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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 a Rdk^|}
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一. 半导体激光器的基本结构 L qMH]W
•1.半导体双异质结构 q El :2 <
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) `] _ #_
•3. 侧模控制(基侧模) 1 ,T8@8#
•4.横模控制 NcZ6!wWdE
•5. 动态单模半导体激光器 iyc}a6g
•6. 波长可调谐半导体激光器 -@Mr!!t?N
•7.长波长VCSEL的进展 mNc (
•8.微腔激光器和光子晶体 9(QY~F
•9.半导体激光器材料的选择 y'*^ '
-i:Zi}f
二.半导体光波导 L:IaJ? +?
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 5Z ] `n
•2. 光限制因子和模式增益 ]$Ky ZHj{
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 H\W60|z9
•4. 半导体激光器镜面反射系数 z ,87;4-
•5. DFB激光器的藕合模理论 F]N9ZWn /
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 `S2YBKz,1
•7. 等效折射率近似 p
)etl5
•8. 数值模拟 .wtb7U;7
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三.半导体中的光跃迁和增益 D*|h
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•1. 费米分布函数及跃迁速率 e57}.pF^
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 AH;0=<n
•3.简约态密度及增益谱 8RVNRV@g%
•4.模式的自发辐射速率 6c^2Nl8e
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 :[#HP66[O5
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1RY} mq
•7.增益谱峰值的近似表达式 1 ?]Gl+}
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四. 速率方程和动态效应 ) 2wof(
•1．单模速率方程及基本物理量 ELk$ lm& @
•2．稳态输出 Nj1vB;4Nx
•3. 共振频率和3dB带宽 #
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•4. 载流子输运效应对带宽影响 !sfOde)$
•5. 开启延迟时间 Mc>]ZAz r
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ^6Q (he
•7. 自发辐射引起的噪声 h$)!eSu
•8. 相对强度噪声 F2: +i#lE
•9. 模式线宽 QKL5!
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•10. 多模速率方程 YC - -&66
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ?5K. #>{
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 dB ?+-aE
3.激光器寿命 x|<rt96 6A
4.激光器阈值电流的温度特性 KV k
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