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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。光弹调制器(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,光弹调制器(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时光弹调制器(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 hED}h![  
S&wMrQ  
`g=J%p  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括: i>`%TW:g  
4SxX3Fw  
AO4U}?  
    非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率 ~!d\^Z^i  
    超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°) +Mb.:_7'  
    波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ) kS);xA8s]  
    高损伤阈值 l ukB8  
    可精确控制相位延迟 eu-*?]&Di  
d7;um<%zn  
cKI9#t_  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。 194)QeoFw  
C ;W"wBz9  
<)H9V-5aZ  
b2Fe<~S{  
需要进一步了解关于光弹调制器原理,请点击这里 oJz^|dW  
N:/D+L  
+~$ ]} %  
aeJHMHFc  
应用举例: B~ GbF*j  
5|s\* bV`  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf T.BW H2gRP  
![=yi tB  
*] ) `z8Ox  
K+3=tk]W9u  
G5 WVr$  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列: ^\=`edN0  
cdT7 @  
VlsnL8DV  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Wd:uV  
;4|15S  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 }Zn}  
S4z;7z(8+  
c-5)QF) z  
+ =</&Tm  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 2fd{hJDq;5  
YNF k  
9W2Vo [(  
on `3&0,.  
TABLE 1 ^u ~Q/ 4  
   ;HO=  
   E ~<JC"]  
oZ|\vA%4^  
SPECTRAL REGION 8<Av@9 *}  
SERIES %IWPM"  
MATERIAL 2c*GuF9(0  
H**Xu;/5@  
Vacuum UV, UV lt8|9"9<  
I XW] tnrs  
Lithium Fluoride M .mfw#*  
vl:KF7:#m  
Vacuum UV to mid-IR Ad_h K O  
I,II XXa|BZ1RX  
Calcium Fluoride (f"4,b^]  
"^%cJAnLX  
Vacuum UV to near-IR h2d(?vOT  
I,II o>pJPV  
Fused Silica ZD{LXJ{Vm  
$xN|5;+  
Mid-visible to mid-IR vr =#3>  
II Lp9E:D->  
Zinc Selenide J)-x!y>  
&tj!*k'  
Near- to mid-IR k9L;!TH~1K  
II ]c'A%:f<  
Silicon 3[*}4}k9  
5=ryDrx  
Y}wyw8g/  
oOFVb5qoFU  
4o[{>gW  
相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。 G"A#Q"  
F:S}w   
k8zI(5.>  
UkFC~17P  
oEpFuWp%A  
八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。 Zj'9rXhrM1  
*s3/!K  
yJIscwF  
p4Z(^+Aa  
cw <l{A  
qJ-/7-$ ^  
可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师) sRb9`u =)  
^U/O !GK  
|`FY1NN   
    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 )vlhN2iv  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 7b+6%fV  
    无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉 A@#E@ ;lm  
    特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 a d\ot#V  
    特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH xskz) kk  
    特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 N?8!3&TiV  
    真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds j1<Yg,_.p  
           磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中 <:CkgR$/{  
P.DK0VgY  
(/$^uWj  
}x ,S%M-  
基本指标 \Vk:93OH21  
{M)Nnst"~  
s5. CFA  
Model #w=~lq)9  
Optical Material yB!dp;gM{  
Nominal |w3M7;~eF  
m]&SNz=  
Frequency v"0J&7!J  
Retardation Range 3OB"#Ap8<  
Useful C,eu9wOT  
dc'Y `e  
Aperture1 qxc[M8s  
# f\rt   
Quarter Wave [#iz/q~}  
Half Wave N$tGQ@  
5mR 1@  
I/FS50 ia? c0xL  
Fused Silica 2fS:- 8N  
50 kHz h2QmQ>y"  
170nm - 2μm fN2lLn9/u  
170nm - 1μm G!yP w:X  
16mm cz$2R  
bI`g|v  
I/FS20 19] E 5'AI  
Fused Silica }-2|XD%]  
20 KHz s#GLJl\E_P  
170nm - 2μm l+b~KU7~l  
170nm - 1μm {4PwLCy  
22mm Pzem{y7Ir  
;FEqe 49  
I/CF50 ~>XxGjxe  
Calcium Fluoride GtHivC  
50 kHz Alq(QDs  
130nm - 2μm 1E$|~   
130nm - 1μm H;"4 C8K7  
16mm V.2_i*  
phz&zl D  
II/FS20A 5-A\9UC*@  
Fused Silica 'hf8ZEW9'  
20 kHz "wc<B4"  
170nm - 2μm -n;}n:w L  
170nm - 1μm 4Po_-4  
56mm 8cQ'dL`(  
d d;T-wa}  
II/FS20B cc3 4e  
Fused Silica LH6 vLuf  
20 kHz W_ ZJ0GuE(  
1.6μm - 2.6μm T^q 0'#/  
800nm - 2.5μm FiU#T.`9'  
56mm A%-6`>  
fc@A0Hf  
II/FS42A B7%U_F|m  
Fused Silica WEpoBP CL  
42 kHz ?X;RLpEc|A  
170nm - 2μm -F>jIgeC2v  
170nm - 1μm =R\]=cRbg  
27mm eDB;cN  
S tyfB  
II/FS42B &.ACd+Cd  
Fused Silica \j.:3X r  
42 kHz w#J2 wS  
1.6μm - 2.6μm ?%kV?eu'  
800nm - 2.5μm \Og+c%  
27mm y> (w\K9W  
J8~haim  
II/FS47A 'f|o{  
Fused Silica zMJT:7*`|  
47 kHz .sA.C] f  
170nm - 2μm uIrG*K  
170nm - 1μm U ;I9 bK8  
24mm 0(btA~'*  
JN6B~ZNf  
@|)Z"m7  
^W@5TkkBQq  
II/FS47B Ct|A:/z(  
Fused Silica 4/)k)gLI  
47 kHz J-4:H gx  
1.6μm - 2.6μm l+0P  
800nm - 2.5μm 3N:D6w-R  
24mm |Ds=)S" K  
Qei" '~1a  
II/FS84 ]N[ 5q=A5  
Fused Silica cGD(.=  
84 kHz 9{uO1O\  
800nm - 2.5μm ;=UsAB]  
400nm - 2.5μm rN{ c7/|  
13mm kNL\m[W8$  
L.WljNo  
II/IS42B (tQc  
Fused Silica . [ mR M  
42 kHz V1JIht>Opo  
1.6μm - 3.5μm ]s748+  
800nm - 2.5μm } d }lR  
27mm bu"!jHPB  
D sWS Gb  
II/IS84 ]+$?u&0?w  
Fused Silica '%`:+]!  
84 kHz K4);HJ|=  
800nm - 3.5μm 2Hv+W-6v  
400nm - 1.8μm I2^8pTLh  
27mm 3yXY.>'  
_-Fs# f8  
II/CF57 VD\=`r)nT  
Calcium Fluoride b_):MQ1{  
57 kHz ?0,Ngrbe  
2μm - 8.5μm FsryEHz  
1μm - 5.5μm ?R#)1{(8d~  
23mm j8`BdKg  
:,I:usW"  
II/ZS37 :a)u&g@G  
Zinc Selenide Z(!\% mn  
37 kHz 1!gbTeVlY  
2μm - 18μm GM<-&s!Uj  
1μm - 9μm ofv)SCjd  
19mm alvrh'51  
eGHaY4|  
II/ZS50 i7>tU=  
Zinc Selenide ?3xzd P  
50 kHz mdg i5v  
2μm - 18μm ?S$P9^ii'  
1μm - 10μm I 2|Bg,e  
14mm Qz N&>sk"  
Z)aUt Srf  
II/SI40 4_cqT/  
Silicon >oe]$r  
40 kHz 9*?oYm;dX  
FIR - THz `^y7f  
FIR - THz uU25iDn  
36mm \;"=QmRD%:  
Vy, DN~ag  
II/SI50 9p2&) kb6  
Silicon ,nB5/Lx  
50 KHz <3hRyG@vB  
FIR - THz 3kMf!VL  
FIR - THz 1 Ya`| ?FS  
29mm /RC7"QzL  
J S_]FsxD  
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