| skype |
2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 t=-t xnlr<
R1!F mZW8
一. 半导体激光器的基本结构 A$6T)
•1.半导体双异质结构 4jWzYuI&J
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) fPW|)e"
•3. 侧模控制(基侧模) *8QESF9
•4.横模控制 _oV ;Y`_
•5. 动态单模半导体激光器 xg dS]Sz
•6. 波长可调谐半导体激光器 R04%;p:k#
•7.长波长VCSEL的进展 I "8:IF
•8.微腔激光器和光子晶体 /0S2Om h
•9.半导体激光器材料的选择 [RAzKzC\M
/* V: Lh
二.半导体光波导 \(4"kY_=
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 .Lw p`{F/
•2. 光限制因子和模式增益 +*I'!)T^B
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 U~;Rzoe)q*
•4. 半导体激光器镜面反射系数 miW PLnw=L
•5. DFB激光器的藕合模理论 oVD)Fb%[i9
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 z~O#0Q !
•7. 等效折射率近似 8 fG$><@
•8. 数值模拟 N5ph70#y3
)aV\=a |A
三.半导体中的光跃迁和增益 gs xT
•1. 费米分布函数及跃迁速率 rE&` G[(b
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 QU#u5sX A
•3.简约态密度及增益谱 b I%Sq+"}
•4.模式的自发辐射速率 ;s^br17z~
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 4R c_C0O
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 B% ]yLJ
•7.增益谱峰值的近似表达式 IIn sq
8\AyKw
四. 速率方程和动态效应 M u1H*;_8
•1．单模速率方程及基本物理量 tom1u>1n
•2．稳态输出 C >@T+xOZ
•3. 共振频率和3dB带宽 )s#NQ.T[
•4. 载流子输运效应对带宽影响 0mb|JoE(
•5. 开启延迟时间 _` oP*g =
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 t PJW|wo
•7. 自发辐射引起的噪声 0x N 1Xm0d
•8. 相对强度噪声 $]
gwa J:
•9. 模式线宽 b u2@~
•10. 多模速率方程 )=k8W9i8b
kVqRl%/3Tb
五.半导体激光器的基本工艺和特性 }L!%^siG_
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 l [,RA?i
{
3.激光器寿命 j O -H 1@;
4.激光器阈值电流的温度特性 N!W# N$
+zl2| '
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！
|
|