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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 3n)Kzexh  
W$wX[  
PA803R74  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： uWClT):  
@D*PO-s9  
LH}9&FfjU  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 _vb'3~'S  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ts(u7CJd  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） bBc<p{  
    高损伤阈值 CG@Fn\J  
    可精确控制相位延迟 t zd#9 #  
#%ld~dgz-  
ld#x'/  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 "y*3p0E  
{hOS0).(w7  
#?r|6<4X  
aaf}AIL.  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 &`s{-<t<L  
Z~h6^h   
i"n_oO  
zJ(DO>,p&  
应用举例： K%L6UQ;  
:4 z\Q]  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf ,J+L_S+B~  
4Zu1G#(zP  
_kRc"MaB  
wXp:XZ:]T  
Kv!:2br  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 6 %aaK|0  
3f^jy(  
r)-{~JA!  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 ct|0zl~  
V&ETt.91Ft  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 4qE4 i:b  
+J{ErsG?6P  
u/|@iWK:  
_IOUhMo  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 G Wa6FX:/  
uUx7>algF  
1}c /l<d  
y2?9pVLa\y  
TABLE 1 hR0a5   
   T ?[;ej:  
   Wk3-J&QbS  
.H M3s  
SPECTRAL REGION @}R y7H0O  
SERIES Go:(R {P  
MATERIAL NL `  
NTZ3Np`  
Vacuum UV, UV E<! L^A M`  
I Bi;a~qE  
Lithium Fluoride E <j=5|0t  
PX^ k;  
Vacuum UV to mid-IR rxol7"2l  
I,II 2uT6M%OC  
Calcium Fluoride mh[,E8'd  
3}phg  
Vacuum UV to near-IR 0e#PN@  
I,II HH6H4K3Zj  
Fused Silica d)biMI}<5  
k0PwAt)65  
Mid-visible to mid-IR $$0 < &  
II wDoCc:  
Zinc Selenide G8w@C  
_8K8Ai-~.>  
Near- to mid-IR Ca?w"m~h  
II ZGX"Vn|YL  
Silicon _nzq(m1@  
[#\OCdb*3  
KLG.?`h:  
&,PA+#  
M^HYkXn[  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 TBJ?8W(  
7=X6_AD  
x4g6Qze  
OA9 P"*  
BHgs,  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 FVP,$  
(O09HY:  
3I}AA.h'00  
!~F oy F  
' ZTRl+  
p}!)4EI=  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） n2AoEbd  
?RG;q  
jZidT9[g  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 D1>*ml  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 ]P7gEBi  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 N`N=}&v ]  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 MU] F'6V  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH Z \ @9*  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 k)F!gV#  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds BOvJEs!UX  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 w > GW  
tZ@&di:-F  
oui0:Vy<  
:u=y7[I  
基本指标 ]moBVRd  
CP"5E?dcK  
MxGQM>  
Model PPpaH!(D  
Optical Material &l{ctP%q  
Nominal E)I&? <g  
[.$%ti*!  
Frequency ;*Y+.?>a  
Retardation Range $[cB6  
Useful Fgwe`[  
.|L9}<  
Aperture1 VOATza`  
' t(#HBU  
Quarter Wave ;Cx`RF w  
Half Wave R"t2=3K  
qB$QC  
I/FS50 &V &beq4)p  
Fused Silica 5>1c4u`x  
50 kHz V+0pvgS[  
170nm - 2μm Ug gg!zA  
170nm - 1μm =.m/ X>  
16mm TK> ~)hc}  
D2MIV&pahP  
I/FS20  UiK)m:NU  
Fused Silica E){ODyk  
20 KHz 9*n?V;E  
170nm - 2μm t?weD{O  
170nm - 1μm 8193d%Wb  
22mm i}<fg*6@E  
Pa|*Jcr  
I/CF50 ZL!5dT&@W  
Calcium Fluoride rO1N@kd/  
50 kHz Iz#jR2:yn  
130nm - 2μm vf?m6CMU !  
