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    [求助]IBS镀制的TA2O5折射率过高的原因 [复制链接]

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    离线tcyt333
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    只看该作者 10楼 发表于: 2019-08-13
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    morningtech:如果测量和反演没大的问题，可考虑致密度大于100%。 <.XoC?j  
    离子溅射，伴随反应过程，氧钻入膜层反应，化合物来不及迁移，可能会带来致密度比体材料还大。 FOyfk$  
    这点可以通过高温退火（烘烤）来观察。退火后，会测量到折射率下降，可伴随厚度增加。
    膜林科技，专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  5fv6RQD  
    WZ-{K"56  
    这到是有可能，我是双离子源，辅助离子源用的氧气，束流较大，很可能就像你说的，氧钻入膜层内来不及迁移。
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    离线tcyt333
    实习生
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    只看该作者 11楼 发表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果测量和反演没大的问题，可考虑致密度大于100%。 YZD]<ptR  
    离子溅射，伴随反应过程，氧钻入膜层反应，化合物来不及迁移，可能会带来致密度比体材料还大。 2AE|N_v8W  
    这点可以通过高温退火（烘烤）来观察。退火后，会测量到折射率下降，可伴随厚度增加。
    膜林科技，专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  N.rB-  
    sNTfRPC  
    我烘烤后的光谱会红移5nm左右，应该不算高吧？
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    离线morningtech
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    只看该作者 12楼 发表于: 2019-08-14
    这种退火后会对光谱影响，要看你的产品能否接受。 AS ul  
    如果这种解释有点道理（因为化合物来不及迁移而带来的致密度大于体材料），那么降低沉积速率的话，致密度将更接近体材料，产品退火前后将更一致。 o!d0  
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    离线13542049677
    实习生
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    只看该作者 13楼 发表于: 2020-03-21
    [s:5niu &W%TY:Da|  
    r_",E=e  
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