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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 XCUU(H
Va3/#is'
一. 半导体激光器的基本结构 .p$tb2%r
•1.半导体双异质结构 JJVdq-k+`
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ;kb);iT
•3. 侧模控制(基侧模) qM8"* dL
•4.横模控制 5><KTya?=
•5. 动态单模半导体激光器 R gTrj
•6. 波长可调谐半导体激光器 Gx/kel [Y}
•7.长波长VCSEL的进展 % +0V0.
•8.微腔激光器和光子晶体 y,cz;2
•9.半导体激光器材料的选择 caXSt2|'
LM Tz/M
二.半导体光波导 br4?_,
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 m*H' Cb
•2. 光限制因子和模式增益 } za "rU
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ?3Y~q;I]O
•4. 半导体激光器镜面反射系数 G7uYkJO
•5. DFB激光器的藕合模理论 iTIYq0u|#R
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 {dXmSuO
•7. 等效折射率近似 \^]*T'>b
•8. 数值模拟 f S-PM3
3+oGR5gIN
三.半导体中的光跃迁和增益 ;<N%D=;}@
•1. 费米分布函数及跃迁速率 gUHx(Fi[4
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 W|4h;[w
•3.简约态密度及增益谱 Q]hl+C$d"/
•4.模式的自发辐射速率 j`:D BO&)\
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2 pmqP-pKd
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Wf:LY L
•7.增益谱峰值的近似表达式 =>htX(k}
gi #dSd1\&
四. 速率方程和动态效应 K GJ *h
•1．单模速率方程及基本物理量 "< })X.t
•2．稳态输出 am+w<NJ(us
•3. 共振频率和3dB带宽 p-XO4Pc 6
•4. 载流子输运效应对带宽影响 uZe"M(3r$
•5. 开启延迟时间 [ahK+J
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Znd ,FqHk
•7. 自发辐射引起的噪声 }*?,&9/_)
•8. 相对强度噪声 E{BX $R_8
•9. 模式线宽 dCpD A a3
•10. 多模速率方程 s`gfz}/
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 G.3yuok9
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ],s{%a5wC
3.激光器寿命 d<Dm(
4.激光器阈值电流的温度特性 " 6ScVa5)
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