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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 , 5&
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一. 半导体激光器的基本结构 NqC}}N\,
•1.半导体双异质结构 bQ`2ll*(
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &SMM<^P.
•3. 侧模控制(基侧模) }h A)p:
•4.横模控制 + 2#pP
•5. 动态单模半导体激光器 8a;;MJ)
•6. 波长可调谐半导体激光器 Ow 0( q^H<
•7.长波长VCSEL的进展 ra
F+Bt`
•8.微腔激光器和光子晶体 6m0- he~
•9.半导体激光器材料的选择 R^6]v`j;
W~& QcSWqD
二.半导体光波导 %Vb~}sT:
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Y;=GM:*H
•2. 光限制因子和模式增益 aw gS5We|
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 G&q@B`I
•4. 半导体激光器镜面反射系数 uCjbb
•5. DFB激光器的藕合模理论 , }B{)
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ^Sc48iDc
•7. 等效折射率近似 :M$8<03>F
•8. 数值模拟 Q"k #eEA
mW )C=X%
三.半导体中的光跃迁和增益 eC='[W<a.
•1. 费米分布函数及跃迁速率 &4m;9<8 \
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 rT'<6]`
•3.简约态密度及增益谱 }g"K\x:Z
•4.模式的自发辐射速率 ;HmQRiCg
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 K7},X01^
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果
z:d+RMA
•7.增益谱峰值的近似表达式 /mQ9} E4X
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四. 速率方程和动态效应 'ALe>\WO
•1．单模速率方程及基本物理量 g7r0U6Y
•2．稳态输出 )QB9zl:
•3. 共振频率和3dB带宽 Fq!-
%Y
•4. 载流子输运效应对带宽影响 2f2.;D5g_'
•5. 开启延迟时间 L[Y|K%;~
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 x HaoSs*C9
•7. 自发辐射引起的噪声 p><DA fB
•8. 相对强度噪声 6AKT -r.
•9. 模式线宽 oN[# C>#(
•10. 多模速率方程 l)qGG$7$
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 pbNW
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1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 { \5-b:#_
3.激光器寿命 S %(R9N|
4.激光器阈值电流的温度特性 W C3b_ia
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