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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 m,=$a\UC  
R2M,VK?Wx  
PqvwM2}4  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： J"[OH,/_  
M: `FZ}&L  
0&EX -DbV  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 zJ &qR  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） a>s v  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） a^sR?.+3  
    高损伤阈值 TTqOAo[-Z  
    可精确控制相位延迟 BRH:5h  
v[lytX4)  
`D#l(gZ  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 nPv2: x  
Yh"Z@D[d  
oNiS"\t  
o AQ92~b  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 KAUYE^  
iUl{_vb  
# &M  
flb3Iih  
应用举例： 6aK%s{%3s  
Q/0}AQO  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf UayRT#}]  
Ha 3XH_  
S - 7JDE>  
E}a3.6)p  
OU{PVF={   
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： :0srFg?X  
>EMCG.**  
7 s[ ATu  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 4P` \fz  
PUlb(3p `  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 *X<De  
s )To#  
$G=\i>R.  
"4r5n8  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 zu;Yw=cM)  
`zep`j&8^  
M)b`~|Wt  
6 a$%  
TABLE 1 +_`F@^R_   
   C-2n2OM.  
   NZ.aI{  
neZ_TT/3K  
SPECTRAL REGION 4/d#)6  
SERIES s"Kp+tTWj  
MATERIAL #b8/gRfS  
j5ui  
Vacuum UV, UV ZW\h,8%  
I zZE?G:isR  
Lithium Fluoride c=| a\\  
1hMk\ -3S  
Vacuum UV to mid-IR s5z@`M5'm  
I,II Q!|71{5U  
Calcium Fluoride As>po +T*  
mybDK'EW  
Vacuum UV to near-IR K}$PIW  
I,II %%DK?{jo`  
Fused Silica w]%r]PwU+  
>|rL0  
Mid-visible to mid-IR 'kUrSM'*$N  
II J7E/2Sl  
Zinc Selenide 6zNN 8  
PH=wP ft  
Near- to mid-IR k}<mmKB  
II 9(B)  
Silicon =0v{+ #}  
.t}nznh  
s&tr84u|  
?Ts Z_  
=+"XV8Fi,  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 uZ'5&k96T  
k5PzY!N  
VLOyUt~O#  
DdFVOs|  
+~[19'GH  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 CiMN J  
p4el9O&-tV  
4<O[d  
F 'h[g.\}  
0umfC  
h7Ma`w\-  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） #p[=iP  
w}2yi#E[  
* dNMnZ@Y  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 p<J/J.E  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 E*'O))  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 {uhw ^)v  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 ksK lw_%o  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH r2hm`]\8M  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 !AMPA*  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds nH_A`m3%/  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 66BsUA.h  
:{Y,Nsa  
nGuF, 0j  
?Dfgyz  
基本指标 :`uo]B"  
>uUbWKn3  
!WIL|\jbh  
Model I 4EocM=  
Optical Material _x>u "w  
Nominal ;PbyR}s  
 M,6AD]  
Frequency 4e5Ka{# <  
Retardation Range 6DExsB~@  
Useful 9> (8r+  
gmM79^CEF  
Aperture1 @ojn< 7W  
%iX +"  
Quarter Wave `9F'mT#o/  
Half Wave '7xY ,IY  
8d>OtDLa  
I/FS50 *=ALns?y  
Fused Silica x2nNkd0h  
50 kHz OgzPX^q/=  
170nm - 2μm iKdC2m  
170nm - 1μm M9iu#6P  
16mm :oZ30}  
S[%86(,*gP  
I/FS20 $w65/  
Fused Silica x JepDCUJ>  
20 KHz 3L;)asF  
170nm - 2μm .]jKuTC\<  
170nm - 1μm |w:\fK[  
22mm XCk \#(VSE  
@F=4B0=  
I/CF50 u'iOa  
Calcium Fluoride le1'r>E$  
50 kHz T}zOM%]]  
130nm - 2μm oinF<-(  
130nm - 1μm ]pFYAe ?  
