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    [求助]IBS镀制的TA2O5折射率过高的原因 [复制链接]

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    离线tcyt333
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    只看该作者 10楼 发表于: 2019-08-13
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    morningtech:如果测量和反演没大的问题,可考虑致密度大于100%。 Zbo4{.#  
    离子溅射,伴随反应过程,氧钻入膜层反应,化合物来不及迁移,可能会带来致密度比体材料还大。 @3n!5XM{EE  
    这点可以通过高温退火(烘烤)来观察。退火后,会测量到折射率下降,可伴随厚度增加。
    膜林科技,专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  veDv14  
    LJrH_h8C  
    这到是有可能,我是双离子源,辅助离子源用的氧气,束流较大,很可能就像你说的,氧钻入膜层内来不及迁移。
    离线tcyt333
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    只看该作者 11楼 发表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果测量和反演没大的问题,可考虑致密度大于100%。 jR\pYRK  
    离子溅射,伴随反应过程,氧钻入膜层反应,化合物来不及迁移,可能会带来致密度比体材料还大。 G{?`4=K  
    这点可以通过高温退火(烘烤)来观察。退火后,会测量到折射率下降,可伴随厚度增加。
    膜林科技,专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  P}'B~ ~9W  
    (KO]>!t  
    我烘烤后的光谱会红移5nm左右,应该不算高吧?
    离线morningtech
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    只看该作者 12楼 发表于: 2019-08-14
    这种退火后会对光谱影响,要看你的产品能否接受。 xd `MEOY  
    如果这种解释有点道理(因为化合物来不及迁移而带来的致密度大于体材料),那么降低沉积速率的话,致密度将更接近体材料,产品退火前后将更一致。 r5[pT(XT]  
    离线13542049677
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    只看该作者 13楼 发表于: 2020-03-21
    [s:5niu s% rmfIp"  
    =!DX,S7