中科院光电所研制出实用深紫外光刻机
近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机（Mask aligner），光刻分辨力达到500nm。 kAKK bmE
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Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定光刻分辨力的重要因素之一。长期以来，国产Mask aligner均采用紫外波段（350nm至450nm），分辨力只能做到1μm以上。而对于200nm至1μm的微纳器件复制，只能采用进口紫外投影光刻机，200nm以下分辨力则只能采用进口深紫外投影光刻机。光电所该型设备的成功研制，填补了国内商用化深紫外光刻机的空白，可低成本解决500nm以上器件的高效复制，具有很好的社会经济效益。 _1!7V 3|^
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光电所微电子专用设备研发团队积极响应客户需求，大胆创新，成功解决了低成本深紫外光源、深紫外高均匀性匀光技术、新型深紫外介质膜镀膜技术以及非球面准直技术等诸多难点。该型设备仅需通过更换滤光模块，便可实现紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切换。同时，该型设备以光电所URE-2000系列紫外光刻机为基台（已经销售550台，其中出口30多台），配有高精度对准模块、真空曝光模式、双面曝光模式、纳米压印模式、接近式模式、数字设定曝光间隙等诸多功能供用户选择或定制，能满足不同光刻工艺需求。该设备自动化程度高、操作十分方便、外形美观。该型设备的成功研制，是光电所光刻机团队将光刻工艺需求与设备研发紧密结合的产物，市场前景十分广阔。 EHSlK5bD,
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光电所研发团队还积极与潜在用户单位进行需求沟通和工艺探索，利用中紫外波段（峰值波长310nm）在光敏玻璃（FOTURANII）上完成了高深宽比结构的制备直接光刻，设备已经销售数台，并与德国肖特（SCHOTT）公司达成合作协议。 zp6C3RG(
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(a)设备外观图；(b)设备输出光谱实测曲线
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