^{R .X:a 在本示例中，
模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案
成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示：
nMU[S + `;H3['~$ 
cN vh2JI #)
bqn|0l 掩模的基板被具有两个开口的吸收
材料所覆盖。在其中一个开口的下方，位于相移区域。
0|D
l/1 3JcI} w 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式)，在xy平面中有一个2D仿真域。在源
文件中设置3DTo2D = yes标签，以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后，就可以描述传入区域，就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于
光线从基板下方进入，光线的传输方向为+Z方向。
/ o ]j m. DC 相位分布如下图所示：
L$4nbOu\~ qbu5aK}+ 
3E]IEf ~zD*=h2C 相移区域的影响清晰可见，导致开口上方
光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差：
F|{F'UXj| kV:C=MLI 
