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以下问题已修复： H&mw!=FV0
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 w^G<]S {l
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V11.4.584 3<m"z9$
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以下问题已修复： D'Byl,W$
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 _)2N Fq
RUX!(Xw
V11.4.583 .s7o$u~l
核心 ^L]+e
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以下问题已修复： RX?Nv4-
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目标生成器中没有回反射导数。 ;Qk* h'}f
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以下问题已修复： ,o*b-Cv/
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l}tYl`|
YCw^u
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当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 akJ{-
pOIFO =k
V11.4.581 7 &G hJ^Ku
核心 3~s0ux[
d/P$q MD
9 DKmXL
以下问题已修复： 6tzZ j:y q
() b0Sh=
aOW bIS[8
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 >=C)\Yfu)
2/B(T5PY@
V11.4.580 x9-K}s]%
核心 U: _T 9!fG
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KGP2 ,U6
以下问题已修复： Yk?ux Z4)H
asPD>j c
oJyC{G
78qf
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 -s:JD J*
u`E_Q8
V11.4.579 K C q3S
核心 "i_tO+
;E* ^AW
zs[t<` 2
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 3i35F.=X,
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 >a_K :O|AJ
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 Q6Jb]>g\H
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 g&_0)(a\
&(Xp_3PO
