高亮度LED虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(ESD)损害和热膨胀系数(TCE)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着基台(Submount)的进阶封装方式,以有效发挥LED的照明效益。
3m%oXT 高亮度LED(High-brightness Light Emitting Diodes;HB LED)的出现,在照明产业中掀起了一股狂潮。相较于传统的白热灯泡,HB LED因具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等主要优点,因此很快的抢占了LCD背光板、交通号志、汽车照明和招牌等多个市场。
M3 MB{cA2 HB LED的主导性生产技术是InGaN,但此技术仍有一些瓶颈需要克服,目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案,希望能进一步拓展HB LED的市场。这些瓶颈中以静电释放(electrostatic discharge;ESD)敏感性和热膨胀系数(thermal coefficient of expansion ;TCE)为两大议题,其困难如下所述:
}z%fQbw 热处理(Thermal Management)
\PReQ|[ah 相较于LED 晶粒(die)的高效能特性,目前多数的封装方式很明显地无法满足今时与未来的应用需求。对于HB LED的封装厂商来说,一个主要的挑战来自于热处理议题。这是因为在高热下,晶格会产生振动,进而造成结构上的改变(如回馈回路变成正向的),这将降低发光度,甚至令LED无法使用,也会对交错连结的封入聚合体(encapsulating polymers)造成影响。
czNi)4x 仅管一些测试显示,在晶粒(die)的型式下,即使电流高到130mA仍能正常工作;但采用一般的封装后,LED只能在20mA的条件下发光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时,所产生的高热会造成铜导线框(lead-frame)从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着TCE的不协调性,这种不协调性是对LED可靠性的一大威胁。
U )kl! 静电释放(ESD)
对电子设备的静电损害(Electrostatic damage;ESD)可能发生在从制造到使用过程中的任何时候。如果不能妥善地控制处理ESD的问题,很可能会造成系统环境的失控,进而对电子设备造成损害。InGaN 晶粒一般被视为是"Class 1"的设备,达到30kV的静电干扰电荷其实很容易发生。在对照试验中,10V的放电就能破坏Class 1 对ESD极敏感的设备。研究显示ESD对电子产品及相关设备的损害每年估计高达50亿美元,至于因ESD受损的LED则可能有变暗、报销、短路,及低Vf (forward voltage)或 Vr(reverse voltage)等现象。
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以Submount技术突破瓶颈
|i_+b@Lul 为了突破这些InGaN LED瓶颈,CAMD公司提出一项特殊的解决方式。采用与医学用生命支持设备相同的技术,CAMD发展出一种硅载体(Silicon Carrier)或次黏着基台(Submount),以做为InGaN芯片与导线框之间的内部固着介质;当透过齐纳二极管(Zener Diodes)来提供ESD保护的同时,这种Submount设计也能降低TCE不协调性的冲击。
<@:RS$"i (图一)显示一个基本硅材质Submount如何将两个焊球与覆晶LED接合在一起的情况,在球体区域所见到的不同颜色圆圈是用来保护LED免受ESD损害的二极管架构。此架构除了能安全的抵销高达 30kV的接触放电,更超过IEC61000-4-2国际标准对最大值的要求。硅材质与焊球扮演着振动吸收器,以疏缓热膨胀效应。
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(图一) Silicon Submount架构上视剖析图 XhEZTg;
这样做还有一些明显的好处:以Submount粘着焊球,可以使LED晶粒紧密地与Submount接合在一起,再经由打线连接到导线框。这种方式能降低因直接打线到LED晶粒所产生的遮光影响。
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