昊量光电 |
2012-08-23 10:15 |
光弹调制器
美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。光弹调制器(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,光弹调制器(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时光弹调制器(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 hE D}h![ S&wMrQ `g=J%p 光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括: i>`%TW:g 4SxX3Fw AO4U}? 非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率 ~!d\^Z^i 超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°) +Mb.:_7' 波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ) kS);xA8s] 高损伤阈值 lukB8 可精确控制相位延迟 eu-*?]&Di d7;um<%zn cKI9#t_ PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。 194)QeoFw C ;W"wBz9 <)H9V-5aZ b2Fe<~S{ 需要进一步了解关于光弹调制器原理,请点击这里 oJz^|dW N:/D+L +~$ ]}% aeJHMHFc 应用举例: B~ GbF*j 5|s\*bV` 光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf T.BW H2gRP ![=yi
tB *])
`z8Ox K+3=tk]W9u G5 WVr$ Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列: ^\=`edN 0
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@ VlsnL8DV Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Wd:uV ;4|15S Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 }Zn} S4z;7z(8+ c-5)QF) z +=</&Tm Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 2fd{hJDq;5 YN F k 9W2Vo [( on`3&0,. TABLE 1 ^u ~Q/4 ;HO= E ~<JC"] oZ|\vA%4^ SPECTRAL REGION 8<Av@9 *} SERIES %IWPM" MATERIAL 2c*GuF9(0 H* *Xu;/5@ Vacuum UV, UV lt8|9"9< I XW]tnrs Lithium Fluoride M .mfw#* vl:KF7:#m Vacuum UV to mid-IR Ad_hKO I,II XXa|BZ1RX Calcium Fluoride (f"4,b^] "^%cJAnLX Vacuum UV to near-IR h2d(?vOT I,II o>pJPV Fused Silica ZD{LXJ{Vm $xN|5;+ Mid-visible to mid-IR vr=#3> II Lp9E:D-> Zinc Selenide J)-x!y> &tj!*k' Near- to mid-IR k9L;!TH~1K II ]c'A%:f< Silicon 3[*}4}k9 5=ryDrx Y}wyw8g/ oOFVb5qoFU 4o[{>gW 相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。 G"A#Q" F:S}w k8zI(5.> UkFC~17P oEpFuWp%A 八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。 Zj'9rXhrM1 *s3/!K yJIscwF p4Z(^+Aa cw
<l{A qJ-/7-$ ^ 可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师) sRb9`u=) ^U/O!GK |`FY1NN
增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 )vlhN2iv 请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 7b+6%fV 无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉 A@#E@;lm 特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 a d\ot#V 特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH xskz)kk 特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 N?8!3&TiV 真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds j1<Yg,_.p 磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中 <:CkgR$/{ P.DK0VgY (/$^uWj }x,S%M- 基本指标 \Vk:93OH21 {M)Nnst"~ s5.CFA Model #w=~lq)9 Optical Material yB!dp;gM{ Nominal |w3M7;~eF m]&SN z= Frequency
v"0J&7!J Retardation Range 3OB"#Ap8< Useful C,eu9wOT dc'Y`e Aperture1 qxc[M8s # f\rt
Quarter Wave [#iz/q~} Half Wave N$tGQ@
5mR 1@ I/FS50 ia?
c0xL Fused Silica 2fS:-
8N 50 kHz h2QmQ>y" 170nm - 2μm fN2lLn9/u 170nm - 1μm G!yPw:X 16mm cz$2R bI`g|v I/FS20 19] E 5'AI Fused Silica }-2|XD%] 20 KHz s#GLJl\E_P 170nm - 2μm l+b~KU7~l 170nm - 1μm {4PwLCy 22mm Pzem{y7Ir ;F Eqe49 I/CF50 ~>XxGjxe Calcium Fluoride GtHivC 50 kHz Alq(QDs 130nm - 2μm 1E$|~ 130nm - 1μm H;"4C8K7 16mm V.2_i* phz&zlD II/FS20A 5-A\9UC*@ Fused Silica 'hf8ZEW9' 20 kHz "wc<B4" 170nm - 2μm -n;}n:wL 170nm - 1μm 4Po_-4 56mm 8cQ'dL`( d d;T-wa} II/FS20B cc3 4e Fused Silica LH6vLuf 20 kHz W_ZJ0GuE( 1.6μm - 2.6μm T^q
0'#/ 800nm - 2.5μm FiU#T.`9' 56mm A %-6`> fc@A0Hf II/FS42A B7%U_F|m Fused Silica WEpoBP
CL 42 kHz ?X;RLpEc|A 170nm - 2μm -F>jIgeC2v 170nm - 1μm =R\]=cRbg 27mm eDB ;cN S
tyfB II/FS42B &.ACd+Cd Fused Silica \j.:3Xr 42 kHz w#J2 wS 1.6μm - 2.6μm ?%kV?eu' 800nm - 2.5μm \Og+c% 27mm y> (w\K9W J8~haim II/FS47A 'f|o{ Fused Silica zMJT:7*`| 47 kHz .sA.C]f 170nm - 2μm uIrG* K 170nm - 1μm U;I9 bK8 24mm 0(btA~'* JN6B~ZNf @|)Z"m7 ^W@5TkkBQq II/FS47B Ct|A:/z( Fused Silica 4/)k)gLI 47 kHz J-4:H
gx 1.6μm - 2.6μm l+0P 800nm - 2.5μm 3N:D6w-R 24mm |Ds=)S"
K Qei"'~1a II/FS84 ]N[ 5q=A5 Fused Silica cGD(.= 84 kHz 9{uO1O\ 800nm - 2.5μm ;=UsAB] 400nm - 2.5μm rN{ c7/| 13mm kNL\m[W8$ L.WljNo II/IS42B (tQc Fused Silica .[ mRM 42 kHz V1JIht>Opo 1.6μm - 3.5μm ]s748+ 800nm - 2.5μm }d }lR 27mm b u"!jHPB D
sWSGb II/IS84 ]+$?u&0?w Fused Silica '%`:+]! 84 kHz K4);HJ|= 800nm - 3.5μm 2Hv+W-6v 400nm - 1.8μm I2^8pTLh 27mm 3yXY.>' _-F s#f8 II/CF57 VD\=`r)nT Calcium Fluoride b_):MQ1{ 57 kHz ?0,Ngrbe 2μm - 8.5μm FsryEHz 1μm - 5.5μm ?R#)1{(8d~ 23mm j8`BdKg :,I:usW" II/ZS37 :a)u&g@G Zinc Selenide Z(!\%mn 37 kHz 1!gbTeVlY 2μm - 18μm GM<-&s!Uj 1μm - 9μm ofv)SCjd 19mm alvrh'51 eGHaY4| II/ZS50 i7>tU= Zinc Selenide ?3xzd P 50 kHz mdgi5v 2μm - 18μm ?S$P9^ii' 1μm - 10μm I
2|Bg,e 14mm Qz
N&>sk" Z)aUt
Srf II/SI40 4_cqT/ Silicon >oe]$r 40 kHz 9*?oYm;dX FIR - THz `^y7f FIR - THz uU25iDn 36mm \;"=QmRD%: Vy,DN~ag II/SI50 9p2&)kb6 Silicon ,nB5/Lx 50 KHz <3hRyG@vB FIR - THz 3kMf!VL FIR - THz 1 Ya`| ?FS 29mm /RC7"QzL J
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