讯技光电SimuLase(TM)半导体建模软件
SimuLase™是第一款允许用户在最新半导体中建模的软件工具,这是一个潜能全微观主体模型,允许确定/预测必要的电光特性,如增益/吸收折射率,自发辐射(发光图像),由于辐射导致的载波损耗和Auger损耗等,删除fir-parameter后可以达到前所有未有的精度。 n.@HT" wh(_<VZ 基于微观计算属性的工具也可以计算宏观特性,例如横向和纵向场光模式,反射和光传输谱,表面-PL光谱等,通过修改无损耗材料PL参数,考虑其腔效应,阈值电流或V(E)CSEL结构操作特性。Simulase也允许将实验结果与和理论值进行简单的比较,潜能微观主体模型的突破性特点已在大量的同行评议期刊中有证明。 ?;l@yx A}lxJ5h0 [attachment=52871] |"}rdOV) L -Q8iFW' [attachment=52872] Gsh9D oL]uY5eZoe SimuLase™提供: X(tx8~z =K:[26 正确的基本输入,在开启任何可信赖设备时,需要设定其初始输入点,这个数据可以很容易地导入到其他商业软件工具中,作进一步调研; Z#}sK5s 易操作的GUI,可以确定很多结构的基本特性,而不需要任何实验反馈; N}5 S})f`X9_} 实验验证模型,在过去的二十年间,实验证实的模型已经在同行评审期刊上发布了五十多篇文章; `dm*vd I7_lKr3 即便您不是微观行业的专家,也可以充分利用这个工具的优势。SimuLase™在自动设计结构时,可以显示所有参数,并充分利用微观模型的fit-parameter优势,允许更改计算参数或使用简化的模型。 !/,oQoG {|oWU8.l SimuLase™工具: Bv7FZK3 _|\X8o_ SimuLase_Designer™ gs1yWnSv5 G/JGb2I/7| SimuLase_Analyzer™是SimuLase的用户界面(GUI),允许显示和分析SimuLase建立结构的增益分布数据,或从NLCSTR中购买作为咨询协议的一部分。 Zv}F?4T~: b"X1 SimuLase™允许: +[
?!@) -. *E<% 在不关闭任何信息的情况下,自己设置GainDatabases; +=/j+S` dCo)en 用集成的SimuLase_Analyzer™分析数据; Il&FC &S(>L[)9 以前所未有的精度和易用性设计、分析和优化设备; :? )!yI L--
t(G 你可以在这里下载一个免费的SimuLase™试用版以及它的使用手册或快速入门指南。 J%"5?)[z NlF*/Rs SimuLase™对下列材料组是有现成的: -,/7u3 bqH
[-mu6 AlInGaAsP,包括: GaAs, AlAs, InAs, GaP, AlP, InP, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, InxGa1-xP, GaAsxP1-x, InAsxP1-x, AlxGa1-xP, InxGa1-xAsyP1-y, AlxGa1-xAsyP1-y, In1-x(AlyGa1-y)xP j)/Vtf |"K%Tvxe (x, y在0.0和1.0之间). c(1tOQk. G$a@}9V AlInGaNAs, (dillute Nitride) 包括:GaAs, AlAs, InAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, GaNzAs1-z, InxGa1-xNzAs1-z &/[MWQ N?m)u,6-l (x, y在0.0 和 1.0之间,z 在0.0和0.2之间). "iEnsP@'Wg ]0'cdC 即将推出: KGDN)@D 6)sKg{H AlInGaN. _b8KK4UR Vl+UC1M}B> 所有的版本包含金属层(现在是Ti, Cr和Au)和介电层 (目前是Si3N4, Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2,和Y2O3). 其它金属和膜层在索取时可以纳入进来(不需要额外费用)。你可以订购SimuLase™之前提到的材料组以外的材料或自定义的混合物。
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