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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 X fDQx!gJ
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一. 半导体激光器的基本结构 d$
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•1.半导体双异质结构 PQ|x?98
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) yX mp] 9$
•3. 侧模控制(基侧模) |pg5m*h
•4.横模控制 Nd)o1 {I
•5. 动态单模半导体激光器 f%l#g ]]
•6. 波长可调谐半导体激光器 AY erz
•7.长波长VCSEL的进展 FkkB#Jk4
•8.微腔激光器和光子晶体 Z@u mbyM
•9.半导体激光器材料的选择 a
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二.半导体光波导 7K4%`O
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ,~w )@.
•2. 光限制因子和模式增益 { 1c eF
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &(7Io?
•4. 半导体激光器镜面反射系数 t0(hc7`
•5. DFB激光器的藕合模理论 *mt v[
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 4 ETVyK|
•7. 等效折射率近似 );LwWKa
•8. 数值模拟 v#G ^W
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三.半导体中的光跃迁和增益 2J <Z4Ap
•1. 费米分布函数及跃迁速率 mY9K)]8
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 #d(r^U#I
•3.简约态密度及增益谱 6Z=H>w
•4.模式的自发辐射速率 ybkN^OEJ
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Ss}0.5Bq
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 zt6ep=
•7.增益谱峰值的近似表达式 \aozecpC`
)I9(WV x!]
四. 速率方程和动态效应 @e/dQ:Fb
•1．单模速率方程及基本物理量 <Z[R08 k
•2．稳态输出 ~ VKXL,.
•3. 共振频率和3dB带宽 omu &:)
g
•4. 载流子输运效应对带宽影响 f{oWd]eAhb
•5. 开启延迟时间 $4]PN 2d&
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 GC2<K
•7. 自发辐射引起的噪声 R PQ)0 .O7
•8. 相对强度噪声 eU0-_3gN_
•9. 模式线宽 4dAhJjhgD
•10. 多模速率方程 + J9lD`z
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 UQ?8dw:E~
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 zKr(Gt8
3.激光器寿命 l|{<!7a
4.激光器阈值电流的温度特性 b iD7(AK
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