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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。  ts=:r  
;oDr8a<A  
 ,CuWQ'H  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： i" )_Xb_1  
vUOl@UQ5  
XrWWV2[  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 +lhCF*@*N  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） `u PLyS.  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 3JkdPh  
    高损伤阈值 UT9u?  
    可精确控制相位延迟 HXztEEK6  
J_m@YkK  
RVLVY:h|F  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 AQT_s9"0  
^w2 HF  
.>P:{''  
r@bh,U$  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 SW'eTG  
o0|Ex\  
(Cfb8\~  
F"O\uo:3  
应用举例： Pnm$g; `P  
X{OWDy  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf "k{so',7z  
jX(hBnGW  
)|^8`f  
2Q5@2jT  
nJ xO.wWE  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： fb>$p_s]  
zB~ <@  
8T6NG!/  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 $~W5! m  
tp>YsQy]8  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 aekke//y  
3}F>t{FDk  
DL1nD5  
kLZVTVSJt  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 # #2'QNN  
QuPz'Ut#  
=DD KGy.g  
[H>u'fy:C  
TABLE 1 V|$PO Qa3  
   r9'[7b1l  
   !]82$  
=\5WYC  
SPECTRAL REGION t^FE]$,  
SERIES L-C^7[48=  
MATERIAL c {%mi  
J&,hC%]  
Vacuum UV, UV '5De1K.\`  
I P=jsOuW  
Lithium Fluoride ,)#rD9ZnC  
f!w/zC .  
Vacuum UV to mid-IR hRu}P"  
I,II Y$A2{RjRq  
Calcium Fluoride YZ4`b-  
3?]81v/  
Vacuum UV to near-IR X~0 -WBz  
I,II ]Z8u0YtM)  
Fused Silica /}8Au$nA  
Sq ]gU  
Mid-visible to mid-IR >RkaFcq  
II m{ !$_z8:  
Zinc Selenide m1Ya  
}3X/"2SW^  
Near- to mid-IR xL"J?Gy  
II O8A1200  
Silicon \2 N;V E  
SYA~I-OYc  
A+* lV*@0  
ZZI} Ot{  
`y.4FA4"8  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 D5@=#/?*  
@tm2Y%Y!  
N'WTIM3W  
"I/05k K  
!6=;dX  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 s0f+AS|}  
N wk  
{\`tt c>  
9d#?,:JG  
~Dq-q6-@t  
} u;{38~  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） yV:8>9wE8  
C?gqX0[ q  
Za|iU`e\  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 w!6{{m  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 \#:  W  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 (c0L H  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 KJec/qca  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 81{8F  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 C`i#7zsH  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds 6LCtWX  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 6GunEYK!N8  
Ba m.B6-  
+a.2\Qt2A  
K-TsSW$}  
基本指标 %"mI["{  
c8X;4 My  
{im?tZ,  
Model h#r~2\q4ei  
Optical Material hb3:,c(  
Nominal e7;7TrB.  
piM4grg \  
Frequency kiM:(=5  
Retardation Range -z`FKej   
Useful 3=uhy|f! /  
qo3+=*"V  
Aperture1 G]rY1f0  
pV ^+X}  
Quarter Wave \KhcNr?ja=  
Half Wave ' 9f0UtT|[  
qG;tD>jy  
I/FS50 Wf3BmkZzz  
Fused Silica 5HOl~E  
50 kHz gW~T{+f  
170nm - 2μm ny13+Q`^  
170nm - 1μm $~FZJ@qa  
16mm m* _X PY  
Bu=1-8@=qs  
I/FS20 8C*@d_=q  
Fused Silica &f. |MNz;  
20 KHz eWAD;x?.  
170nm - 2μm C7{VByxJ  
170nm - 1μm yk4 @@kHW  
22mm <K^a2 D  
b V  EJ  
I/CF50 8<Iq)A]'Z  
Calcium Fluoride gvT}UNqL  
50 kHz DW7E ]o  
130nm - 2μm Q")Xg:  
130nm - 1μm ,K,st+s|  
16mm !} h) |  
gaz7u8$A=  
II/FS20A O ixqou  
Fused Silica EX_j|/&tZ  
20 kHz $4g {4-)  
170nm - 2μm nDraX_sm=  
170nm - 1μm 95'+8*YCY  
56mm mh}D[K=~%  
} KyoMs  
II/FS20B Nksm&{=6S  
Fused Silica %.=}v7&<z  
20 kHz v>`Fo[c  
1.6μm - 2.6μm |-V:#1wR.]  
