我国著名半导体器件物理学家王守武院士去世
从中科院半导体研究所、中科院微电子研究所获悉,我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效,7月30日在美国逝世,享年95岁。 mQRQ2SN6 %w
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王守武,出生于1919年3月15日,半导体器件物理学家,江苏苏州人。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1978年起,带领科技人员研究用国产的工艺设备和原材料,提高大规模集成电路的成品率。1979年获全国劳动模范称号。1980年当选为中国科学院院士。 s1,kTde \;0J6LBc
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