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2017-06-29 09:56 |
金鉴检测双束FIB提供TEM制样、FIB切割、Pt沉积和三维重构的服务
聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后,通过结合相应的气体沉积装置,纳米操纵仪,各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。为方便客户对材料进行深入的失效分析及研究,金鉴检测现推出Dual Beam FIB-SEM制样业务,并介绍Dual Beam FIB-SEM在材料科学领域的一些典型应用,包括透射电镜( TEM)样品制备,材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析。 _b+=q:$/ ^-,
aB 1. 设备参数 B|Y6;4? ZEISSAuriga Compact >4gGb) sLGut7@Sg ?mdgY1 1.场发射扫描电镜(SEM):各种材料形貌观察和分析,如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等,放大率:12×~1000,000×;分辨率1.0nm@ 15kV;1.9 nm @ 1kV; K:!|xr(1d F;Q8^C0e*c 2.X射线能谱分析仪(EDS):材料微区成分分析;MnKa峰的半高宽优于127eV;CKa峰的版高宽优于56Ev;FKa峰的半高宽优于64eV;元素Be4-U92; O1+2Z\F \,<5U
F0 3.聚焦离子束系统(FIB):材料微纳结构的样品制备,包括:SEM在线观察下制备TEM样品、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等,放大率:300×~500,000×;分辨率2.5nm@ 30kV。 ;naD`([ kW"6Gc&HUN 4.背散射电子探头(BSD):基于不同元素衬度不同,BSD探头除了观察样品形貌衬度,同时能够实现对样品成分衬度的观察。 _e%jM[ }g1V6`8& 5.纳米操纵手:用于超薄样品(纳米级)固定转移及精细加工。 Mqu>#lL (E v/R%Z 6.气相沉积系统(GIS):FIB加工前为材料提供保护层,或用于材料精加工。 [89qg+z H1`}3}" Dual BeamFIB-SEM制样: o1x IGP< FIB主要用于材料微纳结构的样品制备,包括:TEM样品制备、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。 cNi)[2o7 N=e-"8 K:PPZ|
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`N8?F3> C5Fk>[fS 1.TEM样品制备 p>w{.hC@ 对比与传统的电解双喷,离子减薄方式制备TEM样品,FIB可实现快速定点制样,获得高质量TEM样品。 D^+#RR'#, ~)';[Ha 案例一: V=)0{7-9 xz1jRI$ 使用Dual BeamFIB-SEM系统制备高质量TEM样品。 l+e L:C! XH_XGzBQS a、FIB粗加工 0'Kbh$LU |a7W@LVYD 95Q{d'& 9>y6zFTV b、纳米手转移 NdpcfZq q.s 2x0 II!Nr{A c、FIB精细加工完成制样 jSLNQ %y(oY
q9GSUkb 9,h'cf`F FyZp,uD 2.材料微观截面截取 bVEt?E*+ SEM仅能观察材料表面信息,聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌,通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺,从根部解决产品失效问题。 o)_;cCr)q ( Z-~Eh 案例二: >"^H"K/T 针对膜层内部缺陷通过FIB精细加工至缺陷根源处,同时结合前段生产工艺找出缺陷产生点,通过调整工艺解决产品缺陷。 uWs5+ oLJP@J w Phs1rL h?f)Bt}ry 3B }Oy$p 案例三: ES~ykE 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 O gQE1{C p&Usl. ^j"*-)R Jg I+k Nx 3.气相沉积(GIS) |Qq_;x] FIBGIS系统搭载Pt气体,其作用除了对样品表面起到保护作用,还能根据其导电特性对样品进行加工。FIB加工前为材料提供保护层,或用于材料精加工。 c< ke)@ lM1Y } 案例四: 1aC?*,e? 纳米材料电阻无法直接进行测量,通过FIBGIS系统对其沉积Pt,将其连接到电极上进行四探针法测电阻。 o$k1&hyH 01md@4NQ TCW[;d /\=syl 4.三维重构 Zj )Bd*a FIB-SEM三维重构系统是通过FIB连续切出多个截面再通过软件将一系列2D图像转换为3D图像。 %]/O0#E3Kz
B(<;] 如有检测需求请联系邱岳18816786100 答杰13928762392 林凯旋18138729186 陈上铭18811843699,手机号即微信号。 Rk#@{_
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