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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 bAlty}U  
p,=IL_  
#x 6/"Y2  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： :@(1~Hm  
<ppdy,j:  
[kJ;Uxncz~  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 0 Rb3| te  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） Q7amp:JFb  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） H~*N:$C  
    高损伤阈值 M|nLD+d~8  
    可精确控制相位延迟 drpx"d[c  
kNP-+o  
'qVlq5.  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。  x,: k/]  
V 2Xv)  
M._h=wX{}  
aj|3(2;Kp  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 S))B^).0-  
mN-O{k0\  
$c*fbBM(&n  
lP=,|xFra  
应用举例： wsdZwik  
ZXLAX9|  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf <Z[Z&^  
aGW O3Nk  
AK lr a$  
HM(X8iNt  
TFldYKd/l  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： {^ BZ#)m|  
)4o8SF7lz  
_I)TO_L;  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 8-gl$h  
ql%K+4@  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 .NWsr*Tel  
ipG 0ie+  
@Y,t]  
[cFD\"gJAr  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 t(<k4ji,  
1/bTwzR.g  
|5(CzXR]  
2K3j3|T  
TABLE 1 QlVj#Jv;~  
   DI/d(oFv`  
   dJzaP  
ZC$u8$+P  
SPECTRAL REGION uih8ZmRt  
SERIES Z$i?p;HnW  
MATERIAL QP"5A7=m  
bs}SFTL  
Vacuum UV, UV V6>{k_0{V  
I  "X=^MGV  
Lithium Fluoride F)=<|,b1  
8/B8yY-O  
Vacuum UV to mid-IR DZ`,QWuA  
I,II  Z a,o  
Calcium Fluoride zn'Mi:O'p  
Lcg1X3$G  
Vacuum UV to near-IR d:Z|It  
I,II N f?\O@  
Fused Silica FYNUap,A  
&]f8Xd  
Mid-visible to mid-IR Dd OK&  
II "tbKbFn9  
Zinc Selenide Hl}m*9<9us  
MB5V$toC  
Near- to mid-IR aA%x9\Y  
II U_9|ED:  
Silicon ?mi}S${g  
e2xKo1?I  
}If,O  
lq 1223  
pcd?6jh8  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 #p{8  
gjJ:s,Fg  
+CQIm!Sp  
`^g-2~  
G=Xas"|  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 ?+c-m+;wj  
%h_N%B$7c1  
AgDXpaq  
C:!&g~{cKi  
EAs^i+/  
OK@yMGz1I  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） Qc Xw -  
pm}_\_  
3E@ &  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 3;//o<  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 UOe@R|79q  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 (6)|v S  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 XU['lr&,W  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH t,~feW,  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 UHI<8o9  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds vA?3kfL|#  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 uE#"wm'J  
kCZ'p  
-ADb5-px  
<UW-fI)X  
基本指标 ?;rRR48T9E  
JWQd6JQ_~V  
pSx}:u^am  
Model =`qEwA  
Optical Material {o %OG/!1  
Nominal !'bZ|j%  
AB.ZmR9|  
Frequency `:gXQmt  
Retardation Range LD;! s  
Useful 7Zh#7jiZ`  
,_'Z Jlx  
Aperture1 :Q;mgHTNz  
tHJahK:"k  
Quarter Wave ur+\!y7^R  
Half Wave -+Ox/>k  
bL%-9BG  
I/FS50 ;k=`J  
Fused Silica _nIt4l7  
50 kHz {>yy3(N  
170nm - 2μm U uSCqI};  
170nm - 1μm UotLJa  
16mm `! )^g/>0i  
+qa^K%K  
I/FS20 5BMrn0  
Fused Silica Zu ![v0  
20 KHz |zp}u(N  
170nm - 2μm AR)A <  
170nm - 1μm kI^Pu  
22mm 1[(/{CClB  
wEix8Ow*  
I/CF50 B5qlU4km&  
Calcium Fluoride =nUzBL%~  
50 kHz p v*f]Yzx  
130nm - 2μm rW2   
130nm - 1μm RAoY`AWI  
16mm WHR6/H  
LHusy;<E[  
II/FS20A B|kIiL63 D  
Fused Silica ^%RIz!}  
20 kHz )#Id=c  
170nm - 2μm eq4Yc*|9  
170nm - 1μm `_.(qg   
56mm e~G um  
q} p (p( N  
II/FS20B hx!hI1   
Fused Silica xU;Q ~(  
20 kHz $G#)D^-5G  
1.6μm - 2.6μm 8^qLGUxz  
800nm - 2.5μm :w26d-QR(  
56mm NU%W9jQYS  
+{&++^(}a  
II/FS42A .10$n*  
Fused Silica g$9s} \6B  
42 kHz 9y;8JO  
170nm - 2μm cD9axlJ  
170nm - 1μm $&FeR*$|g  
27mm IUwMIHq&sW  
71k >_'fl  
II/FS42B i/q1>  
Fused Silica /~_,p,:aP  
42 kHz 2~!+EH  
1.6μm - 2.6μm VuA)Ye  
800nm - 2.5μm 9Z.W R-}  
27mm z 5IdYF?  
