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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 a*&P>Lwe7&
C- ]H+p
一. 半导体激光器的基本结构 D2 |-\v J>
•1.半导体双异质结构 pr>Qu:
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) )/2* <jr
•3. 侧模控制(基侧模) w<j6ln+nM
•4.横模控制 =O1CxsKt6
•5. 动态单模半导体激光器 &5 /`6-K
•6. 波长可调谐半导体激光器 vrn I Eur
•7.长波长VCSEL的进展 7>xxur&
•8.微腔激光器和光子晶体 R6dw#;6{I
•9.半导体激光器材料的选择 0*V RFd4
1iaNb[:QX
二.半导体光波导 X obiF
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 oTo'? E#
•2. 光限制因子和模式增益 W5}.W Fu
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 m }6GVQ'Q
•4. 半导体激光器镜面反射系数 C]*9:lK
•5. DFB激光器的藕合模理论 <Sm -Z,|
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 _Pa(5-S'KR
•7. 等效折射率近似 FB@c
+*1
•8. 数值模拟 +^<CJNDL9
MdU_zY(c
三.半导体中的光跃迁和增益 .{HU1/!
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ] =b?^'
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~b5aT;ObR
•3.简约态密度及增益谱 fMwJwMT8
•4.模式的自发辐射速率 nXK"B Ye
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 eOy{]< l3
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 8gJ"7,}-'
•7.增益谱峰值的近似表达式 Ive tQ+
&GwBxJ
四. 速率方程和动态效应 ?v#t{e0eQ
•1．单模速率方程及基本物理量 _]1dm)%
•2．稳态输出 N4!YaQQ;}
•3. 共振频率和3dB带宽 LYGFE jS[
•4. 载流子输运效应对带宽影响 B;N 40d*W
•5. 开启延迟时间 sq*R ) cZ
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 HoymGU `w
•7. 自发辐射引起的噪声 T_6,o[b8
•8. 相对强度噪声 :g'"*VXYB
•9. 模式线宽 ({Fus@/
•10. 多模速率方程 ~zRUJ2hD!
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 P\iw[m7O
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 HYLU]9aH8
3.激光器寿命 ;W?e@ Lgxk
4.激光器阈值电流的温度特性 s?=f,I
V;= Snc Ub
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