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2006-08-05 13:50 |
转贴,大家一起学习: I 3$dVls} cgT 什么是LCOS )"<8K}%! $l[Rh1z`;+ LCOS(Liquid Crystal on Silicon)属于新型的反射式micro LCD投影技术,其结构是在矽晶圆上长电晶体,利用半导体制程制作驱动面板(又称为CMOS -LCD),然后在电晶体上透过研磨技术磨平,并镀上铝当作反射镜,形成CMOS基板,然后将CMOS基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合,再抽入液晶,进行封装测试。 3$/ 4wH^ 7hw .B'7 简单来说,LCOS是直接与映像管(CRT)投影技术、高温多晶矽液晶(Ploy-Si LCD)穿透式投影技术、DMD(Digital Micromirror Device)数位光学处理(DLP; Digital Light Projector)反射式技术相关。这三项技术已发展成熟,但LCOS则成为投影显示技术的新主流。 Ol/N}M|3 E6MA?Ax&= LCOS技术借硅基CMOS集成电路技术,在单晶硅片上CMOS阵列取代a一Si TFT LCD中玻璃基板上a一Si TFT阵列,相比之下前者生产技术更成熟,还有单晶硅迁移率远高于a一Si迁移率,因此不仅适合于高密度、高分辨率、高开口率显示,而且可以周边驱动电路集成一体,甚至可以集成信息处埋系统。 AMCyj`Ur U5r}6D!) 省电、便宜与高解析度为LCOS最大优点 \_BkY%a {6Au3gt/ LCOS可视为LCD的一种,但传统的LCD是做在玻璃基板上,但LCOS则是长在矽晶圆上。和LCOS的相对比的产品,最常用在投影机上的高温多晶矽LCD为代表。后者通常用穿透式投射的方式,光利用效率只有3%左右,解析度不易提高;LCOS则采用反射式投射,光利用效率可达40%以上,且其最大的优势是可利用最广泛使用、最便宜的CMOS制程,毋需额外的投资,并可随半导体制程快速的微细化,易于提高解析度。反观高温多晶矽LCD则需另投资设备,且属于特殊制程,成本不易降低。 g P}+wbk E-2eOT LCOS技术特性 =:I+6PlF@ kLP0{A 与穿透式HTPS-LCD及DLP相比,LCOS具有下列优势: _^ |2}t nv/[I,nw 光利用效率高:LCOS与LCD投影显示器类似,主要的差别就是LCOS属反射式成像,所以光利用效率可达40%以上,与DLP相当,而穿透式LCD仅有3-10%而已。
%Y nmuZ jLVl4h& 体积小:LCOS可将驱动IC等外围线路完全整合至CMOS基板上,减少外围IC的数目及封装成本,并使体积缩小。 )%Iv[TB[ iz[gHB 分辨率高:由于LCOS的晶体管及驱动线路都制作于硅基板内,位于反射面之下,不占表面面积,所以仅有像素间隙占用开口面积,不像穿透式LCD的TFT及导线皆占用开口面积,故理论上LCOS不论分辨率或开口率都会比穿透式LCD高。分辨率普遍达到SXGA等级(1280×1024) WcUJhi^\C YTaLjITG 制造技术较成熟:LCOS的制作可分为前道的半导体CMOS制造及后道的液晶面板贴合封装制造。前道的半导体CMOS制造已有成熟的设计、仿真、制作及测试技术,所以目前良率已可达90%以上,成本极为低廉;至于后道的液晶面板贴合封装制造,虽然据说目前的良率只有30%,但由于液晶面板制造已发展得相当成熟,理论上其良率提升速率应远高于DMD芯片,所以LCOS应比DLP更有机会取代穿透式HTPS-LCD成为投影显示技术的主流。
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