| lilili1 | 2015-07-29 15:45 |
LED封装器件的热阻测试及散热能力评估LED灯具作为新型节能灯具在照明过程中只是将30-40%的电能转换成光，其余的全部变成了热能，热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装器件的热阻。一般，LED的功率越高，LED热效应越明显，因热效应而导致的问题也突显出来，例如，芯片高温的红移现象；结温过高对芯片的永久性破坏；荧光粉层的发光效率降低及加速老化；色温漂移现象；热应力引起的机械失效等。这些都直接影响了LED的发光效率、波长、正向压降以及使用寿命。LED散热已经成为灯具发展的巨大瓶颈。 为了帮助客户了解产品，克服行业瓶颈，评估LED封装器件的散热水平，金鉴检测LED品质实验室专门推出“LED封装器件的热阻测试及散热能力评估”的业务。 服务客户：LED封装厂、LED灯具厂、LED芯片厂、器件代理商 服务内容： 1．封装器件热阻测试 2．封装器件内部“缺陷”辨认 3．结构无损检测 4．老化试验表征手段 5．接触热阻测试 6．热电参数测试 包括：（1）电压温度变化曲线；（2）光通量温度变化曲线；（3）光功率温度变化曲线；（4）色坐标温度变化曲线；（5）色温温度变化曲线；（6）效率温度变化曲线。 金鉴检测应用举例 1．封装器件热阻测试 （1）测试方法一： 测试热阻的过程中，封装产品一般的散热路径为芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料。  侧面结构及散热路径 金鉴检测根据测试，可以得出如下述的热阻曲线图，可读出测试产品总热阻（整个散热路径）为7.377K/W。该方法测试出的热阻需根据测试样品的结构，判定曲线中的热阻分层，获得封装器件的准确热阻。该方法更适合SMD封装器件。  热阻曲线图 （2）测试方法二： 与方法一不同，该方法需经过两次热阻测试，对比得出的热阻，可精确到器件基板外壳，无附带测试基板数值。 两次测试的分别：第一次测量，器件直接接触到基板热沉上；第二次测量，器件和基板热沉中间夹着导热双面胶。由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳之外，因此结构函数上两次测量的分界处就代表了器件的壳。如下图所示的曲线变化，可得出器件的精确热阻。该方法适合COB封装器件。  多次测试的热阻曲线对比图 常规的，芯片、支架或基板、测试辅助基板或冷板这三层的热阻和热容相对较小，而固晶层和导热连接材料的热阻和热容相对较大。 如下面结构函数显示，结构函数上越靠近 y 轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构，而越远离 y 轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。积分结构函数是热容—热阻函数，曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构，陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。微分结构函数中，波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处，便于识别器件内部的各层结构。在结构函数的末端，其值趋向于一条垂直的渐近线，此时代表热流传导到了空气层，由于空气的体积无穷大，因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间的 x 值就是结区到空气环境的热阻，也就是稳态情况下的热阻。  热阻曲线的两种结构函数 2．封装器件内部的“缺陷”  固晶层内部缺陷展示  固晶层缺陷引发的热阻变大 3．结构无损检测 同批次产品，取固晶层完好、边缘缺陷以及中间缺陷的样品测试。固晶完好的固晶层应为矩形，而边缘和中间存在缺陷，则固晶层不规则，下图两种缺陷的图片。  固晶缺陷示意图  固晶缺陷热阻值对比 4．老化试验表征手段 下图为一个高温高湿老化案例中同一样品不同时期的热阻曲线。  老化后的热阻漂移现象 5．接触热阻的测量 随着半导体制造技术的不断成熟，热界面材料的热性能已经成为制约高性能封装产品的瓶颈。接触热阻的大小与材料、接触质量是息息相关的。常规的接触材料或方式有：(1)导热胶；(2)导热垫片；(3)螺钉连接；(4)干接触。下图为对于接触热阻的一次专门测试。  不同接触方式的热阻 6．热电参数特性举例  电压温度曲线 由上图可见，随着温度的上升，该样品LED的电压呈线性递减。  光通量温度曲线 由上图可见，随着温度的上升，该样品LED的光通量呈线性递减。  色坐标漂移曲线 由上图可知，随着温度的上升，该样品LED的色坐标会往高色温方向漂移。
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