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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 pL L
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一. 半导体激光器的基本结构 $@q)IK%FDL
•1.半导体双异质结构 rWF~a ec
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !G3O!]
•3. 侧模控制(基侧模) f+Nq?GvwBQ
•4.横模控制 68R[Lc9q5
•5. 动态单模半导体激光器 ]c8lZO>
•6. 波长可调谐半导体激光器 !<}<HR^ )
•7.长波长VCSEL的进展 &ZF sK c#
•8.微腔激光器和光子晶体 rixNz@p'%
•9.半导体激光器材料的选择 }NDw3{zn
+2`RvQN
二.半导体光波导 3+"z
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 5#+!|S[PK
•2. 光限制因子和模式增益 `p9h$d
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 +](^gaDw<L
•4. 半导体激光器镜面反射系数 f;#hcRSH
•5. DFB激光器的藕合模理论 6w<jg/5t
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 $I! vQbi
•7. 等效折射率近似 u* Eb4
•8. 数值模拟 {[o=df/
E >xdJ
三.半导体中的光跃迁和增益 h9L A&!
•1. 费米分布函数及跃迁速率 3t[2 Bd
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ge?1ez2
•3.简约态密度及增益谱 21M@z(q*
•4.模式的自发辐射速率 ~j ",ePl
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 mYXe0E#6
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 s CSrwsbhv
•7.增益谱峰值的近似表达式 HS]|s ':
Q &^ti)vB
四. 速率方程和动态效应 Z1u{.^~ ^z
•1．单模速率方程及基本物理量 +mE y7qM
•2．稳态输出 He. gl
•3. 共振频率和3dB带宽 %7pT\8E5
•4. 载流子输运效应对带宽影响 uG&xtN8
•5. 开启延迟时间 XJDp%B
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 cD
Z]r@AQ
•7. 自发辐射引起的噪声 E"&fT!yi
•8. 相对强度噪声 " GkBX
•9. 模式线宽 bNp
RGhlV
•10. 多模速率方程 |/[?] `
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 g5lf- }?
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 `Q^G
k{9P
3.激光器寿命 ]wWN~G)2lV
4.激光器阈值电流的温度特性 f {AbCi
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