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| skype | 2006-09-12 14:09 |  
| 半导体激光器的设计和工艺(中科院)分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 aRdk^|} vi["G7
 一. 半导体激光器的基本结构 L qMH]W
 •1.半导体双异质结构 q	El:2 <
 •2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) `]_#_
 •3. 侧模控制(基侧模) 1,T8@8#
 •4.横模控制 NcZ6!wWdE
 •5. 动态单模半导体激光器 iyc}a6g
 •6. 波长可调谐半导体激光器 -@Mr!!t?N
 •7.长波长VCSEL的进展 mNc(
 •8.微腔激光器和光子晶体 9(QY~F
 •9.半导体激光器材料的选择 y'*^	'
 -i:Zi}f
 二.半导体光波导 L:IaJ?+?
 •1. 平板波导的模式,TE和TM模 5Z]`n
 •2. 光限制因子和模式增益 ]$KyZHj{
 •3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 H\W60|z9
 •4. 半导体激光器镜面反射系数 z,87;4-
 •5. DFB激光器的藕合模理论  F]N9ZWn/
 •6. DFB半导体激光器的一维模拟 `S2YBKz,1
 •7. 等效折射率近似 p
)etl5
 •8. 数值模拟 .wtb7U;7
 7C9qkQ
Jqn
 三.半导体中的光跃迁和增益 D*|h
c
 •1. 费米分布函数及跃迁速率 e57}.pF^
 •2. 电子波函数及跃迁矩阵元 AH;0=<n
 •3.简约态密度及增益谱 8RVNRV@g%
 •4.模式的自发辐射速率 6c^2Nl8e
 •5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 :[#HP66[O5
 •6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1RY}mq
 •7.增益谱峰值的近似表达式 1?]Gl+}
 kn	5q1^
 四. 速率方程和动态效应 ) 2wof(
 •1.单模速率方程及基本物理量 ELk$lm&
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