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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Z?!:=x>7m
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一. 半导体激光器的基本结构 z?) RF[
•1.半导体双异质结构 m&jt[
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &u`r E""
•3. 侧模控制(基侧模) hu*>B
•4.横模控制 h'q0eqYeu)
•5. 动态单模半导体激光器 ~aq?Kk
•6. 波长可调谐半导体激光器 ujHzG}2z
•7.长波长VCSEL的进展 Z$=$ oJzB
•8.微腔激光器和光子晶体 UeiJhH,u
•9.半导体激光器材料的选择 `q{'_\gVt(
6%hEs6-R
二.半导体光波导 -0 J<R;cVs
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 {c
EK z\RX
•2. 光限制因子和模式增益 \w\47/k{
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Ue\ oIi
•4. 半导体激光器镜面反射系数 k49n9EX
•5. DFB激光器的藕合模理论 ZYt"=\_
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 7/$Z7J!k
•7. 等效折射率近似 hE`%1j2(
•8. 数值模拟 G;#t6bk
hD.wKX?oO
三.半导体中的光跃迁和增益 L5|;VH
•1. 费米分布函数及跃迁速率 )^@V* $ D
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ScmzbD u
•3.简约态密度及增益谱 +O:pZ z
•4.模式的自发辐射速率 RuEnr7gi
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |q b92|?
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ^>}[[:( 6/
•7.增益谱峰值的近似表达式 FHPZQ C8
{.8)gVBmA
四. 速率方程和动态效应 uC ;PP=z
•1．单模速率方程及基本物理量 l8Iy 03H
•2．稳态输出 +A3\Hj&W
•3. 共振频率和3dB带宽 T1W9@9,s
•4. 载流子输运效应对带宽影响 jl% e O.
•5. 开启延迟时间 lSv;wwEg
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 @9P9U`ZP
•7. 自发辐射引起的噪声 b 6M)qt9R
•8. 相对强度噪声 >-WO w
•9. 模式线宽 4U1fPyt
•10. 多模速率方程 >N"PLSY1
(zODV4,5k`
五.半导体激光器的基本工艺和特性 }(I DPaJ
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 z`{zqP:
3.激光器寿命 o:\j/+]
4.激光器阈值电流的温度特性 | Dpfh
yFtf~8s3
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