800nm - 2.5μm b+qd' ,.Z  
56mm y5eEEG6  
0L/chP  
II/FS42A C%Lr3M;S'  
Fused Silica  ?P +Uv  
42 kHz eX#.Zt]  
170nm - 2μm %mmV#vwp  
170nm - 1μm E \/[hT  
27mm 4:rwzRDY  
5{b;wLi$X2  
II/FS42B phH@{mI  
Fused Silica 4ekwmw(ox  
42 kHz nBk&+SN  
1.6μm - 2.6μm q~9-A+n  
800nm - 2.5μm fr(Ja;  
27mm J*rYw5QB  
Zm0VaOT$I  
II/FS47A =?C <@  
Fused Silica qj~=qV0p  
47 kHz $3"hOEN@5`  
170nm - 2μm \Vx^u}3O  
170nm - 1μm s\ C ,5  
24mm /o4e n  
H[.)&7M\  
%@C8EFl%3  
2*75*EQCH  
II/FS47B crv#IC2  
Fused Silica Rr [_t FM  
47 kHz ~B{08%|oK  
1.6μm - 2.6μm s\mA3t  
800nm - 2.5μm Ee}|!n>  
24mm gf>H-718F  
}o:LwxNO  
II/FS84 Mbxl{M >  
Fused Silica 7_oUuNw  
84 kHz |1_$\k9Y&  
800nm - 2.5μm j.]]VA  
400nm - 2.5μm ZX&e,X~V  
13mm h.K"v5I*  
2z !05]B%  
II/IS42B /b>xQ.G  
Fused Silica YT8q0BR]  
42 kHz #$W5)6ch  
1.6μm - 3.5μm 8WV5'cX  
800nm - 2.5μm 4)e1K/PJ)  
27mm n`Z}tQ%)o  
[c=W p  
II/IS84 s@:Yu  
Fused Silica !k% PP  
84 kHz ^^}htg  
800nm - 3.5μm 1P"7.{  
400nm - 1.8μm #EUT"^:d  
27mm <6-73LsHcP  
I<RARB-j  
II/CF57 kkZ}&OXS;  
Calcium Fluoride l/(~Kf9eQG  
57 kHz ~9o@1TO:v  
2μm - 8.5μm 0B8Wf/j?M  
1μm - 5.5μm *-=/"m  
23mm J=Kv-@I>E  
< xeB9  
II/ZS37 a^LckHPI>  
Zinc Selenide ]d(Z%  
37 kHz IN3-ZNx  
2μm - 18μm cr-5t4<jK  
1μm - 9μm qnyacI  
19mm +)yoQRekX  
Q0"?TSY  
II/ZS50 .BJoY <P*  
Zinc Selenide 8!35 K  
50 kHz j.6!T'$|  
2μm - 18μm sHPAr}14  
1μm - 10μm k(Xs&f `  
14mm 'eBD/w5U  
q 1xSylE  
II/SI40 }ACg#;>/+  
Silicon y(<{e~  
40 kHz  kVZs:  
FIR - THz =U~53Tg  
FIR - THz > A@yF?  
36mm :4[>]&:u3  
7R[7M%H  
II/SI50 ^7>~y(  
Silicon Pi1LOCq  
50 KHz 4P?`<K'  
FIR - THz 8fi'"  
FIR - THz !L;_f'\)6  
29mm i{N?Y0YQs0  
au19Q*r9  
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