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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 Ayv:Pv@  
jJNl{nyq  
0v9i43[S|J  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： !Q<3TfC  
6rWq hIaI  
It/hXND `  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 $aB`A$'hK  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） 'p\&Mc_Gu  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） isy[RAP<  
    高损伤阈值 Gc*=n*@^K  
    可精确控制相位延迟 |pbetA4&  
I$x<B7U  
gR gB= C{  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 #@5VT* /7  
_V e)M%  
Gd`7Tf)'  
z C$F@  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 -5]lHw}  
4p+Veo6B  
"PWGtM:L8Y  
ZR0 OqSp]  
应用举例： ;I80<SZ  
)F\kGe  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf u|.|dv'mbp  
@$L|   
r#_0_I1[  
lj8ficANo  
6[RTL2&W  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： ]q4LN o  
y1~ QKz  
7fzH(H  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 .@EzHe ^W  
:w Y%=  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 Z%LS{o~LK.  
,3eN&  
WlY\R>x#  
4 #KC\C  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 7J`v#  
xh CQ Rw  
iRcac[uV  
GUM-|[~  
TABLE 1 Wd(|w8J{a  
   8 $H\b &u  
   [+CFQf>  
VKu_ l  
SPECTRAL REGION bA$ElKT  
SERIES 7mv([}Va  
MATERIAL >gq=W5vN(  
IG;= |  
Vacuum UV, UV EbVC4uY  
I -kP2Brm  
Lithium Fluoride Q>;Aq!mr=  
j jv'"K2  
Vacuum UV to mid-IR [; $:Lr  
I,II Y#-c<o}f  
Calcium Fluoride ;9fWxH  
>b#CR/^z  
Vacuum UV to near-IR g2}aEfp!H  
I,II WLh!L='{BK  
Fused Silica e.(d?/!F_  
 ]SL+ZT  
Mid-visible to mid-IR q3-cWfU  
II +!`$(  
Zinc Selenide SX =^C  
;Z;` BGZJ  
Near- to mid-IR Eg&Q,dH[  
II ]d%Ou]609  
Silicon 'Cz]p~oF  
e$Y7V  
?v F8 y;Jh  
6 !fq658  
wa&:86~l?  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 Dk")/ ib  
Oq3t-omXS  
V1G5Kph  
6"rS?>W/mO  
nHfAx/9!  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 Sn.I{~  
ygQAA!&']  
u V'C_H  
u`-:'@4  
l#w0-n%S  
6/(Z*L"~6k  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） ^Ga_wJP8S  
1.~^QH\p?3  
rXe+#`m2  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 4`r-*Lx  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 5$$]ZMof  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 Ur""&@  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 {@-tRm&  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH oK"#*n  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 Q2@yUDd!  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds :4"b(L  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 Nk F2'Z{$+  
1ahb:Mjv  
w %6 L"  
j{/wG::  
基本指标 W%9"E??c  
g J$m'kC;  
j2n 4; m  
Model oOQ0f |MGp  
Optical Material 9!D c=  
Nominal =A"z.KfV  
BT5~MYBl  
Frequency o 7&q  
Retardation Range oT}Sh4Wt.  
