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newopto 2014-11-13 15:07

新势力光电供应压力传感器芯片

新势力光电供应压力传感器芯片，采用高级电阻传感技术（STARe, Sensor Technology for AdvancedResistors），特点：稳定性高、适用于恶劣环境，该系列压力传感器芯片应用：腐蚀性、流动性、油性环境下的高精密压力传感测量，包括：汽车制造、工业、医疗、大型家电。 s.}:!fBk  
+qF,XJ2  
M^A;tPw  
Type		 ;}4e+`fF|  
Pressure		 +7)/SQM5  
Min		 GZFLJu  
Typ		 f9E.X\"  
Max		 Lr(wS {  
Unit
F>3fP  
The Pressure sensor chips are based onthe STARe (Sensor Technology for Advanced Resistors)
dG]s_lb9H  
Standard Line STARe, Piezoresistive chipsfor pressure measurements of 1 to 30 bar
j~9,Ct  
SL21K-100k-A/GXX		 1T7;=<g`  
100 kPa		 \?.M1a[  
40		 O~g0R6M6e  
70		 nr9c G/"  
130		 RE:$c!E!  
mV@5V
] i\a[3  
SL21K-250k-A/GXX		 m`ab5<%Gn  
250 kPa		 t3$+;K(  
60		 Ne,u\q3f  
100		 lhV'Q]s@6  
140
aib)ItNb  
SL21K-500k-A/GXX		 QVrMrm+vRv  
500 kPa		 ze%)fZI0f  
60		 J $<g" z3  
100		 3UX})mW  
140
s*pgR=dZZ  
SL21K-01M0-A/GXX		 S)\%.~ n  
1.0 MPa		 $lrq*Nf9c  
60		 }h)[>I(  
100		 ]hkway  
140
Aa/lKiiz  
SL21K-03M0-A/GXX		 R'r^v  
3.0 MPa		 |LDo<pE*V4  
60		 nK9A=H'Hc  
100		 S}*%l)vfR  
140
KuO5`  
Industrial Line STARe, Piezoresistivechips for pressure measurements of 100 mbar to 400 bar
PUViTb  
IL20L-10k0-GXX		 ` 5Qo*qx  
10 kPa		 (yel  
30		 8.Ty ,7Z  
60		 ]jS+ItL@  
120		 ojH-;|f  
mV@5V
AiO29<  
IL20L-35k0-A/GXX		 sf5koe  
35 kPa		 q,a|lH  
40		 3E361?ubM  
100		 UujFZg[-P9  
160
pJ#R :#P  
IL20M-03M0-A/GXX		 ,2%>e"%  
3.0 MPa		 b1;80P/:D  
60		 29#;;n}p  
100		 v(t?d  
140
ATU 2\Y  
IL20M-100k-A/GXX		 $u9y H Z  
100 kPa		 8Mq] V v  
60		 LPk85E  
100		 i=<N4Vx  
140
h&vq}  
IL20M-250k-A/GXX		 BjR:#*<qD  
250 kPa		 r,x;q  
60		 +'x`rk  
100		 HBL)_c{/O  
140
$CVbc%  
IL20M-500k-A/GXX		 {=> <@]N  
500 kPa		 9)QvJ87e@7  
60		 <Ep-aRI  
100		 |T9p#) ec2  
140
iCIu]6  
IL20M-01M0-A/GXX		 ~J6c1jG  
1.0 MPa		 ;Q2p~-0Q  
60		 ?K/z`E!xhN  
100		 :r[`bqC;\*  
140
&Fl^&&1C  
IL20M-10M0-A/GXX		 % ;2x.  
10.0 MPa		 y@G5I>v  
200		 *"Ipu"G5?  
250		 ?zNv7Bj  
300
-C5Qh&~W  
IL20M-40M0-AXX		 !G#3jh:kiY  
40.0 MPa		 GjA;o3(  
230		 y?M99Vo4?  
290		 g/4.^c  
350
d3(T=9;f2  
High Stability Line STARe, Piezoresistivechips for pressure measurements of 60 mbar to 400 bar
`W8GfbL  
HS20V-06k0-A/G/D05		 +aV>$Y  
6 kPa		 0bpl3Fh.v  
60		 '@Y@H,  
100		 gRKmfJ*u  
140		 >"S'R9t  
mV@5V
y2^r.6"O  
HS20V-10k0-A/G/D05		 G;MgrA#\  
10 kPa		 _'dsEF  
60		 1DGVAIcD  
100		 K,^{|5'3q  
140
e4ajT  
HS20L-35k0-A/G/DXX		 Srz.-,2PF  
35 kPa		 &S<tX]v  
60		 s0.yPA  
100		 t@!X1?`w  
140
>\$qF  
HS20L-100k-A/G/DXX		 w-|i8%X  
100 kPa		 u /cL[_Q  
60		 6A/Nlk.  
100		 cu|#AW  
140
\A5cM\-  
HS20M-250k-A/G/DXX		 >wM%|j'  
250 kPa		 =[?2'riI  
60		 yc4mWB~gyU  
100		 ?ae:9ZcH  
140
xue-5 '  
HS20M-500k-A/G/DXX		 ZqkP# ]+Y'  
500 kPa		 rFn;z}J2  
60		 'sY>(D*CQ  
100		 Hv<%_t_/  
140
PT|^RF%fT  
HS20M-01M0-A/G/DXX		 OgS6#X  
1.0 MPa		 *6q8kQsz^1  
60		 +:~&"U^ z&  
100		 {`KgyC W:  
140
C_PXh>H]'  
HS20M-03M0-A/G/XX		 _jK\+Zf  
3.0 MPa		 HPCgv?E3  
60		 o~gduNG#  
100		 ]<4Yor}t{;  
140
|RwD]2H  
HS20M-10M0-A/GXX		 DhY9)>4M  
10.0 MPa		 rc*&K#? B  
200		 (Y'rEc#H&z  
250		 >;HbD p  
300
Q]w;o&eo  
HS20M-20M0-A08		 {mw,U[C  
20.0 MPa		 ?qw&H /R  
60		 1B6Go  
100		 e&7GW9FSg  
140
FI*.2rdSR  
HS20M-40M0-A08		 TpZ) wC  
40.0 MPa		 o]MQ)\ r  
60		 7-w +/fv  
100		 ?Hf^& yo  
140
y*\ M7}](  
Harsh Environmental Line, Piezoresistivechips for pressure measurements of 2 bar to 16 bar
GfJm&'U&  
HE11C-200K-AXX		 %6L!JN  
200 kPa		 A,lcR:@w  
60		 d<V+;">2  
100		 KHcf P7  
140		 M$%aX,nk'  
mV@5V
68Wm=j.m  
HE11C-400K-AXX		 . ~G>vVb  
400 kPa		 )+oDa{dZ  
60		 Trbgg  
100		 qp  
140
kdQ=%  
HE11C-800K-AXX		 =NF},j"  
800 kPa		 6O$OM  
60		 0$}+tq+  
100		 \0(QO8.  
140
r&1N8o  
HE11C-01M6-AXX		 @XDU !<N  
1.6 MPa		 sTeL4g|%{  
60		 u~1[nH:  
100		 u+[ZWhKUp  
140
<R*.T)Z1  
3r+vpyu  
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