16mm \BS^="AcpP  
qUVV374N  
II/FS20A d_OHQpfK  
Fused Silica Qn6&M  
20 kHz x2 tx{Z  
170nm - 2μm WJhI6lu  
170nm - 1μm 4sG^ bZ,  
56mm gB&'MA!  
iJ#sg+  
II/FS20B z5Po,@W  
Fused Silica  ;BpuNB  
20 kHz VdYu| w ;v  
1.6μm - 2.6μm m'a3}vRV(  
800nm - 2.5μm <oO^ w&G  
56mm fRq2sK;+  
fD V:ueO  
II/FS42A {@({po  
Fused Silica qex.}[  
42 kHz 5z=;q!3  
170nm - 2μm ) |*HkdF`  
170nm - 1μm 6o {41@v(  
27mm O.!|;)HQ  
)=2iGEVW  
II/FS42B >/-<,,<\C  
Fused Silica P1)9OE  
42 kHz Azu$F5G!n  
1.6μm - 2.6μm ?7(`2=J  
800nm - 2.5μm A LKU  
27mm D4[t@*m>7  
zQ5'q  
II/FS47A \z0"  
Fused Silica #dU-*wmJ  
47 kHz ;CFI*Wfp  
170nm - 2μm h=?#D0  
170nm - 1μm :+Y+5:U]  
24mm 2Fp.m}42i(  
Nx,.4CI  
n:'Mpux  
1Hk`i%  
II/FS47B ^jqQG+`?  
Fused Silica ':6`M  
47 kHz #r>  
1.6μm - 2.6μm RCgZ GP  
800nm - 2.5μm <4D.P2ct  
24mm evz{@;.R  
IL*C/y  
II/FS84 &Z#g/Hc  
Fused Silica YyjnyG  
84 kHz |*K AqTO0  
800nm - 2.5μm E&#cU}ErN  
400nm - 2.5μm 2E;UHR  
13mm tg.[.v Ks  
w<*6pP y  
II/IS42B T}M!A|   
Fused Silica v[A)r]"j"M  
42 kHz Hj2E-RwG  
1.6μm - 3.5μm r[ni{ &  
800nm - 2.5μm ]>B>.s  
27mm sZxf.  
h3[^uY e  
II/IS84 Lzm9Kh;  
Fused Silica F^fL  
84 kHz $oDc  
800nm - 3.5μm 8{^zXJi]m  
400nm - 1.8μm "**Tw'  
27mm #R-l2OO^]  
h/?$~OD  
II/CF57 bwG$\Oe6  
Calcium Fluoride  vtk0 j  
57 kHz bbddbRj;  
2μm - 8.5μm @Fvp~]jCb  
1μm - 5.5μm r01Z 0>  
23mm "}fJ 2G3  
EhB0w;c  
II/ZS37 3k3-Ts  
Zinc Selenide oG{0 {%*@  
37 kHz }M7{~ov#s  
2μm - 18μm 3)cH\gsg9  
1μm - 9μm 4AW-'W  
19mm gc,%A'OR^<  
Kg?(Ax4  
II/ZS50 &6deds  
Zinc Selenide 8vR Q_  
50 kHz S8>1l?UH  
2μm - 18μm w5Lev}Rb  
1μm - 10μm qca,a3k  
14mm %La<]  
= j)5kY`  
II/SI40 6Uh_&?\%  
Silicon {+Zj}3o  
40 kHz %'o'Kh''=  
FIR - THz y Ny,$1  
FIR - THz &;3iHY;  
36mm \*yH33B9  
W2>VgMR [  
II/SI50 D`c&Q4$:  
Silicon t9l]ie{"o.  
50 KHz <Fo~|Nh|  
FIR - THz 88uoA6Y8h  
FIR - THz 12]rfd   
29mm pgUp1goAU  
QzLE9   
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