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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 <e6=% 9
n2;9geq+
一. 半导体激光器的基本结构 a|N0 (C
•1.半导体双异质结构 qCJ=Z
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) t,vTAq.))
•3. 侧模控制(基侧模) Y%v P#>h
•4.横模控制 cq^sq1A:
•5. 动态单模半导体激光器 %9c|%#3
•6. 波长可调谐半导体激光器 bBE^^9G=Z
•7.长波长VCSEL的进展 l6B.6
'4)w
•8.微腔激光器和光子晶体 J7a-CI_Tf
•9.半导体激光器材料的选择 "zZ&n3=@
iiwpSGFl]
二.半导体光波导 REx[`x,GUh
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 YbvX$/zGu
•2. 光限制因子和模式增益 \!X?zR_
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 eECj_eH-
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Ry%YM ,K3
•5. DFB激光器的藕合模理论 BpXEK.Xw
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 p6blD-v
•7. 等效折射率近似 q lY\*{x4
•8. 数值模拟 _XN~@5elrC
Kpu<rKP`
三.半导体中的光跃迁和增益 ~&[u]u[
•1. 费米分布函数及跃迁速率 &8 Wlps`
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 px&=((Z7>
•3.简约态密度及增益谱 $u,G Vq~
•4.模式的自发辐射速率 *7v ue"I*Z
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Pw #2<>
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 #6FaIq92V
•7.增益谱峰值的近似表达式 3GWrn ,f
:Ba-u
四. 速率方程和动态效应 u -/3(dKt
•1．单模速率方程及基本物理量 xXa#J)'
•2．稳态输出 c d"wNH-
•3. 共振频率和3dB带宽 M7H~;S\3IM
•4. 载流子输运效应对带宽影响 5k `e^ARf
•5. 开启延迟时间 y84XoD Q
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ?lG;,,jc,W
•7. 自发辐射引起的噪声 Hrv),Ce
•8. 相对强度噪声 9l=F v6
•9. 模式线宽 W,'3D~g8
•10. 多模速率方程 >huq t|S*9
E#~2wq K
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]J~g'">
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 HU.1":.;
3.激光器寿命 [b pwg&Oo
4.激光器阈值电流的温度特性 W.GN0(uG
9e76 pP(
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