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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `<\AnhNW]I
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一. 半导体激光器的基本结构 9^Wj<
•1.半导体双异质结构 N],A&}30
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) >rYP}k
•3. 侧模控制(基侧模) a*%>H( x
•4.横模控制 "v ^Q
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•5. 动态单模半导体激光器 fkk\Q>J9!=
•6. 波长可调谐半导体激光器 :LcR<>LZ
•7.长波长VCSEL的进展 !;iySRZr
•8.微腔激光器和光子晶体 fE_QB=9 cz
•9.半导体激光器材料的选择 t0}3QGf;c
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二.半导体光波导 H;IG\k6C
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 c9f~^}jNb
•2. 光限制因子和模式增益 4[+n;OI
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 O '$:wc#
•4. 半导体激光器镜面反射系数 X$%RJ3t e
•5. DFB激光器的藕合模理论 - Z6ot{%
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 C=9|K`g5 R
•7. 等效折射率近似 qZA?M=NT?
•8. 数值模拟 8 +uOYNXsA
M}M.
三.半导体中的光跃迁和增益 6 !b9 6bV
•1. 费米分布函数及跃迁速率 B nAia3z
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 52-^HV
•3.简约态密度及增益谱 _=4Dh/Dv
•4.模式的自发辐射速率 e&]XiV'
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 oa;[[2c
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [/5>)HK} C
•7.增益谱峰值的近似表达式 {kW!|h&'
J/RUKhs/
四. 速率方程和动态效应 0W]Wu [k
•1．单模速率方程及基本物理量 p~=%CG^5
•2．稳态输出 !;fkc0&!
•3. 共振频率和3dB带宽 d \0K 3 =h
•4. 载流子输运效应对带宽影响 oPre$YT}h
•5. 开启延迟时间 (A R- 8
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 G^ n|9)CVW
•7. 自发辐射引起的噪声 1Pn!{ bU3@
•8. 相对强度噪声 }5DyNfZ]+0
•9. 模式线宽 ?]$.3azO
•10. 多模速率方程 c#U x{^ZE
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 9$#2+G!J
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 5_=&U-? H
3.激光器寿命 FC vR
4.激光器阈值电流的温度特性 a=C?fh
gsT%_2>CL
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