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2012-07-13 14:29 |
APD雪崩光电二极管
提供两种不同类型的雪崩光电二极管（APD）,一种是硅基的，另一种是砷化镓为基的。根据材料和设计的不同，范围可以从550nm 到1650nm. ]m :Y|,:6
R:`)*=rL%
IAE系列 HF<h-gX
=u`tlN5pOT
InGaAs 雪崩二极管器件 B"rO
iEx4va-j
品牌：Lasercomponents h2 y<vO
!E6Q ED"
封装：S5，S6，S7，T6，T8，Y1 &W}6Xg(
2v<O}
型号：IAE200S5(TO-46 2pin)，IAE200S6(TO-46 }LY)FT4n
3pin)，IAE200S7(TO-46 low profile)， %R<xe.X
IAE200T6(TO-37 with TEC)，IAE200T8(TO-37 with TEC)，IAE200Y1(ceramic XM)
submount) -'
=?Hs.
击穿电压(Vb ld=10uA):40-80 q8}he~a
尺寸(um):Φ200 + ` ug?`_
波峰(nm):1550 tHEZu oi
响应波段(nm):1000-1650 4N5\sdi
IAG 系列 InGaAs k#-%u,t
雪崩二极管器件 G1Vn[[%k
品牌：Laser Components 封装(-)：S5,S6,S7,T6,T8,Y1光敏面积(-)：Ø200峰值响应(A/W)：10@1550nm k3T374t1b
暗电流(nA)：8 Mzw:c#
噪声等效功率(pW/sqrt Hz)：0.032上升时间(ns)：0.23带宽(GHz)：1.5@M=10击穿电压(V)：63温度(V/°C)：0.075 {mB!mbr
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选，主要用于雪崩光电二极管单光子探测器，激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。联系人：业务部 ~
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电话：010-57156408 'A9 Z ((
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