Useful zfGr1;  
)f%Q7  
Aperture1 bGB5]%v,  
-PiZvge  
Quarter Wave lJ4/bL2I/  
Half Wave p!K]c D  
~~WX#Od*$  
I/FS50 7{=+Va5  
Fused Silica s! sG)AR.J  
50 kHz :Ui'x8yt  
170nm - 2μm ;AarpUw'  
170nm - 1μm #)KQ-x,  
16mm .ldBl  
ob(~4H-  
I/FS20 FWyfFCK  
Fused Silica Vvl8P|x.<  
20 KHz qNbgN{4  
170nm - 2μm FOX0  
170nm - 1μm L0xh?B  
22mm d1d:5 b  
LO ,k'gg<  
I/CF50 5 |oi*b  
Calcium Fluoride ]LSlo593  
50 kHz /KCIb:U  
130nm - 2μm mDIN%/S'  
130nm - 1μm G\S_e7$ /  
16mm Dt+u f5o(  
fu`|@S  
II/FS20A \MmKz^tO  
Fused Silica 6 Zv~c(   
20 kHz YoRD9M~iG~  
170nm - 2μm "NO*(<C.R  
170nm - 1μm f1/i f:~6  
56mm f<2<8xS  
Csx??T_>r  
II/FS20B ,6^V)F  
Fused Silica _ ~E_#cNn  
20 kHz ~^"s.Lsb  
1.6μm - 2.6μm T Z@S?r>^  
800nm - 2.5μm 1?ST*b  
56mm BQ77 n2(@  
::G0v  
II/FS42A #N|A@B5 x  
Fused Silica Gv }~  
42 kHz \ >|:URnD  
170nm - 2μm 'tzN.p1O  
170nm - 1μm aboA9pwH  
27mm ;!/g`*?  
ndB*^nT  
II/FS42B +K*_=gHF.  
Fused Silica F%e5j9X`  
42 kHz V]A*' ke/  
1.6μm - 2.6μm $t42?Z=N&z  
800nm - 2.5μm u69s}yZ  
27mm $3 ~ /H"K  
X0gWTs  
II/FS47A G[[<-[C]5  
Fused Silica ++M%PF [ {  
47 kHz  ,L7:3W  
170nm - 2μm %(n^re uP  
170nm - 1μm _8nT$!\\  
24mm E,:E u<  
0@PI=JZ%  
} {m.\O  
e't1.%w  
II/FS47B p3z%Y$!Tm  
Fused Silica ^6I8a"  
47 kHz  8&KqrA86  
1.6μm - 2.6μm 0w ] pDj  
800nm - 2.5μm cvl1 X"  
24mm _i+7O^=d6X  
- -H%FYF`  
II/FS84 92S,W?(  
Fused Silica QF`o%mI  
84 kHz i$W=5B>SO  
800nm - 2.5μm rpO>l  
400nm - 2.5μm #sp8 !8|y  
13mm 9\D0mjn=l  
b_j8g{/9  
II/IS42B 0ud>oh4WPR  
Fused Silica ,}_uk]AQ  
42 kHz /0I=?+QSo  
1.6μm - 3.5μm xKC{P{:  
800nm - 2.5μm ac??lHtH9  
27mm U/I+A|S[  
\H5{[ZUn  
II/IS84 sOLR*=F{  
Fused Silica [E/}-m6g  
84 kHz ^L;k  
800nm - 3.5μm F|t_&$Is?  
400nm - 1.8μm _ 0Ced&i  
27mm KdB9Q ;  
z@n779i  
II/CF57 `OmYz{*r  
Calcium Fluoride fKZgAISF  
57 kHz [e+$jsPl  
2μm - 8.5μm ngHPOI16  
1μm - 5.5μm Nt#a_  
23mm nzK"eNDN.  
gELb(Y\ak  
II/ZS37 \9t6 #8  
Zinc Selenide 86,$ I+  
37 kHz !%{s[eO\  
2μm - 18μm k_<8SG+`  
1μm - 9μm hu+% X.F4  
19mm d~b#dcv$"  
N>}2&'I  
II/ZS50 h*GU7<F:a  
Zinc Selenide DfQD!}=  
50 kHz ]\t+zF>&Y  
2μm - 18μm XUyoZl?  
1μm - 10μm Ew kZzVuX  
14mm xz$S5tgDQK  
d4#Ra%   
II/SI40 z.7'yJIP#  
Silicon _ooSMp|  
40 kHz (\6R"2  
FIR - THz axW4 cS ?  
FIR - THz Q5s?/r  
36mm SAEV "  
aab?hR  
II/SI50 0w_2E  
Silicon `1[GY){?)  
50 KHz {PCf'n  
FIR - THz 'Na/AcRdg  
FIR - THz k5@_8Rc  
29mm tyLR_@i%%  
S-Y(Vn4  
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