=.6JvX<d1*  
II/FS47A e/y\P&"eI  
Fused Silica Y2P%0  
47 kHz ck#MpQ!An  
170nm - 2μm Tf.DFfV#y  
170nm - 1μm cDLjjK7:   
24mm YjwC8#$  
q,2 +\i  
L%0G >2x  
m7.6;k.  
II/FS47B 6e At`L[K.  
Fused Silica @SH$QUM(  
47 kHz ,(Nr_K  
1.6μm - 2.6μm vUgMfy&  
800nm - 2.5μm vC%8-;8{H  
24mm bv4G!21]*;  
^Z:qlYZ  
II/FS84 ^n<o,K4\}  
Fused Silica ~Jx0#+z9V  
84 kHz } ^n346^  
800nm - 2.5μm H 5'Ke+4.e  
400nm - 2.5μm 9 az{j 1  
13mm  j#YPo  
a X:,1^  
II/IS42B *BAR`+;U  
Fused Silica )XoIb[s"  
42 kHz VL| q`n  
1.6μm - 3.5μm y-^m  
800nm - 2.5μm .u$o^; z!  
27mm .{ r %C4q9  
4~mmP.c  
II/IS84 PNhxF C.  
Fused Silica 8;1,saA_9  
84 kHz `w#p8vR  
800nm - 3.5μm \ 3HB  
400nm - 1.8μm O}mz@- Z  
27mm [X\~J &kD  
h YEUiQ  
II/CF57 zJX _EO  
Calcium Fluoride DNy 6Kw  
57 kHz ]U)Yg  
2μm - 8.5μm &BS*C} },  
1μm - 5.5μm e)A-.SRiO$  
23mm F*j0o +B5  
0`%Ask  
II/ZS37 Z@ QJ5F1y  
Zinc Selenide dE ]yb|Ld  
37 kHz u#~q86k  
2μm - 18μm F%^)oQT+c  
1μm - 9μm iFkXt<_A  
19mm V"DilV$v  
4g^Xe-  
II/ZS50 :*dfP/GO  
Zinc Selenide 8(|lP58~  
50 kHz IAzi:ct  
2μm - 18μm ,)%$Zxng  
1μm - 10μm 5tQZf'pHfd  
14mm 5VhJ*^R`y  
8q_"aa,`  
II/SI40 ~"}o^#@DwJ  
Silicon xmNs<mz  
40 kHz o#=@!m  
FIR - THz Dwuao`~Xm  
FIR - THz HGl.dO 7NU  
36mm "z9 p(|oZ  
{?hpW+1,#  
II/SI50 ?:+sjHzXT  
Silicon =--oH'P=M  
50 KHz  G%5ZG$as  
FIR - THz bTbF  
FIR - THz E2u9>m4_J  
29mm }(/\vTn*1  
bK#SxV  
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