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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺(中科院)分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 8}W06k>)% B$ )6X 一. 半导体激光器的基本结构 ngN_,x7yc •1.半导体双异质结构 X+K$y:UZ •2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) oa?eK •3. 侧模控制(基侧模) _k@{>
?(a •4.横模控制 W+~ w •5. 动态单模半导体激光器 ^9UF
Pij" •6. 波长可调谐半导体激光器 *<! W k\ •7.长波长VCSEL的进展 xW,(d5RtZ •8.微腔激光器和光子晶体 VBssn]w •9.半导体激光器材料的选择 pstQithS O/\jkF 二.半导体光波导 Sn/~R|3XA7 •1. 平板波导的模式,TE和TM模 (K+TqJw •2. 光限制因子和模式增益 [#td •3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 >1tGQ
cg •4. 半导体激光器镜面反射系数 O.E •5. DFB激光器的藕合模理论 ]Nvtiw 6 •6. DFB半导体激光器的一维模拟 |Tz4 xTK •7. 等效折射率近似 WU1o4&OF •8. 数值模拟 oA~m*| d/(=q 三.半导体中的光跃迁和增益 \wNn c" •1. 费米分布函数及跃迁速率 43-%")bH •2. 电子波函数及跃迁矩阵元 W&4`eB/4} •3.简约态密度及增益谱 38Z"9 •4.模式的自发辐射速率 rA9x T` •5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 xIrpGLPSh •6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 <E
BgHD) •7.增益谱峰值的近似表达式
jl2nRo 2ezuP F 四. 速率方程和动态效应 z>i D •1.单模速率方程及基本物理量 $#@4i4TN- •2.稳态输出 =tH+e7it •3. 共振频率和3dB带宽 vO{ijHKE •4. 载流子输运效应对带宽影响 2>O2#53ls0 •5. 开启延迟时间 S53%*7K. •6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 _u;^w}0 •7. 自发辐射引起的噪声 }C7tlA8,7 •8. 相对强度噪声 =pcj{B{qa •9. 模式线宽 n/?5[O-D] •10. 多模速率方程 B;;D(NH \MtiLaI" 五.半导体激光器的基本工艺和特性 e|Sg?ocR 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 <\^X,,WtO 3.激光器寿命 *-|+phim 4.激光器阈值电流的温度特性 Hs=!.tZ, |7`Vw Z 《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件,下载以后大家记得回复支持!
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