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    [讨论]求助各位大佬,怎么才能过双85环测? [复制链接]

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    离线tfcalc68
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-03-17
    用MGF2+H4这两种材料,什么工艺才能过双85环测呀? D[4%CQ1m  
    目前试过:设定温度320℃,MGF2速率3.0A/S,H4速率1.5A/S,最后镀15nm  SIO2,速率1.5A/S,MGF2打底层,高温高湿脱膜,看上去像是最外层膜脱落 5'%O]~  
    也试过:320℃,MGF2速率5.0A/S,H4速率3.0A/S,最外层镀10nm金刚膜,MGF2打底层,高温高湿有亚克,太阳辐照脱膜 Q5_,`r`  
    用这两种材料能过环测吗?人都麻了
     
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    离线tfcalc68
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    只看该作者 1楼 发表于: 2023-03-17
    APC充氧流量的多少有什么影响吗?
    离线tfcalc68
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    只看该作者 2楼 发表于: 2023-03-17
    没人给点意见吗?
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    只看该作者 3楼 发表于: 2023-03-22
    上离子源
    离线yzhuang
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    只看该作者 4楼 发表于: 2023-03-30
    MgF2换成SiO2,损失一些光学性能,换来更好的稳定性。
    离线嘤击长空
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    只看该作者 5楼 发表于: 2023-03-31
    建议测一下温度,镀膜时基片至少要在270°,起始真空度2.0E-3,H4充氧少一点,6.0E-3左右
    离线flyinlove79
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    只看该作者 6楼 发表于: 2023-05-26
    氧化硅蒸发速率太小了,膜层太疏松吸潮后很容易脱膜
    离线knight627
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    只看该作者 7楼 发表于: 2023-06-08
    不太理解为什么要用sio2+mgf2最外层这结构,无论是光谱还是致密性也应该是mgf2 或者mgf2+sio2更好,SIO2本就是柱状结构