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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 OM!ES%c,  
r-N2*uYtu  
!kASEjFz|f  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： 8ZG'?A+{  
\U !<-  
//ZB B,[@  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ^ ?tAt3dMI  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） W]2;5 `MM  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 2z0HB+Y}x  
    高损伤阈值 `Q(ac| 0  
    可精确控制相位延迟 c_ygwO3.Q  
[po+a@ %  
=53LapTPJ  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。  _&(ij(H  
o4~ft!>  
w,}}mC)\*  
E 3I'3  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 z%Z}vWn  
3:Z(tM&-O  
lf|^^2'*2<  
^G2vA8%  
应用举例： -S,dG|  
/$eEj  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf KG3*~G  
JyB>,t)  
lZ)u4_  
|%RFXkHS  
iT5H<uS  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： cF(9[8c{  
vQ_B2#U:  
yPQ{tS*t  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 FwW%@Y  
0x`:jz`  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 bR8)s{p6  
O4E2)N  
#[[p/nAy}A  
w`7l ;7[  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 T=R94  
@H_LPn  
;XtDz  
rSJ}qRXwU  
TABLE 1 Z^~ 6pH\  
   %qE#^ U  
    C|lMXp\*  
@2$8o]et  
SPECTRAL REGION &&y@/<t  
SERIES {(q U n  
MATERIAL V3+%KkN  
Q-au)R,  
Vacuum UV, UV 3)-#yOr  
I ttKfZ0  
Lithium Fluoride R|M:6]}   
4dok/ +Ec  
Vacuum UV to mid-IR .XE]vo  
I,II (,TO|  
Calcium Fluoride PA=BNKlH  
$I/p6  
Vacuum UV to near-IR aLq;a  
I,II y@Or2bO#  
Fused Silica 8)tyn'~i  
2?ednMoE  
Mid-visible to mid-IR kL3=7t^ 1  
II co@8w!W  
Zinc Selenide c"$_V[m  
^\6UTnS.  
Near- to mid-IR JQ1VCG  
II POG5x  
Silicon >mV""?r]  
8`~]9ej  
k^]~NP  
' #mC4\<W8  
BxqCV%9o  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 hf-S6PEsM  
KqUFf@W  
h`Mf;'P  
p[eRK .$!  
xle29:?l  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 X<{m;T `  
Cnr48ukq  
q ^gEA5  
RW)C<g  
;@ e |}Gk  
0#7 dm9  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） 72 6y/o  
6\K)\  
vKC>t95  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 Kv7NCpq'  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 6xe |L  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 g;h&Xkp  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 J\*d4I<(Rt  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH zyr6Tv61U  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 KOQTvJ_#  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds 34=0.{qn  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 =jN]ckn  
{;zPW!G  
8\9EDgT  
j$^]WRt  
基本指标 W#[!8d35$  
 V("1\  
(G VGoh&  
Model 1dcy+ !>  
Optical Material 'w2;oO  
Nominal [;I8ZVE  
A M2M87{t  
Frequency 4=Ey\Px  
Retardation Range >`:+d'Jv0  
Useful dc)Gk  
0FOf *Lz  
Aperture1 bv/b<N@4?$  
"x)DE,  
Quarter Wave =+ p+_}C  
Half Wave Tt\w^Gv\d  
UVK"%kW#(  
I/FS50 g&>Hy!v,  
Fused Silica {/<&  
50 kHz qpl5n'qHUc  
170nm - 2μm o[#a}5Y  
170nm - 1μm o__q)"^~-  
16mm zTLn*?  
+$t%L  
I/FS20 meR2"JN'  
Fused Silica 3p4?-Dd|_$  
20 KHz  D;]%  
170nm - 2μm 7o. 'F  
170nm - 1μm }H=OVbQor  
22mm <Xx\F56zp  
l i-YkaP  
I/CF50 8:xo ~Vc  
Calcium Fluoride YkX=n{^  
50 kHz %S.U`(.  
