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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 }VE[W  
}Xs=x6Mj  
qqSk*oH~  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： $.(>Sj1  
>.PLD} zE_  
g!7/iKj:  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 S,vrz!'>A  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） uj&^W[s  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） O!sZMGF$p  
    高损伤阈值 _{,e-_hYM  
    可精确控制相位延迟 m4ovppC  
'M+iVF6  
[S":~3^B6  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 _U$d.B'*)z  
au5 74tj  
PBr-< J  
FgRlxz  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 B{QY-F~  
oj@B'j  
!yH&l6s  
uKh),@JV  
应用举例： c3!d4mC:  
S'V0c%'QQV  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf b}o^ ?NtA  
uI-te~]  
E<'3?(D9hL  
(ui"vLk8PP  
T\b e(@r  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： vhZpYW8  
&~G>pvZ  
9pStArF?F0  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 +WK!}xZR  
. 5|wy<  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 sBq @W4  
$PstThM  
W:b8m Xx  
,S:LhgSP  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 #=5/D@  
\8=>l?P  
` *8p T  
Tw`^  
TABLE 1 <y\>[7Y  
   D +N{'d?+  
   sk$MJSE ~  
!tmY_[\  
SPECTRAL REGION {G/4#r 2>  
SERIES RXb+"/   
MATERIAL }X)mZyM[  
m /JpYv~  
Vacuum UV, UV ; @-7'%(C  
I 8"LvkN/v^  
Lithium Fluoride Sh*LD QL<?  
9EK5#_L[=  
Vacuum UV to mid-IR y0M^oLx  
I,II d5\w'@Di  
Calcium Fluoride *rK}Ai  
{b"V7vn,  
Vacuum UV to near-IR =\ iV=1iB  
I,II |jk"; h  
Fused Silica nxKV7d@R  
{2}O\A  
Mid-visible to mid-IR -k|r#^(G2  
II u8v;O}#  
Zinc Selenide gb|C592R5C  
vkOCyi?c  
Near- to mid-IR ~M3`mO+^U  
II D1;H,  
Silicon >>Z.]  
LS+ _y <v=  
PP.QfY4  
CbVUz<  
e]'ui<`  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 200/  
'0[D-jEr  
#pErGz'{  
yJ c#y   
y9{KBM%h  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 x?9rT 0D  
D/'kYoAEO  
X&8&NkH  
%(MaH  
7](,/MeGG  
WId"2W3M  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） B<u6Z!Pp2  
2%'{f  
ARGtWW~:  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 J70#pF  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 Wl/oun~o  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 @#hd8_)A.  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 'X d_8.  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 'c*Q/C;  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 l E=(6Q  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds oDogM`T`  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 T!0o(Pp<  
zc01\M  
9=O`?$y  
Ua\]]<hj"  
基本指标 C#d .3t  
4{=zO(>  
T"xq^h1\  
Model m-Q!V+XQp  
Optical Material Q1yMI8  
Nominal {+%|n OWV  
>?aPX C  
Frequency 8yij=T*  
Retardation Range b;G3&R]  
Useful Q>Voa&tYn  
iZ}Afj  
Aperture1 I .jB^  
G_vWwH4XtL  
Quarter Wave bnHQvCO3$  
Half Wave XHs>Q>`  
+z}O*,M"q  
I/FS50 h+=xG|1R[5  
Fused Silica w.Cw)# N  
50 kHz <qJI]P  
170nm - 2μm $c"byQ[3S  
170nm - 1μm N^</:R  
16mm 2[!#Xf  
w=Ai?u  
I/FS20 :0@R(ct;>  
Fused Silica 9 Rl-Jz8g  
20 KHz }p,#rOX:A  
170nm - 2μm 011 N  
170nm - 1μm .TZ0F xW  
22mm WK$75G,  
k{\wjaf)  
I/CF50 (=&z:-52V  
Calcium Fluoride qLC_p)  
50 kHz <L'!EcHm%]  
130nm - 2μm ASGV3r (  
130nm - 1μm ^u2unZ9BK!  
