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cxc0816	2013-10-13 16:52
求助各位镀膜工程师前辈镀增透膜后的基底就像有一层雾一样是什么原因，望各位前辈给小弟解答一下（多层膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） ii2Z}qe 还有在镀多层膜过程中，是否要对基底经行全程烘烤以便保持基底温度，镀膜时间大约持续1小时

中国镀膜人	2013-10-13 21:50
镀灰了！找机器毛病

cxc0816

2013-10-15 09:36

中国镀膜人:镀灰了！找机器毛病 (2013-10-13 21:50) \KXEw2S

能讲解的详细点儿吗，应该从机器的什么方向改进，从温度，真空度，还是电子枪蒸发速度，这个膜系制备过程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸发速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，还有在镀膜全过程中是不是要求烘烤装置全程打开对基底进行加热。

yzhuang	2013-10-16 09:11
烘烤不能停，一停温度就下降很快的，还有如果没有离子源镀膜温度要接近３００度，因为ＭＧＦ２材料容易脱膜，还有你的真空度太低了，应该不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，这个材料组合可能不合适

cxc0816

2013-10-20 21:36

yzhuang:烘烤不能停，一停温度就下降很快的，还有如果没有离子源镀膜温度要接近３００度，因为ＭＧＦ２材料容易脱膜，还有你的真空度太低了，应该不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，这个材料组合可能不合适 (2013-10-16 09:11) Zt2@?w;

对于这个膜系我用经典四层膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072） zro2（0.5） mgf2（0.25））做了一些代替并且在mgf2外层又加镀了10nm左右的sio2作为保护层，但是真空度就是控制的不好，请问您，在镀膜过程中有没有一些常用的方法能控制好真空度的数值。ps：我们现在镀膜所采用的蒸发速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

hongtaoliu	2013-10-20 21:57
你ZRO2镀的不慢吗？你的工艺存在问题。 ls7A5 <

中国镀膜人	2013-10-21 23:13
1,、测温度。无离子源不能低于300，镀完膜再关烘烤。 qZsddll 2、真空度太低，必须5.0E-3以下，最好3.0E-3 h4\6h 3、蒸发速率。ZrO2太慢，MgF2有点快，3-5埃/s 'b?.\Bm; 4、氧化物需要充氧

27676995	2013-10-30 22:42
我觉得是基底的原因吧打底材料部合适出现白晕膜吧

flyinlove79	2013-11-16 23:02
6楼说的不错，再一个问题要看看基底有没有清洁干净。

luffy17520	2013-11-21 15:43
zro2 速率调到3 u1{ym_ 加热不能停 "I}Z2 是否使用离子源，使用的话真空度保持在1.0E-2以下把 <h_P+ nz 镀mgf2 需要加热300度从一开始到镀膜结束一直需要这个温度

luopr

2014-02-13 16:47

老兄你这个问题解决了吗？
对于你这个问题你主要提的外观问题，没有膜层性能不良问题。我观点分析如下：
1.如果是镀mgf2时钟罩的温度不够容易产生脱膜。
2.如果真空度不够膜层容易出现膜强度弱，即擦拭就会造成划痕。
3.如果是镀膜硬件和镀膜工艺问题的话，首当其冲的是性能不量.
4.直接造成产品外观不量的问题主要还是玻璃片镀膜前的洁净度不够，即有脏污残留。此残留一般是肉眼不容易检查的残留。且不影响镀膜后产品的指标和性能。
5.如果是产品洁净度问题，外观上一般产生局部性发雾，或同一炉产品有一部分轻微，一部分严重，也可以出现良品。如果是设备和工艺问题就会出现外观不良状态的均衡性。即不良的样子都一样，且全部都是，不分轻重。
希望能够对你有帮助，镀膜和清洗工艺交流可以联系我：13620221452 QQ294955027

rollo_tomasi	2014-04-01 14:01
Al2O3的速率：3A/s ^[,s_34V ZrO2的速率：3A/s ^~6]0$yJ MgF2的速率：6-8A/s `<}V !Lo 烘烤温度：300℃左右，从关门到镀完MgF2，不要停 ?S&w0}R 可以不用离子源， @\T;PTD- 可以不充氧气

raofengxiang	2014-05-18 10:27
建议用LaTiO3和MgF2

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