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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。光弹调制器(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,光弹调制器(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时光弹调制器(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 ?T>NvKF  
B,A\/%<  
_D1)_?`a@-  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括: E{'\(6z_  
Rm@F9D[,  
1tH#QZIT  
    非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率 deutY.7g  
    超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°) ,u   
    波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ) I! ~3xZ  
    高损伤阈值 B_0]$D0 ^  
    可精确控制相位延迟 '>% c@C[  
A~'p~ @L  
0Pg@%>yb~  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。 zi,":KDz#  
{G _|gs  
^ANz=`N5,  
OJ}aN>k  
需要进一步了解关于光弹调制器原理,请点击这里 a0cW=0l=  
NqN9  
kk/vgte-)e  
D o!]t7Y$  
应用举例: $)7Af6xD  
`,6^eLU  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf \LDcIK=  
zfUkHL6  
fq0[7Yb  
s *<T5Z  
&sS]h|2Z5  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列: bt?)ryu  
1)!]zV  
GC~N$!*  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 :']O4v#^  
b'4r5@GO  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 avH3{V  
^Kh>La:>O  
.t{?doOT  
 SwmX_F#_  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 ^s?i&K,!  
c]:@y"W5$  
x`p3I*_HT5  
r7N% onx  
TABLE 1 PX,fg5s\b  
   edh<L/%D  
   pPZ^T5-ks  
)hK1W\5  
SPECTRAL REGION ~sc@49p  
SERIES AmT*{Fz8  
MATERIAL 2N_9S?a3sK  
Z!qF0UDj  
Vacuum UV, UV }ilX 2s?>  
I r#K"d  
Lithium Fluoride .s<tQU  
, MU9p*  
Vacuum UV to mid-IR '#x<Fo~hT  
I,II ak;S Ie  
Calcium Fluoride }#U3vMx(  
7$I *ju_  
Vacuum UV to near-IR W[j7Vi8v  
I,II 'P~6_BW  
Fused Silica }sS1 p6z  
JZrUl^8E  
Mid-visible to mid-IR AkR ZUj\  
II Voc&T+A m  
Zinc Selenide Zu%oIk  
eE;")t,  
Near- to mid-IR ,<?M/'4}G  
II X+XbIbUuL  
Silicon F`YxH*tO7  
&g-uQBQI#  
vR"<:r47?  
JSm3ZP|GqJ  
H0i\#)Xs  
相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。 tc<t%]c  
uu582%tiG  
prg8Iq'w  
a'ODm6#  
{01wW1  
八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。 >zAI#N4  
QabYkL5@  
j>OB<4?.+  
&g<`i{_  
& A<Pf.Us  
tC -H2@  
可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师) 7oI^shk  
Aw *:5I[  
v mXY}Ul  
    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 kpN'H_ .  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 l?%U*~*  
    无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉 v{2 Vg  
    特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 #i GRi!$h  
    特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH r3b~|O^}  
    特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 v+Q# O[  
    真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds 8W_X&X?Q  
           磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中 kY6))9 O  
2tqO%8`_  
M^^u{);q  
&j7l#Urq  
基本指标  VgNt  
XJ;JDch  
ico(4KSk  
Model qlg~W/  
Optical Material X7]vXo*  
Nominal o^! Zt 9  
-h8!O+7 .  
