[讨论]关于电子枪与晶控系统之间的关系问题 [复制链接]

假定我们在晶控系统中常有设置材料输出功率上限和速率一说，但是但实际镀膜过程中我们会看到例如材料蒸发到一定厚度，会有钻坑，这时要稳定原来的速率也不知道是不是晶控系统受到反馈，从而自动提高输出功率，1.晶控系统的速率设置是否直接自动时时控制电子枪输出功率；2.那么假定电子枪时时输出功率并不稳定，排除电子枪方面问题是不是可以理解为晶控系统方面问题。

晶控仪测量速率，并且只能通过调节功率来调整速率（PID）。（调节功率来调整沉积速率，容易理解和实现。） pkW }\r  
而无视光斑、扫描、材料多少、真空度等工艺参数，因为晶控仪还没有调整这些参数的手段和方法。 !VaKq_W  
光斑位置，扫描频率和幅度，材料蒸发有什么特点、能做多厚膜，材料减少过程中坩埚状态会有哪些变化等等，合理设置最大功率、最大镀膜时间等参数，保护电子枪和坩埚。这些目前都是工艺人员要掌控的参数。 #BB,6E   
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自动情况下，一般是晶控仪的功率输出（模拟量，如0~10V，在界面上显示百分比功率）直接接到控制电子枪、阻蒸等的功率控制部分。也有间接连接，最后相当于直接控制。 4o+SSS  
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morningtech:晶控仪测量速率，并且只能通过调节功率来调整速率（PID）。（调节功率来调整沉积速率，容易理解和实现。） s![Di  
而无视光斑、扫描、材料多少、真空度等工艺参数，因为晶控仪还没有调整这些参数的手段和方法。 #+"1">l  
光斑位置，扫描频率和幅度，材料蒸发有什么特点、能做多厚膜，材料减少过程 .. (2019-07-15 19:59)  g[c_rty  

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谢谢您的回复，想了想假设参数条件正常，现观测到速率曲线不稳定，同时输出功率也在波动，那么想必蒸发此材料电子枪输出功率势必也是在不断调整中，那么问题来了，也就是您所说的有上述原因，因为不可控因素，故只能合理变向改善工艺已及根据材料特性作出对结果有利的参数

有些因素不是不可控，只是对晶控仪来说不可控。 jtv<{7a  
沉积速率不稳定的原因，有很多方面。 l9Av@|  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系统自身也存在原因： K'c[r0Ew  
晶振片选择、探头清洁、安装、冷却、使用情况（如新旧）。PID参数，甚至晶控仪自身老化。都是原因。 &5y|Q?  
另一方面，速率稳定是相对的，10%以内变化一般可以接受。 gQY
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能调的也就晶控的PID参数了。 LlcH#L$  
你的情况，如果没法用大一点的坩埚，那只能分两个坩埚镀膜了。 b?j\YX[e  

确实因素多，忽然想起您说的离子源问题对晶控有影响，这也是光控的好处。以实际情况排查是最可靠的，遇到过因冷却情况的，还有晶控线针头式接触的，贪图低价货晶振片划痕，针孔的，频率降的极快。对了，您能给个联系方式我吗？

ouyuu:能调的也就晶控的PID参数了。 d6A+pa'2  
你的情况，如果没法用大一点的坩埚，那只能分两个坩埚镀膜了。 5Z[HlN|-!  
 (2019-07-17 23:09)  Hqb-)8 ~  

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嗯，您说的也对

qqcheng:确实因素多，忽然想起您说的离子源问题对晶控有影响，这也是光控的好处。以实际情况排查是最可靠的，遇到过因冷却情况的，还有晶控线针头式接触的，贪图低价货晶振片划痕，针孔的，频率降的极快。对了，您能给个联系方式我吗？[表情]  (2019-07-19 04:54)  8-q4'@(  

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晶控首先是观察者，然后才是控制者。观察过程受干扰的因素很多。现场分析排查。 iuEQ?fp  
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联系方式可以去我公司网站找到，百度膜林科技即可，此处不方便留。 ,kE"M1W  
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qqcheng:嗯，您说的也对 (2019-07-19 04:59)  }uk]1M2=  

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版主可不是浪得虚名。呵。

厚度厚的层分锅镀制