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    [求助]怎样提升pc基板上薄膜的耐高温高湿能力 [复制链接]

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    离线wencheng123
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2018-08-23
    最近一直在做这个用水煮最多7个小时就开始脱膜,怎样可以提升到10小时左右呢?萌新求指教,基板pc,材料二氧化硅和氧化钛。
     
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    离线knight627
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    只看该作者 1楼 发表于: 2018-08-23
    你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精来回擦拭25次,有没有膜伤?
    离线wencheng123
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    只看该作者 2楼 发表于: 2018-08-23
    回 knight627 的帖子
    knight627:你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精来回擦拭25次,有没有膜伤? (2018-08-23 16:41)  ]v]tBVO$  
    "yc|ng  
    这个没有测试过,两者有什么联系吗?
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2018-08-24
    膜系设计第一层用SIO2厚层打底会好一点。 .Q^V,[on1T  
    如果材料能不用TIO2的话那更好做。
    离线knight627
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    只看该作者 4楼 发表于: 2018-08-25
    总的来说应该还是吸附力能的问题,PC相比其他的更难做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜伤,应该不会有问题,这个要求感觉最难,比什么85度烘烤100个小时不膜裂都难,特别是pc, PC镀膜前110度退火5小时,第一层用SIOX,,尽量高折薄,低折厚,离子轰击全程,镀后离子轰击5分钟,建议电子伏在80-100,再退火2小时,看看,不过如果还是不行,只能说明硬件设备不够,换高大上的机器做!
    离线wencheng123
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    只看该作者 5楼 发表于: 2018-08-27
    回 knight627 的帖子
    knight627:总的来说应该还是吸附力能的问题,PC相比其他的更难做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜伤,应该不会有问题,这个要求感觉最难,比什么85度烘烤100个小时不膜裂都难,特别是pc, PC镀膜前110度退火5小时,第一层用SIOX,,尽量高折薄,低折厚,离子轰击全程,镀后离子轰击5分钟,建议电子伏在80-1 .. (2018-08-25 13:25)  6B%  h  
    ? |#dGk g  
    好的我尝试一下,感谢前辈指点,话说有什么新的材料可以尝试么?
    离线wencheng123
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    只看该作者 6楼 发表于: 2018-08-27
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:膜系设计第一层用SIO2厚层打底会好一点。 ,z>-_HOnw  
    如果材料能不用TIO2的话那更好做。 (2018-08-24 23:20)  fZ5 UFq_~s  
    lZ.lf.{F  
    可以不用氧化钛,但是我又没想到有什么材料可以替代,前辈有什么可以指点的么?
    离线ouyuu
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    只看该作者 7楼 发表于: 2018-08-27
    塑胶基板的真空镀膜.rar (498 K) 下载次数:45 前处理很重要。 5;HGS{`  
    镀制过程中离子源辅助的参数也很重要,这个要慢慢摸索。 "q+Z*   
    材料的话建议试一下AL2O3
    离线knight627
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    只看该作者 8楼 发表于: 2018-08-28
    至于膜料高折TI3O5,低折如果膜裂,应力问题用硅铝混合物!正常就用SIO2或者sio打底
    离线rexchou
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    只看该作者 9楼 发表于: 2018-09-25
    是純水嗎? <3BGW?=WP