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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 -'] #5p l
BIw9@.99B-
一. 半导体激光器的基本结构 B quyPG"
•1.半导体双异质结构 4)v\Dc/9i
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ?|N:[.
•3. 侧模控制(基侧模) $sGX%u
•4.横模控制 #V4_. t#
•5. 动态单模半导体激光器 8Ln:y'K
•6. 波长可调谐半导体激光器 wz073-v>ZV
•7.长波长VCSEL的进展 u^!-Z)W
•8.微腔激光器和光子晶体 He"> kJx
•9.半导体激光器材料的选择 < :RU,
FjkE^o>
二.半导体光波导 Vwm\ a]s
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 s x`C<c~u
•2. 光限制因子和模式增益 4 ;w_o9o
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 %8S!l;\H5
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ,h8)5Mj/J
•5. DFB激光器的藕合模理论 0BxO75m}o
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 %S$P+B?
•7. 等效折射率近似 sI9~TZ :
•8. 数值模拟 Ddt(*z
/
M# F;eK2pf
三.半导体中的光跃迁和增益 |M9x&(H;Hw
•1. 费米分布函数及跃迁速率 PS(LD4m D
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 X@|
•3.简约态密度及增益谱 :rk ]o*
•4.模式的自发辐射速率 q SCt= eQ
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ~q-| cl<
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 m(*CuM[E
•7.增益谱峰值的近似表达式 } 1X,~y]
Y,>]) R[4
四. 速率方程和动态效应 RX7,z.9@'O
•1．单模速率方程及基本物理量 c @2s!bs
•2．稳态输出 Dugr{Y/0
•3. 共振频率和3dB带宽 e:NzpzI"v
•4. 载流子输运效应对带宽影响 mQo]k
•5. 开启延迟时间 |}'}TYX0 :
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 { #>@h7
•7. 自发辐射引起的噪声 )9L1 WOGi
•8. 相对强度噪声 +de.! oY
•9. 模式线宽 4i/ TEHQ
•10. 多模速率方程 ^[^u DE
<
]<++w;#+x
五.半导体激光器的基本工艺和特性 (_U&EX%
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 lyv9eM
3.激光器寿命 3ywBq9FGhp
4.激光器阈值电流的温度特性 X#+A?>Z]}<
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