130nm - 1μm rF?QI*`Y(  
16mm cZ.p  
\Y:zg3q*  
II/FS20A R >[G6LOG  
Fused Silica 3ox|Mz<aZX  
20 kHz [Q8vS;.  
170nm - 2μm li')U  
170nm - 1μm ##] `  
56mm \Q?#^<O  
eVbT<9k  
II/FS20B RSjcOQ8&.w  
Fused Silica 1[RI 07g7*  
20 kHz ?FZ) LZM  
1.6μm - 2.6μm <\ ".6=E#W  
800nm - 2.5μm YcSPU(  
56mm eM7 F8j  
="g9>  
II/FS42A #V[Os!ns  
Fused Silica `[_p,,}Ir  
42 kHz =| r% lx  
170nm - 2μm !i{5mc \  
170nm - 1μm ?*QL;[n1  
27mm .36]>8  
R++w>5 5A  
II/FS42B VW] ,R1q  
Fused Silica b|.<rV'BTt  
42 kHz }?U #@ h  
1.6μm - 2.6μm /)Weg1b  
800nm - 2.5μm |Yi_|']#  
27mm G$lE0_j2{  
yW}x  
II/FS47A >+[{m<Eq  
Fused Silica QA~Lm  
47 kHz EhOB+Mc1  
170nm - 2μm ch/DBu  
170nm - 1μm 5*y6{7FLp  
24mm 4"+v:t)z6{  
Sjmq\A88dc  
xUB{{8B:L  
\Dx)P[Ur  
II/FS47B G|UeR=/  
Fused Silica !@)tkhP  
47 kHz t1o_x}z4.  
1.6μm - 2.6μm V67<Ky>  
800nm - 2.5μm 3+vMi[YO  
24mm //}KWz  
"!o|^nN,  
II/FS84 qD}O_<_1ym  
Fused Silica S <++eu  
84 kHz )aX#RM? N  
800nm - 2.5μm kl5Y{![/&f  
400nm - 2.5μm ((fFe8Rn)q  
13mm `{nzw$  
4+N9Ylh  
II/IS42B MBFn s/  
Fused Silica [g lhru=+  
42 kHz ;E\e.R  
1.6μm - 3.5μm tj" EUqKQ  
800nm - 2.5μm )!l1   
27mm >6z7.d  
9 E  
II/IS84 hh^_Z| 5  
Fused Silica aw1 f;&K4  
84 kHz r 4+%9)  
800nm - 3.5μm JjBlje  
400nm - 1.8μm ek0,@Vg9  
27mm F#l!LER^1g  
fSm|anuKZe  
II/CF57 f_r4*#&v  
Calcium Fluoride )s8{|)-  
57 kHz .$r7q[  
2μm - 8.5μm &jF[f4:7  
1μm - 5.5μm .:TSdusr~  
23mm @?[}\9dW  
{pk&dB _Bu  
II/ZS37 x1 1ug  
Zinc Selenide M_#^zo "x  
37 kHz 4]ETF+   
2μm - 18μm zWq&HBs  
1μm - 9μm \7tJ)[0aF  
19mm 8F T@TUFb  
0/b3]{skK  
II/ZS50 _n!W4zwi  
Zinc Selenide C +S>;1  
50 kHz :.F;LF&  
2μm - 18μm jH]?vpP  
1μm - 10μm :P2 0g](  
14mm >`Zw0S  
fk?(mxx"  
II/SI40 `>skcvkm  
Silicon tJZ3P@ L  
40 kHz ./E<v  
FIR - THz =F90SyzTy  
FIR - THz [5s4Jp$+  
36mm Nd61ns(N  
e:zuP.R  
II/SI50 {x/)S*:Z  
Silicon Id 40yER  
50 KHz qgZN&7Nn:  
FIR - THz !ZTBiC5R  
FIR - THz #H/suQZN"g  
29mm 8YwSaBwO  
gqQ"'SRw  
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