版主抬举了。 tR?)C=4,
我公司晶控仪里有一个最大功率延迟时间，在材料第4页。 qt. =
它有两个作用， [q|8.>sB
一是成膜开始后，在此时间内，实际最大功率从预熔功率线性变化到设定的最大功率。抑制速率过冲用。 1E$^ul-v
二是成膜开始后，在此时间内，如果有负速率，则丢弃因此产生的负厚度。正常看上去像厚度清零。在配置参数里设置此功能是否使用。用于部分补偿温度等效应引起的厚度偏差。 在有离子源辅助时会发现作用明显，厚度一致性会提高。（这个丢弃的负厚度累积值作为内部过程参数会出现在 探头与接口界面，每层重新累积。在我公司 MXC-3 晶控仪里，可以在未关机的情况下，编程发串口指令读取一定层数的负厚度记录，仅作为当时研究之用，没有对外公布指令，有兴趣的可以联系）。 H_u% e*W
另外，如果我公司晶控仪设置成计算机控制，其将作为单层膜控制器使用，材料1的参数成为开机默认材料参数。 ]-w.x ]I
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但这是客户计算机上的设置，内部什么操作，我并不清楚。
