红外热成像技术在军事领域中的应用
引言 {UEZ:a qznd'^[ 红外热成像技术在军事上有着重要的应用,已成为现代战争中的关键技术。国内外都非常重视红外成像技术的发展,半个世纪以来,红外成像技术在侦察、监视、瞄准、射击指挥和制导等方面的应用要求越来越高,许多国家为加强自身防御能力和提高夜战水准,不仅把热成像技术作为现代先进武器装备的重要技术纳入国防发展战略,而且加大研制经费。红外热成像技术在军事和民用上都得到了迅猛发展。 sMqAuhw$. l,M? 一、红外热成像技术 ;z^C\=om J$i5A9IUr 1、概念: r;&rc:?A \RyW#[( 红外热成像技术是以接收景物自身各部分辐射 的红外线来进行探测,利用景物自身各部分辐射的差异获得图像的细节,其实质是一种波长转换技术,即把红外辐射图像转换为可视图像的技术,同时,由大气透红外性质和目标自身辐射所决定,红外热成像技术通常采用3~5 μm和8~14 μm两个波段内工作。 e@crM'R7Lo &r!*Y& 2、特点: HA(G q rM(2RI4O`0 热成像技术既克服了主动红外夜视需要依靠人工热辐射,并由此产生容易自我暴露的缺点,又克服了被动微光夜视完全依赖于环境自然光和无光不能成像的缺点;红外热成像仪器和系统具有透过烟、雾、尘、雪以及识别伪装的能力,不受战场上强光、眩光干扰 UPJ3YpK /=ro$@ 而致盲,可以进行远距离、全天候观察。这些特点使它特别适合于军事应用,正因为如此,一些技术发达的国家,特别是美、英、法、俄等国竞相研究热成像技术,以巨大的人力、物力进行开发,发展十分迅速。 ZZ{:f+=?$ @Vac!A??: 二、红外探测器 aUX.4#|% TW?A/GoXI 热成像技术的发展过程是与红外探测器的发展密切相关的,可以说红外探测器是热成像技术的核心,探测器的技术水平决定了热成像的技术水平。 *H,vqs\}y V@Fj!/ 1、典型规模: a-7T N!:&Xz 目前,红外探测器通常被分为三代: 第一代以分立型为主,元数在103元以下。有线列和小面阵结构,代表产品有:美国的60元、120元、180元光导HgCdTe器件;法国5×11元光伏HgCdTe器件;英国4条(或8条)扫积型HgCdTe器件等; 第二代为扫描型和凝视型焦平面结构,在美国出现LADAⅠ、LADAⅡ、LADAⅢ型阵列应用的基础上发展起来的焦平面阵列,规模在103~106元,其代表产品有4×240元,4×480元和256×256元,320×240元等; 第三代以凝视型为主,规模在106元以上,且强调双波长(双色)或多波长(多色)响应和更强的智能化逻辑处理功能,以及价格较低的非制冷焦平面阵列等。 30多年来,红外探测器技术经历了第一代向第二代的演变,目前,正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术的方向发展。国内外各有关公司厂家研究机构着眼于未来的市场需求,现已把注意力转向第三代红外焦平面阵列探测器的发展上。 }zu?SZH 2_lb+@[W 2、第三代红外探测器: r%~/y G4eY}3F7,4 从以上规模可以看出,探测器发展到先进的第三代成像探测器,其性能指标都要求高,按照西方第三代成像传感器系统的概念,红外探测器按战技术性能可大致分为3类: P mgTTI OfGMeN6 A、微型探测器: %B'*eBj~fw v9s/!<j (1) 像素尺寸:320×240像元时为25 μm,640 x512像元时为17um; =E''$b?Em (2) 阵列规模:320×240像元,可发展到640×512像元与1024 x768像元; StJ&YYdD (3) 噪声等效温差:<50 mK; ^X/[x]UOT@ (4) 输入功率:<10 mW; ACcxQK} (5) 质量:<28 g; fPW(hb; (6) 尺寸:<32.8 cm3; w{;esU (7) 成本:一次性使用。 48 `k"Uy jN43vHm\Y9 B、高性能非制冷探测器: L<**J\=7M X!%CYmIRb (1) 像素尺寸:25 μm×25 μm; xr*hmp1 (2) 阵列规模:1 000×1 000像元; o3~ecJ?k (3) 噪声等效温差:<10 mK (F/1时),<60 mK (F/2.5时)。 NiQ_0Y} 9'|NF< C、兆像素级、多色制冷探测器: {m/h3hjFa yH0BNz8V (1) 谱带:短波/中波红外,中波/中波红外(热电制冷到180 K);短波/长波红外,中波/长波红外,长波/长波红外(制冷到120 K);短波/中波/长波红外(制冷到120 K); `w
J^ (2) 像素尺寸:18 μm×18 μm; %4~2 (3) 阵列规模:1 000×1 000像元,1 000×2 000像元,2 000×2 000像元; $($26g (4) 噪声等效温差:<1 mK (F/2,长波红外),<5 mK (F/2,中波红外); ErNL^Se1 (5) 109的电子阱容量; 2#bpWk 9 (6) 自适应帧速(最高480 Hz); fYuz39#* (7) 芯片上A/D转换和非均匀修正,空间非均匀性<0.5×噪声等效温差。 "
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U[Lb 5[_|+ 3、新型探测器: uIkB& |