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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 n=HId:XT
X8F@U ^@
一. 半导体激光器的基本结构 )c'5M]V
•1.半导体双异质结构 - P;_j,~U
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6} DGEHc1
•3. 侧模控制(基侧模) h0YIPB
•4.横模控制 kC =e>v
•5. 动态单模半导体激光器 B{\cV-X$0
•6. 波长可调谐半导体激光器 K~j&Q{yws@
•7.长波长VCSEL的进展 >^cP]gG Y
•8.微腔激光器和光子晶体 J 3oEN'8S
•9.半导体激光器材料的选择 0]x g E
~m
,x G
二.半导体光波导 '@Zau\xC
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 W/(D"[:l%
•2. 光限制因子和模式增益 xc%\%8C}
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 w\
hl2JTy
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ^DL}J>F9G
•5. DFB激光器的藕合模理论 s
"KPTV
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 U@W3x@
•7. 等效折射率近似 Hzr<i4Y=w9
•8. 数值模拟 q[6tvPfkX
,o $F~KPu
三.半导体中的光跃迁和增益 8MHYk>O~{G
•1. 费米分布函数及跃迁速率 m/ ,.3v
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 OH` |
c
•3.简约态密度及增益谱 W|I MnK-
•4.模式的自发辐射速率 cC{eu[ XW
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ~F?vf@k
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 / S32)=(
•7.增益谱峰值的近似表达式 72 hN%l
I{8fTod
四. 速率方程和动态效应 \)\u AI -
•1．单模速率方程及基本物理量 bRSE"B
•2．稳态输出 8@Zg@>,
•3. 共振频率和3dB带宽 "7 v/ -
•4. 载流子输运效应对带宽影响 fE1B1j<
•5. 开启延迟时间 q= NI}k
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 P5u
Y 1(
•7. 自发辐射引起的噪声 6 #A g^A
•8. 相对强度噪声 l)V!0eW
•9. 模式线宽 +_.k\CRms
•10. 多模速率方程 YCv)DW;
3\x@G)1
五.半导体激光器的基本工艺和特性 [E9V #J89
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 (G:A^z
3.激光器寿命 |eN#9Bm
4.激光器阈值电流的温度特性 }ll&qb
}6;K+INT
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