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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 K.1#cf
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一. 半导体激光器的基本结构 VpD9!;S
•1.半导体双异质结构 >
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•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 2"2b\b}my
•3. 侧模控制(基侧模) ?}O\'Fa8
•4.横模控制 F|Ou5WD
•5. 动态单模半导体激光器 (m @({
•6. 波长可调谐半导体激光器 *)"`v]
•7.长波长VCSEL的进展 I]zCsT.
•8.微腔激光器和光子晶体 +A/n <VH
•9.半导体激光器材料的选择 {E>kFeg
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二.半导体光波导 =)'AXtvE
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 cn Q(
G$kh
•2. 光限制因子和模式增益 M$|^?U>cm
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 5{j1<4zxR
•4. 半导体激光器镜面反射系数 r"k\G\,%
•5. DFB激光器的藕合模理论 &i6WVNGy
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ,US]
•7. 等效折射率近似 iN=-N =
•8. 数值模拟 m+,a=sR
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三.半导体中的光跃迁和增益 8NA2C.gOZ
•1. 费米分布函数及跃迁速率 t13wQ t
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 >f74]J=V
•3.简约态密度及增益谱 yX<Sk q
•4.模式的自发辐射速率 = gOq
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•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 3 /oVl
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•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 I6zKvP8pb
•7.增益谱峰值的近似表达式 1iig0l6\m
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四. 速率方程和动态效应 A6pPx1 -&
•1．单模速率方程及基本物理量 6-j><'
•2．稳态输出 "0pu_
•3. 共振频率和3dB带宽 A^*0{F?,)
•4. 载流子输运效应对带宽影响 w%KU@ $
•5. 开启延迟时间 p^MV< }kk
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 e@w-4G(;
•7. 自发辐射引起的噪声 Xu2:yf4No*
•8. 相对强度噪声 Y{6y.F*Q#
•9. 模式线宽 `ZC_F!
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•10. 多模速率方程 lN - vFna
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 Wz;7 |UC
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 J7c(qGJI2
3.激光器寿命 3E)
X(WJY
4.激光器阈值电流的温度特性 &,JrhMr\
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