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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Q4'C;<\@(Q
%CH 6lY=lI
一. 半导体激光器的基本结构 6F0(aGs
•1.半导体双异质结构 5N/Lk>p1u
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) S>:,z}i
•3. 侧模控制(基侧模) v|t{1[C
•4.横模控制 gSi5u# }J
•5. 动态单模半导体激光器 19u =W(
•6. 波长可调谐半导体激光器 htJuGfDx1
•7.长波长VCSEL的进展 YcM;S
•8.微腔激光器和光子晶体 L4' [XcY
•9.半导体激光器材料的选择 %_)zWlN
khX|" d360
二.半导体光波导 I M( u<c$
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 H
o y7RC&
•2. 光限制因子和模式增益 h[Tk; h
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 & y. dm W
•4. 半导体激光器镜面反射系数
P'[<A Z
•5. DFB激光器的藕合模理论 e1(h</M U2
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?T'][q
•7. 等效折射率近似 MK$Jj "
•8. 数值模拟 Jbw!:x
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T 1Cs>#)
三.半导体中的光跃迁和增益 [?KIN_e#
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Bq }x9C&<
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I 48VNX
•3.简约态密度及增益谱 J\`^:tcG
•4.模式的自发辐射速率 d0UZ+ RR#
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 9C}qVoNu
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 )2j:z#'>
•7.增益谱峰值的近似表达式 W '/>et
aC\4}i<
四. 速率方程和动态效应
z1j|E
:
•1．单模速率方程及基本物理量 pM$ @m]
•2．稳态输出 TipHV;|e
•3. 共振频率和3dB带宽 (F5ttQPh
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ,)#.a%EKA
•5. 开启延迟时间 ,x#ztdvr
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 J eQ [qQ
•7. 自发辐射引起的噪声 8 njuDl
•8. 相对强度噪声 4M`Xrfwm'[
•9. 模式线宽 rxE&fjW
•10. 多模速率方程 h7W}OF_=y
&=w|vB)(p
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ejcwg* i
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 \r -N( ;m
3.激光器寿命 | rPAC![=
4.激光器阈值电流的温度特性 Ye |G44z
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