| skype |
2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Y^$^ B,
1CK}XLdr
一. 半导体激光器的基本结构 m"*j J.MX
•1.半导体双异质结构 -02c I}e
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) b)RU+9x &
•3. 侧模控制(基侧模) {E`[ `Kf
•4.横模控制 U/'"w
v1 y
•5. 动态单模半导体激光器 d7s? c
•6. 波长可调谐半导体激光器 nTxeV %
•7.长波长VCSEL的进展 TD:NL4dm
•8.微腔激光器和光子晶体 AB<|iJC
•9.半导体激光器材料的选择 K0$8t%Z.
`_Iy8rv:P
二.半导体光波导 9[K".VeT]
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 rUvjc4O}
•2. 光限制因子和模式增益 ))f%3_H
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 d\& {Ev9v
•4. 半导体激光器镜面反射系数 WBT/;),}:
•5. DFB激光器的藕合模理论 oe,I vnt
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Wm>[5h%>
•7. 等效折射率近似 F|p &v7T
•8. 数值模拟 "`]G>,r_
'F>eieO
三.半导体中的光跃迁和增益 &5>R>rnB
•1. 费米分布函数及跃迁速率 G?D7R/0)
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 _)s<E9t2N
•3.简约态密度及增益谱 Au Ib>@a
•4.模式的自发辐射速率 P__JN\{9
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 QCB2&lN\&L
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 &|>CW:)&1"
•7.增益谱峰值的近似表达式 NH&/=
Sc03vfmo"N
四. 速率方程和动态效应 KW.*L o O
•1．单模速率方程及基本物理量 Sq^f}q
•2．稳态输出 -4ityS
@
•3. 共振频率和3dB带宽 $D{ KXkrd
•4. 载流子输运效应对带宽影响 I B9[L x
•5. 开启延迟时间 N~7xj ?
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 k L\;90
•7. 自发辐射引起的噪声 ?/ xk
•8. 相对强度噪声 VN!`@Ci/
•9. 模式线宽 /@Qg'Q#
•10. 多模速率方程 On
x[}x
umPd+5i
五.半导体激光器的基本工艺和特性 a@( 4X/|
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 O[ tD7 !1
3.激光器寿命 X"_,#3Ko!
4.激光器阈值电流的温度特性 _B Gw)Z 6
U9k;)fK
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！
|
|