[求助]哪位大神来看看这个晶控设置监控的问题 [复制链接]

这个25秒是什么意思？是说明书上说的25秒后开始监控吗？我感觉不是 -d*je{c|  
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图片:1675991535401.jpg

不穩定的時間,一開始不穩定25秒後必須要穩定,不然發警報?

路过看看

刚开始镀膜的时候，因为热冲击水晶片的速率是不稳的。 HBcL1wfS  
甚至因为升温过快会有负速率。所以需要一个时间来缓冲。 R_B`dP<"~Y  
?K= X[  
有一种办法就是直接把镀膜开始后几秒内的膜厚清零，不知道是不是这种办法。 s]2_d|Y  
17+2`@vJgM  
这个问题，膜林的张博士是专家，他的答案应该是最准确的。

版主抬举了。 tl^![Z  
我公司晶控仪里有一个最大功率延迟时间，在材料第4页。 P:fcbfH+  
它有两个作用， -gVsOX0  
一是成膜开始后，在此时间内，实际最大功率从预熔功率线性变化到设定的最大功率。抑制速率过冲用。 ]OLe&VRix  
二是成膜开始后，在此时间内，如果有负速率，则丢弃因此产生的负厚度。正常看上去像厚度清零。在配置参数里设置此功能是否使用。用于部分补偿温度等效应引起的厚度偏差。 在有离子源辅助时会发现作用明显，厚度一致性会提高。（这个丢弃的负厚度累积值作为内部过程参数会出现在 探头与接口界面，每层重新累积。在我公司 MXC-3 晶控仪里，可以在未关机的情况下，编程发串口指令读取一定层数的负厚度记录，仅作为当时研究之用，没有对外公布指令，有兴趣的可以联系）。
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另外，如果我公司晶控仪设置成计算机控制，其将作为单层膜控制器使用，材料1的参数成为开机默认材料参数。 !uSG 1j"y  
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但这是客户计算机上的设置，内部什么操作，我并不清楚。