LED银胶剥离、银胶开裂、银胶分层、Vf过高失效案例集锦

案例分析（一）：
某公司的LED灯珠可靠性出现问题，通不过LM-80认证，委托金鉴查找失效原因。金鉴通过对不良灯珠作解剖分析，发现固晶胶出现严重的分层现象，即树脂沉在下面，银粉浮在上面，与基板接触的不是银粉，而是树脂，这样会增加灯珠的热阻，降低产品的可靠性。我们建议该公司加强对胶水的来料检验，规范胶水的使用工艺。
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案例分析（二）：
某客户灯珠出现死灯现象，委托金鉴分析原因。金鉴对灯珠解剖分析发现导电银胶存在分层现象，部分银粉沉入到底部，形成致密的一层。银微粒含量过高，被连结树脂所裹覆的几率低，固化成膜后银导体的粘接力下降，出现开裂现象，电性不再提高，电阻值增大，进一步影响芯片散热，如此恶性循环后，最终导致固晶层与支架之间完全剥离，导电通路被断开，并造成灯珠死灯失效。我们建议客户加强银胶的来料检验，规范银胶的使用工艺。
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案例分析（三）：
某客户的灯珠出先Vf过高的现象，委托金鉴查找失效原因。金鉴对导电银胶做来料检验，发现银胶的体积电阻率过高是此次失效的原因。

案例分析（四）：
某客户用硅胶封装，导电银胶粘结的垂直倒装光源出现漏电现象，委托金鉴查找原因。金鉴通过对不良灯珠分析，在芯片侧面检测出异常银元素，并可观察到银颗粒从底部正极银胶区域以枝晶状延伸形貌逐渐扩散到芯片上部P-N结侧面附近，因此金鉴判定不良灯珠漏电失效极有可能为来自固晶银胶的银离子在芯片侧面发生离子迁移所造成。银离子迁移现象是在在产品使用过程中逐渐形成的，随着迁移现象的加重，最终银离子会导通芯片P-N结，造成芯片侧面存在低电阻通路，导致芯片出现漏电流异常，严重情况下甚至造成芯片短路。银迁移的原因是多方面的，但主要原因是银基材料受潮，银胶受潮后，侵入的水分子使银离子化，并在由下到上垂直方向电场作用下沿芯片侧面发生迁移。因此金鉴检测建议客户慎用硅胶封装、银胶粘结垂直倒装芯片的灯珠，选用金锡共晶的焊接方式将芯片固定在支架上，并加强灯具防水特性检测。
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