130nm - 2μm nY)Pxahm7  
130nm - 1μm iC-ABOOu{l  
16mm L])w-  
Q8y|:tb$Y  
II/FS20A \]xYV}(FO  
Fused Silica 1 1CJT  
20 kHz / JB4#i7  
170nm - 2μm 9#ft;c  
170nm - 1μm $sZHApJV+  
56mm dn_OfK  
P-[K*/bPw  
II/FS20B Bq@wS\W>b}  
Fused Silica 070IBAk}_  
20 kHz vc #oALc&  
1.6μm - 2.6μm YS~t d+*  
800nm - 2.5μm )H)Udhz  
56mm (JW?azU  
]0 RXo3  
II/FS42A e"#D){k#  
Fused Silica 1m;*fs  
42 kHz F|TMpH/  
170nm - 2μm f<Tz#w&6W  
170nm - 1μm v&2@<I>  
27mm DA`sm  
Aq%^>YAp  
II/FS42B bpa O`[*  
Fused Silica x }'4^Cv  
42 kHz h;qy5KS  
1.6μm - 2.6μm 8G&+  
800nm - 2.5μm uhB!k-ir  
27mm {@__%=`CCS  
H~ n~5 sF"  
II/FS47A d`uO7jlm  
Fused Silica y[6&46r7D  
47 kHz KTjlWxD  
170nm - 2μm yr2L  
170nm - 1μm puN=OX}C  
24mm ,Bw)n,  
L8wcH  
,G|aLBn  
k_>Fw>Y  
II/FS47B UvJuOh+  
Fused Silica #0hNk%X=  
47 kHz YQV?S  
1.6μm - 2.6μm ;'QY<,p[e  
800nm - 2.5μm 4z%#ZIy3   
24mm Q&7)vs  
o 7W Kh=  
II/FS84 tQ/ #t<4D  
Fused Silica aq+IC@O  
84 kHz yISQYvSN  
800nm - 2.5μm E? eWv)//  
400nm - 2.5μm %=9yzIjbAt  
13mm x X/s1(P  
:q64K?X  
II/IS42B 7k=F6k0)  
Fused Silica 5 k%9>U%$  
42 kHz bk"k&.C^+  
1.6μm - 3.5μm @D~+D@i$TW  
800nm - 2.5μm N1N{Ol'  
27mm $dh4T";  
)w2K&Zr0  
II/IS84 4 %)N(%u  
Fused Silica !\-4gr?`!  
84 kHz W .`Xm(y  
800nm - 3.5μm dG-or  
400nm - 1.8μm gFs/012{  
27mm T3 9C lH  
^@`e  
II/CF57 o4 %Vt} K  
Calcium Fluoride /pN'K5@  
57 kHz S6T!qH{6  
2μm - 8.5μm =^Sw*[eiy  
1μm - 5.5μm (#bp`Kih  
23mm HS\3)Ooj>  
z_Wm HB  
II/ZS37 ;EJPrDHTk  
Zinc Selenide _jTwiuMS-  
37 kHz ]A]Ft!`6z  
2μm - 18μm 8wX+ZL: 9  
1μm - 9μm Q^lQi\[  
19mm %l:|2s:  
* {gxI<   
II/ZS50 PW*;Sp  
Zinc Selenide NFY|^*bll  
50 kHz w53z*l>ek  
2μm - 18μm g=xv+e  
1μm - 10μm f2 ydL/M,  
14mm  ,v*p  
@A2/@]HBm  
II/SI40 <AMb!?Obh  
Silicon 4|6&59?pnc  
40 kHz fW.GNX8  
FIR - THz 7|QGY7Tf  
FIR - THz \5'O.*pr  
36mm YX ;n6~y  
crd|2bjp+  
II/SI50 h4aygc  
Silicon ?7yQ&p  
50 KHz }XCR+uAz  
FIR - THz ]*2EK9<  
FIR - THz [jl2\3*  
29mm MSZ!W(7,<  
gX@nPZjg  
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