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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 \>*M Me
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一. 半导体激光器的基本结构 71oFm1m{
•1.半导体双异质结构 R`0foSq \M
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ib5;f0Qa
•3. 侧模控制(基侧模) ^CowJ(y(
•4.横模控制 tIn7(C
•5. 动态单模半导体激光器 #6Efev
•6. 波长可调谐半导体激光器 P<j4\zJ
•7.长波长VCSEL的进展 {] t\`fjrg
•8.微腔激光器和光子晶体 c8bca`
•9.半导体激光器材料的选择 {:};(oz)f
"D
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二.半导体光波导 =oL8d 6nI
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 \Dvl%:8
•2. 光限制因子和模式增益 4 7)+'`
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 t,--V|7-
•4. 半导体激光器镜面反射系数 e67c:Z
•5. DFB激光器的藕合模理论 ]F Y?_DGOA
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 }m=t zHB*
•7. 等效折射率近似 4*p_s8> >
•8. 数值模拟 e.)yV'%L
J8sJ~FnUj
三.半导体中的光跃迁和增益 d1 srV`
•1. 费米分布函数及跃迁速率 i Q]T+}nn_
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9TYw@ o5V
•3.简约态密度及增益谱 ]p4`7@@)*
•4.模式的自发辐射速率 f7EIDFX>pt
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 x'E' jh%
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 rh:s
7
•7.增益谱峰值的近似表达式 <3SFP3^:
P. [6s$J
四. 速率方程和动态效应 bqw/O`*wfN
•1．单模速率方程及基本物理量
WrE-Zti
•2．稳态输出 %5Q7 #xU
•3. 共振频率和3dB带宽 w%i+>\t O
•4. 载流子输运效应对带宽影响 vh1
Ma<cx
•5. 开启延迟时间 bm|Jb"T0b
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ! /|0:QQi
•7. 自发辐射引起的噪声 nhVK?
•8. 相对强度噪声 )#b}qc#`
•9. 模式线宽 _Ep{|]:gw
•10. 多模速率方程 ?J^IAF y
-dc5D@4`#s
五.半导体激光器的基本工艺和特性 "W?l R4
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 {<-
ouD
3.激光器寿命 ( )JYN5
4.激光器阈值电流的温度特性 4*N@=v
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