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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 FNO
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一. 半导体激光器的基本结构 FkkB#Jk4
•1.半导体双异质结构 a
OHA G
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ,g.=vQm: ?
•3. 侧模控制(基侧模) (9%%^s]uPT
•4.横模控制 ,5WDYk-
•5. 动态单模半导体激光器 Kj 5f:{Ur
•6. 波长可调谐半导体激光器 \`x'g)z(i
•7.长波长VCSEL的进展 Fb-TCq1y#
•8.微腔激光器和光子晶体 ;I' ["k%
•9.半导体激光器材料的选择 s| oU$?eA
K.I r+S B
二.半导体光波导 sP !qv"u
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 [?2mt`g
•2. 光限制因子和模式增益 sP7 (1)\
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 a#=-Aj-
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ozG:f*{T
•5. DFB激光器的藕合模理论 1C{n\_hR
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 /0 (KKZ)
•7. 等效折射率近似 :SGQ4@BV
•8. 数值模拟
95/C 4q
g11K?3*%Q
三.半导体中的光跃迁和增益 & 2J |v#$F
•1. 费米分布函数及跃迁速率 $G[##j2
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 u1l#k60
•3.简约态密度及增益谱 R
> TtAm0N
•4.模式的自发辐射速率 Sz&`=x#
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 *k -UQLJ
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 so*7LM?ib>
•7.增益谱峰值的近似表达式 v.MWO]L
< j F <_j
四. 速率方程和动态效应 t$J -6dW
•1．单模速率方程及基本物理量 2#!D" F
•2．稳态输出 jiat5
•3. 共振频率和3dB带宽 tP9}:gu
•4. 载流子输运效应对带宽影响 gd*\,P
•5. 开启延迟时间 _]g6
3q
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 J7H1<\=cJb
•7. 自发辐射引起的噪声 %/7`G-a.B
•8. 相对强度噪声 9ccEF6o0=
•9. 模式线宽 b3ZPlLx6
•10. 多模速率方程 xAI<<[-
Kxq~,g=t
五.半导体激光器的基本工艺和特性 >. A{=?
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 @S{,g;8
3.激光器寿命 ?Gb
18m
4.激光器阈值电流的温度特性 0R.@\?bhL
T SOt$7-
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