| 昊量光电 |
2012-08-23 10:15 |
光弹调制器
美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。光弹调制器(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,光弹调制器(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时光弹调制器(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 ?T>N vKF B,A\/%< _D1)_?`a@- 光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括: E{'\(6z_ Rm@F9D[, 1tH#QZIT 非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率 deutY.7g 超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°) ,u 波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ) I!~3xZ 高损伤阈值 B_0]$D0
^ 可精确控制相位延迟 '>% c@C[ A~'p~@L 0Pg@%>yb~ PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。 zi,":KDz# {G _|gs ^ANz=`N5, OJ}aN>k 需要进一步了解关于光弹调制器原理,请点击这里 a0cW=0l= NqN9 kk/vgte-)e D o!]t7Y$ 应用举例: $)7Af6xD `,6^eLU 光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf \LDcIK= zfUkHL6 fq0[7Yb s *<T5Z &sS]h|2Z5 Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列: bt?)ryu 1)!]zV GC~N$!* Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 :']O4v#^ b'4r5@GO Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 avH3{V ^Kh>La:>O .t{?doOT SwmX_F#_ Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 ^s?i&K,! c]:@y"W5$ x`p3I*_HT5 r7N%onx TABLE 1 PX,fg5s\b edh<L/%D pPZ^T5-ks )hK1W\5 SPECTRAL REGION ~sc@49p SERIES AmT*{Fz8 MATERIAL 2N_9S?a3sK Z!qF0UDj Vacuum UV, UV }ilX
2s?> I r#K" d Lithium Fluoride .s<tQU , MU9p* Vacuum UV to mid-IR '#x<Fo~hT I,II ak;S Ie Calcium Fluoride }#U3vMx( 7$I *ju_ Vacuum UV to near-IR W[j7Vi8v I,II 'P~6_BW Fused Silica }sS1p6z JZrUl^8E Mid-visible to mid-IR AkRZUj\ II Voc&T+A m Zinc Selenide Zu %oIk eE;")t, Near- to mid-IR ,<?M/'4}G II X+XbIbUuL Silicon F`YxH*tO7 &g-uQBQI# vR"<:r47? JSm3ZP|GqJ H0i\#)Xs 相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。 tc<t%]c uu582%tiG prg8Iq'w a'ODm6# {01wW1 八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。 >zAI#N4 QabYkL5@
j>OB<4?.+ &g<`i{_ & A<Pf.Us tC -H2@ 可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师) 7oI^sh k Aw *:5 I[
vmXY}Ul 增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 kpN'H_ . 请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 l?%U*~* 无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉 v{2Vg 特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 #i GRi!$h 特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH r3b~|O^} 特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 v+Q#O[ 真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds 8W_X&X?Q 磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中 kY6))9 O 2tqO%8`_ M^^u{);q &j7l#Urq 基本指标 VgNt XJ;JDch ico(4KSk Model qlg~W/ Optical Material X7]vXo* Nominal o^!
Zt 9 -h8!O+7 . Frequency *7I=vro Retardation Range ?%HtPm2< % Useful W$Bx?}x($ VRoeq { Aperture1 `'[ 7M <ZNa` Quarter Wave EF{_-FXY Half Wave !2N#H~{ ca_8S8lv I/FS50 #|8!0]n' Fused Silica ;.h5; `& 50 kHz yXw xq(32 170nm - 2μm .n`MPx' 170nm - 1μm pz^"~0o5 16mm c"J(? 1O >}/"gx I/FS20 !`='K
+ Fused Silica R#bg{| 20 KHz 1W
HR;!u 170nm - 2μm xZmKKKd0* 170nm - 1μm 'F+O+-p+ 22mm 0r=Lilu{q FO}4~_W{ I/CF50 k>n^QHM Calcium Fluoride (.!q~G 50 kHz {R,rc!yF 130nm - 2μm W.n@ 130nm - 1μm i4!n Oyk 16mm {\ziy4<II 'eqvK|Uj: II/FS20A S-yd-MtQp Fused Silica ld[]f*RuW 20 kHz $YaL3n 170nm - 2μm a+mq=K 170nm - 1μm miHW1h[= 56mm j&m<=-q m$hSL4N II/FS20B ,l7ty#j Fused Silica %_SE$>v^ 20 kHz r:Cad0xj;^ 1.6μm - 2.6μm ,-DE;l^Q= 800nm - 2.5μm L +. K}w 56mm ? *I9 4b3p,$BWS II/FS42A w6Tb<ja Fused Silica o<l4}~a 42 kHz -07(#> 170nm - 2μm ^Z:x poz, 170nm - 1μm a9jY^E'|n 27mm rzaEVXbz1 l/rhA6kEU II/FS42B cB<0~& Fused Silica [EGE| 42 kHz J;q3
fa 1.6μm - 2.6μm rhn*kf{8 800nm - 2.5μm JBUJc 27mm Z^GriL !>S'eXt II/FS47A [V jd)% Fused Silica ~Nc]`95 47 kHz PL+fLCk,I 170nm - 2μm J;T_9 170nm - 1μm c@nl;u)n 24mm B~PF <8h5 Va*Uwy?x/) #{
Uk4 6o1.?t? II/FS47B +Qc^A Fused Silica \v-> ' 47 kHz >9u6@ 1.6μm - 2.6μm o!\O) 800nm - 2.5μm E!Fy2h>[Z 24mm B|GJboQ %] #;
~I% II/FS84 -ZyFUGd% Fused Silica h0^V!.-5 84 kHz p6HZ2Q:a 800nm - 2.5μm VJR'B={h 400nm - 2.5μm BgpJ;D+N4 13mm Le3S;SY& iPFYG II/IS42B Bnxzy
n Fused Silica n3|~X/I 42 kHz ~l}TlRqL 1.6μm - 3.5μm |y:DLsom?i 800nm - 2.5μm D 1hKjB& 27mm g3Xz- wyc,Ir II/IS84 *UyV@ Fused Silica ToMX7xz6 84 kHz %*19S.=l 800nm - 3.5μm +p cj8K% 400nm - 1.8μm AV2q* 27mm ?&GMp[ FQ-(#[ II/CF57 e:,.-Kvzp` Calcium Fluoride l.34h 57 kHz =6W:O 2μm - 8.5μm zPw
R1>gL 1μm - 5.5μm {!/y@/NK2 23mm 0zTv'L [y{ag{ II/ZS37 ?\O+#U%W Zinc Selenide T*{zL 37 kHz Asn0&Ys4 2μm - 18μm 9e1 6 g 1μm - 9μm rvmI
8 19mm
yCkm| mhVoz0%1X II/ZS50 Gz6GU.IyQy Zinc Selenide vXnpx}B 50 kHz {&<}*4D 2μm - 18μm ,m"ztu- 1μm - 10μm f C^l9CRY 14mm FSQ&J|O <eh(~ II/SI40 K?;p: Silicon bK].qN 40 kHz Z*TW;h0ZQ3 FIR - THz EU@mrm? FIR - THz 3H%HJS 36mm *3ne(c rgYuF,BT. II/SI50 ,|#>X>^FQQ Silicon p;7 4+q 50 KHz ~r!5d@f.6 FIR - THz "~(&5M\8` FIR - THz {4QOUqA u 29mm tT8jC:oVa ^i8I 1@ =
|
|