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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *eLKD_D`!C
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一. 半导体激光器的基本结构 ?0%3~E`l:
•1.半导体双异质结构 ~aZy52H_#.
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) >ukn<
•3. 侧模控制(基侧模) ZJ
Ke}F` l
•4.横模控制 "ytPS~
•5. 动态单模半导体激光器 p6Ie ?Gg
•6. 波长可调谐半导体激光器 0!fT:R a
•7.长波长VCSEL的进展 a#L:L8T;j
•8.微腔激光器和光子晶体
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•9.半导体激光器材料的选择 yJRqX]MLA
<jwQ&fm)/R
二.半导体光波导 AIU=56+ I\
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 gFQ\zOlY8a
•2. 光限制因子和模式增益 uihU)]+@t/
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 %/:0x:ns
•4. 半导体激光器镜面反射系数 G 9
g
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•5. DFB激光器的藕合模理论 ><Awk~KR
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 d(X/N2~g
•7. 等效折射率近似 Wq}Y|0c
•8. 数值模拟 yPXa
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三.半导体中的光跃迁和增益 )nM<qaI{
•1. 费米分布函数及跃迁速率 mY 1Gm|
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :H(wW
•3.简约态密度及增益谱 :Q-QY)hH
•4.模式的自发辐射速率 \)'5V!B|s
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 bK69Rb@\A
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 !-cK@>.pE
•7.增益谱峰值的近似表达式 m*f"Y"B.1I
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四. 速率方程和动态效应 -2/&i
•1．单模速率方程及基本物理量 b2 5.CGF
•2．稳态输出 RoLN#
•3. 共振频率和3dB带宽 h%UM<TZ]"
•4. 载流子输运效应对带宽影响 L4t( Y7
•5. 开启延迟时间 q*'-G]tH=
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 RE%2 5t|
•7. 自发辐射引起的噪声 uy'qIq
•8. 相对强度噪声 gCL? {oVU
•9. 模式线宽 D_)N!,i
•10. 多模速率方程 7zcmv"`
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 $No^\.mV
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 %)#yMMhR
3.激光器寿命 Bag_0.H&m
4.激光器阈值电流的温度特性 \TS.9 > \
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