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说明 9Nv?j=*$ a{JO8<dlm 在本例中,我们仿真了使用BaTiO2的铁电波导调制器,BaTiO2是一种折射率因外加电场而发生变化的材料。该器件的结构基于文献[1]。我们模拟并分析了给定工作频率下波导调制器的有效折射率与电压的关系。 FQ47j)p; ?0JNaf E&@#*~ }ksp(.}G 背景 *0V'rH) WMWMb3 铁电波导由硅层和玻璃衬底上的BiTiO3(也称为BTO)层组成。BiTiO3晶体的取向为晶体的[011]方向平行于光传播方向(y方向),[001]方向沿着z方向。BiTiO3层的顶部的非晶硅可以形成脊波导结构,可以限制横向(x方向)的光分布。金电极触点被放置在离非晶硅脊波导两侧1μm远的地方。 &U}8@; *O[/-
p&7 #QSSpsF@ bt.3#aj 在本案例中,我们首先使用CHARGE求解器模拟不同偏置电压下,波导横截面上的电场分布。然后,我们根据对应的电场分布变化来计算BiTiO3材料折射率的变化,并模拟分析出不同偏置电压下波导的有效折射率。 Hmx.BBz TVSCjI 步骤一:用CHARGE模拟电场分布 vMJ(Ll7/ 在建立好模型后,我们将阴极触点设置为定值0 V,阳极触点设置为扫描模式,扫描范围为1-5 V,扫描点间隔为0.5 V。 4Xt`L"f /<k5"C%z 3qH1\ vfm Y>nr 设置完成后,运行仿真程序将自动进行模式,扫描结果将由电场监视器记录并将数据保存在WG_Efield.mat文件中。 kFyp;=d:K utC^wA5U~ >w.%KVBJ 3=Rk(%:; 步骤二:使用MODE分析有效折射率 \M0's& |