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    [求助]哪位大神来看看这个晶控设置监控的问题 [复制链接]

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    离线qq287909811
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-02-10
    关键词: 晶控
    这个25秒是什么意思?是说明书上说的25秒后开始监控吗?我感觉不是 d1=fA%pJ  
    A6# 5 z  
     
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    离线coldking
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    只看该作者 1楼 发表于: 2023-02-13
    不穩定的時間,一開始不穩定25秒後必須要穩定,不然發警報?
    离线谭健
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    只看该作者 2楼 发表于: 2023-02-13
    路过看看
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2023-02-16
    刚开始镀膜的时候,因为热冲击水晶片的速率是不稳的。 ./# F,^F2  
    甚至因为升温过快会有负速率。所以需要一个时间来缓冲。 s}5,<|DL  
    oPCtLz}z  
    有一种办法就是直接把镀膜开始后几秒内的膜厚清零,不知道是不是这种办法。 ZIo%(IT!c  
    +M^+qt;]V  
    这个问题,膜林的张博士是专家,他的答案应该是最准确的。
    在线morningtech
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    只看该作者 4楼 发表于: 2023-02-17
    版主抬举了。 y/(60H,{{  
    我公司晶控仪里有一个最大功率延迟时间,在材料第4页。 B !}/4"  
    它有两个作用, u{+z?N  
    一是成膜开始后,在此时间内,实际最大功率从预熔功率线性变化到设定的最大功率。抑制速率过冲用。 q{:]D(   
    二是成膜开始后,在此时间内,如果有负速率,则丢弃因此产生的负厚度。正常看上去像厚度清零。在配置参数里设置此功能是否使用。用于部分补偿温度等效应引起的厚度偏差。 在有离子源辅助时会发现作用明显,厚度一致性会提高。(这个丢弃的负厚度累积值作为内部过程参数会出现在 探头与接口界面,每层重新累积。在我公司 MXC-3 晶控仪里,可以在未关机的情况下,编程发串口指令读取一定层数的负厚度记录,仅作为当时研究之用,没有对外公布指令,有兴趣的可以联系)。 (m3 <)  
    另外,如果我公司晶控仪设置成计算机控制,其将作为单层膜控制器使用,材料1的参数成为开机默认材料参数。 @j/|U04_ Z  
    b|KlWt'  
    但这是客户计算机上的设置,内部什么操作,我并不清楚。