Frequency *7I=vro  
Retardation Range ?%HtPm2< %  
Useful W$Bx?}x($  
VRoeq {  
Aperture1 `'[ 7M  
<ZNa`  
Quarter Wave EF{_-FXY  
Half Wave !2N#H~{  
ca_8S8lv  
I/FS50 #| 8!0]n'  
Fused Silica ;.h5; `&  
50 kHz yXw xq(32  
170nm - 2μm .n`MPx'  
170nm - 1μm pz^"~0o5  
16mm c"J(? 1O  
>}/"g x  
I/FS20 !`='K +  
Fused Silica R#bg{|  
20 KHz 1W HR;!u  
170nm - 2μm xZmKKKd0*  
170nm - 1μm 'F+O+-p+  
22mm 0r=Lilu{q  
FO}4~_W{  
I/CF50 k>n^QHM  
Calcium Fluoride (.!q~G  
50 kHz {R,rc!yF  
130nm - 2μm W.n@  
130nm - 1μm i4!n Oyk  
16mm {\ziy4<II  
'eqvK|Uj:  
II/FS20A S-yd-MtQp  
Fused Silica ld[]f*RuW  
20 kHz $Y aL3n  
170nm - 2μm a+mq=K  
170nm - 1μm miHW1h[=  
56mm j&m<=-q  
m$hSL4 N  
II/FS20B ,l7ty#j  
Fused Silica %_SE$>v^  
20 kHz r:Cad0xj;^  
1.6μm - 2.6μm ,-DE;l^Q=  
800nm - 2.5μm L +.K}w  
56mm ? *I9  
4b3p,$BWS  
II/FS42A w6Tb<ja  
Fused Silica o <l4}~a  
42 kHz -07(#>  
170nm - 2μm ^Z:x poz,  
170nm - 1μm a9jY^E'|n  
27mm rzaEVXbz1  
l/rhA6kEU  
II/FS42B cB<0~&  
Fused Silica [EGE|   
42 kHz J;q3 fa  
1.6μm - 2.6μm rhn*k f{8  
800nm - 2.5μm JBUJc  
27mm Z^GriL  
!>S' eXt  
II/FS47A [V jd )%  
Fused Silica ~Nc] `95  
47 kHz PL+fLCk,I  
170nm - 2μm J;T_ 9  
170nm - 1μm c@nl;u)n  
24mm B~PF<8h5  
Va*Uwy?x/)  
#{ Uk4  
6o1.?t?  
II/FS47B +Qc^A  
Fused Silica \v-> '  
47 kHz >9u6@  
1.6μm - 2.6μm o!\O)  
800nm - 2.5μm E!Fy2h>[Z  
24mm B|GJboQ  
%] #; ~I%  
II/FS84 -ZyFUGd%  
Fused Silica h0^V!.- 5  
84 kHz p6HZ2Q:a  
800nm - 2.5μm VJR'B={h  
400nm - 2.5μm BgpJ;D+N4  
13mm Le3S;SY&  
iPFYG  
II/IS42B Bnxzy n  
Fused Silica n3|~X/I  
42 kHz ~l}TlRqL  
1.6μm - 3.5μm |y:DLsom?i  
800nm - 2.5μm D 1hKjB&  
27mm g3Xz-  
wyc,Ir  
II/IS84 *UyV@  
Fused Silica ToMX7xz6  
84 kHz %*19S.=l  
800nm - 3.5μm +pcj8K%  
400nm - 1.8μm AV2q*  
27mm ?&GMp[  
FQ-(#[  
II/CF57 e:,.-Kvzp`  
Calcium Fluoride l.34h  
57 kHz =6W:O  
2μm - 8.5μm zPw R1>gL  
1μm - 5.5μm {!/y@/NK2  
23mm 0zTv'L  
[y{ag{  
II/ZS37 ?\O+#U%W  
Zinc Selenide T*{zL  
37 kHz Asn0&Ys4  
2μm - 18μm 9e1 6 g  
1μm - 9μm rvmI 8  
19mm yCkm|  
mhVoz0%1X  
II/ZS50 Gz6GU.IyQy  
Zinc Selenide vXnpx}B  
50 kHz {&<}*4D  
2μm - 18μm ,m"ztu-  
1μm - 10μm f C^l9CRY  
14mm FSQ&J|O  
<eh(~  
II/SI40 K?;p:  
Silicon bK].qN  
40 kHz Z*TW;h0ZQ3  
FIR - THz EU@mrm?  
FIR - THz 3H%HJS  
36mm *3ne(c  
rgYuF,BT.  
II/SI50 ,|#>X>^FQQ  
Silicon p;7 4 +q  
50 KHz ~r!5d@f.6  
FIR - THz "~(&5M\8`  
FIR - THz {4QOUqAu  
29mm tT8jC:oVa  
^i8I 1@ =  
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