16mm QA|87alh  
o]T-7Gs4p  
II/FS20A stGk*\>U'  
Fused Silica |Y|6`9;  
20 kHz 5rp,xk!  
170nm - 2μm pHKcKqB*13  
170nm - 1μm cdd6*+E  
56mm B|9[DNd  
, e^&,5b  
II/FS20B oF'_x,0  
Fused Silica f2h`bO  
20 kHz WO;2=[#O;  
1.6μm - 2.6μm *<HA])D,  
800nm - 2.5μm JG^fu*K  
56mm Nm {|  
B:mtl?69g  
II/FS42A OVq(ulwi+  
Fused Silica ZG(.Q:1  
42 kHz #*;G8yV  
170nm - 2μm D[jPz0  
170nm - 1μm n[[2<s*YJ  
27mm M=rH*w{^  
hW<TP'Zm*  
II/FS42B %Z~0vwY  
Fused Silica ?uAq goCl  
42 kHz V2B@Lq"9`  
1.6μm - 2.6μm 7a0T]  
800nm - 2.5μm ]g] ]\hS  
27mm P~}Yj@2  
DXF>#2E^+  
II/FS47A Pk ?M~{S  
Fused Silica yC&u^{~BC  
47 kHz f]sc[_n]  
170nm - 2μm Dpb prT7_  
170nm - 1μm JnE\z*NB  
24mm 3g79/ w  
,vDSY N6  
)# os!Ns_A  
Mq~g+` '  
II/FS47B O[Yc-4  
Fused Silica tD^$}u6  
47 kHz \+Nn>wW.  
1.6μm - 2.6μm 5M v<8P~  
800nm - 2.5μm qV{iUtYt  
24mm sq rY<@%  
S1I# qb  
II/FS84 '"m-kor  
Fused Silica h"}c_l Y9  
84 kHz 0_&5S`tj  
800nm - 2.5μm byJR6f  
400nm - 2.5μm |=u }1G?  
13mm aN5"[&  
0<[g7BbR  
II/IS42B Um~DA  
Fused Silica Ir6(EIwx0  
42 kHz j&-<e7O=  
1.6μm - 3.5μm @ JfQ}`  
800nm - 2.5μm /{R>o0oW  
27mm o}b_`O  
1v~1?+a\2  
II/IS84 y9U*E80q{  
Fused Silica ^aI$97Li  
84 kHz  9dCf@5]  
800nm - 3.5μm /Ue_1Efa  
400nm - 1.8μm "'3QKeM1  
27mm ) :VF^"  
GZ1c~uAu  
II/CF57 "1wjh=@z  
Calcium Fluoride ?s5/  
57 kHz cGM?r}zJ  
2μm - 8.5μm (zml704dI)  
1μm - 5.5μm nN%Zed2O@6  
23mm /?%1;s:'  
m)ENj6A>yP  
II/ZS37 =))VxuoN  
Zinc Selenide je;|zfe]  
37 kHz !NO)|N>  
2μm - 18μm P,<pG[^K  
1μm - 9μm :h8-y&;  
19mm [:MFx6  
*J3Z.fq%:i  
II/ZS50 EkpM'j=  
Zinc Selenide c[+uwO~  
50 kHz ms6dl-_t  
2μm - 18μm 24I\smO  
1μm - 10μm GK&R,q5}  
14mm ~m3Tq.sYrY  
63SmQsv  
II/SI40 H;N6X y*~  
Silicon Rm[{^V.Z$  
40 kHz 4Z0Y8y8)  
FIR - THz x31Jl{x8\?  
FIR - THz }u.I%{4  
36mm ]D<3y IGS  
iE#I^`^V  
II/SI50 s x2\  
Silicon B8 r#o=q1  
50 KHz a 9!.e rM  
FIR - THz $T7(AohR  
FIR - THz ! i8'gq'q  
29mm Ey&gZ$|&  
`Y,<[ Lnr  
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