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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Y` q!V=
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一. 半导体激光器的基本结构 vj(@.uU )
•1.半导体双异质结构 H! #5!m&
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) % dYI5U89
•3. 侧模控制(基侧模)
+Bn?-{h=
•4.横模控制 ^X$
I= ro
•5. 动态单模半导体激光器 TftOYY.hQ
•6. 波长可调谐半导体激光器 i >J:W"W
•7.长波长VCSEL的进展 qjzZ}
•8.微腔激光器和光子晶体 R rxRa[{Z
•9.半导体激光器材料的选择 }il%AAI9}r
EO"=\C,
二.半导体光波导 2-P I JO
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 A g<4r
•2. 光限制因子和模式增益 . ^B WR
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 VD Pxue
•4. 半导体激光器镜面反射系数 v F]
•5. DFB激光器的藕合模理论 Fz{ o-4
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ;g6 nHek
•7. 等效折射率近似 +OKA_b"wB
•8. 数值模拟 (tTLK0V-|3
YdPlN];[
三.半导体中的光跃迁和增益 i4 P$ wlO
•1. 费米分布函数及跃迁速率 TjT](?'o
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 7%W!k zp>
•3.简约态密度及增益谱 rffVfw
•4.模式的自发辐射速率 ws#hhW3qK
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 w"yK\O E
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Z V0)
."^Z
•7.增益谱峰值的近似表达式 [;)~nPjI
4;08n|C
四. 速率方程和动态效应 U 9bFUK/z
•1．单模速率方程及基本物理量 //VG1@vaVX
•2．稳态输出 (6 9kvA&|q
•3. 共振频率和3dB带宽 \? J=mE@;1
•4. 载流子输运效应对带宽影响 w 6%l8+{R
•5. 开启延迟时间 F>p%2II/
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 AsV8k _qZL
•7. 自发辐射引起的噪声 y>?k< )nA{
•8. 相对强度噪声 ]eY Qio!
•9. 模式线宽 ^.nwc#
•10. 多模速率方程 h\Z3y AYd
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 .0 rJIO
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 r7zf+a]
3.激光器寿命 9t,aT!f
4.激光器阈值电流的温度特性 rjfc.l#v
lv*Wnn@k
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