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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 _6]tbni?v
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一. 半导体激光器的基本结构 SXV2Y-
•1.半导体双异质结构 ! HXyvyDN
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Iomx"y]9
•3. 侧模控制(基侧模) %iZ~RTY6 !
•4.横模控制 ;h#Q!M&e#
•5. 动态单模半导体激光器
af/0e}-
•6. 波长可调谐半导体激光器 Ia:M+20n
•7.长波长VCSEL的进展 V Y@` )
•8.微腔激光器和光子晶体 *]DO3Zw'
•9.半导体激光器材料的选择 hz h3p[
gU?M/i2
二.半导体光波导 D8b9 T.[(
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 }xgs]\^,73
•2. 光限制因子和模式增益 %V(U]sbV
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 tNAmA
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `J;g~#/k
•5. DFB激光器的藕合模理论 q%XjJ -s:
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Q0L1!}w
•7. 等效折射率近似 #6#%y~N
•8. 数值模拟 _ ?XR;2 ]
"a<:fEsSE
三.半导体中的光跃迁和增益 .AF\[IQ
•1. 费米分布函数及跃迁速率 OSwum!hzN
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 unr`.}A2>
•3.简约态密度及增益谱 %)e&"mq!|
•4.模式的自发辐射速率 pQ8f$I#v
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 }3-`e3
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 -8S Z}J
•7.增益谱峰值的近似表达式 3RI %O CGF
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四. 速率方程和动态效应 r6nWrO>y
•1．单模速率方程及基本物理量 `b_n\pf ]
•2．稳态输出 jTqE V(
•3. 共振频率和3dB带宽 {k']nI.>
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ? ~oc4J*>(
•5. 开启延迟时间 - P4X@s_;
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $-39O3
•7. 自发辐射引起的噪声 3+! G 9T!
•8. 相对强度噪声 /@", 5U#
•9. 模式线宽 TR:4$92:H
•10. 多模速率方程 v\5`n@}4
~Vc`AcW P
五.半导体激光器的基本工艺和特性 =3GgfU5 k
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 IkQ,#Bsb[
3.激光器寿命 RuOse9
4.激光器阈值电流的温度特性 W}WDj:
&p55Cg@e)
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