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2011-12-24 00:36 |
LED照明应用技术 (作者:Patrick Mottier, 译者:王晓刚)
《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后对OLED(即有机LED)技术进行了介绍。 >oyZD^gj 《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读,还可作为材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。 (_Rl
f$D 《LED照明应用技术》发光二极管(LED)的应用不再局限于商业性标志,目前正以无可争议的优势转向商用和家用照明领域。LED照明技术兴起于20世纪80年代,当时市售LED还不能发出蓝色波长的光,而蓝光LED的发明为LED白光照明的实现开辟了道路。从那时起,LED的性能(包括能量效率)得到显著提高,目前已经赶超了荧光灯,且仍有很大的提升空间。 H `_{n< 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,对面临的问题与挑战进行了讨论;接下来的几章内容介绍了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后几章的内容包括LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后详述了OLED(即有机LED)技术,它具有当前照明领域中最吸引入的重要的特殊性能。 gV-A+;u {fn1sGA [attachment=38639] PLK;y bO
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目录 awOH50R 者序 lR5k1J1n 原书序 +wm%`N;v< 前言 ,BlNj^5f 第1章 LED:原理与挑战1 fh9w5hT={ 1.1 光源领域的革新历史1 -\8v{ry 1.2 LED和照明3 Jy-V\.N>s 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量8 Vd A!tL 1.3.1 LED发出白光:原理与挑战11 :Gf 1.3.2 寿命13 +LaR_n[ 1.3.3 LED的品质15 \!4_m8? 1.4 LED面临的挑战16 +3r4GEa
Z 1.5 参考文献18 dU|&- .rG )8V=!73 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底20 EskD)Sl 2.1 简介20 DP!~WkU~ 2.2 晶体结构及其与6HSiC和Al2O3的外延关系22 ,xy$h }g 2.3 异质外延的缺点和约束25 "Pzh#rYY~W 2.3.1 位错25 qyR}|<F8* 2.3.2 衬底的解取向27 1W{t?1[s 2.3.3 外延应力28 j2=|,AmC 2.3.4 热应力29 \T^ptj(0 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长30 70N Lv 2.4.1 GaN生长30 B[r04YGh 2.4.2 标准2D外延32 dEPLkv 2.4.3 3D外延生长33 />V&
OX` 2.4.4 外延的横向过生长(ELO1S)34 ??,/85lM 2.4.5 各向异性生长35 J,t`ilT 2.4.6 两级ELOGaN生长(ELO2S)36 A%.ZesjAx 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长38 \y+@mJWa 2.4.8 纳米外延38 J{PNB{v 2.5 大块氮化物衬底40 ;~( yv|f6 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS(高氮压溶液法)41 }EN-WDJD\ 2.5.2 GaN的氨热合成42 WL}XD
Kx 2.5.3 GaN的卤化物气相外延(HVPE)42 J(Zz^$8]<? 2.6 结论44 $[+)N~ 2.7 参考文献44 GyQvodqD HD>UTX`&mc 第3章 III族氮化物高亮度LED51 2X 0<-Y#' 3.1 简介51 r)[Xzn 3.2 GaN的pn结52 Er<!8;{?
3.3 有源区:InGaN/GaN量子阱54 !iU$-/,1 e 3.3.1 生长和结构55 X1^Q1?0 3.3.2 光学性质56 OF O,5 3.4 辐射效率61 Dh)(?"^9A 3.5 结论与展望63 KDLrt 3.6 参考文献64 #F'8vf'r Fq'Ds[wd5 第4章 二极管工艺设计67 gm7 [m} 4.1 简介67
O<y65#68Z 4.2 数量级68 3shd0q< 4.3 二极管结构70 nt*K@ 4.3.1 常规芯片(CC)71 !3 zN [@w, 4.3.2 倒装芯片(FC)71 _tpOVw4I 4.3.3 垂直薄膜(VTF)72 =JN{j2xY 4.3.4 薄膜倒装芯片(TFFC)72 lec3rv0) 4.4 晶片级光提取73 96<0= 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积75 D|IS@gWa 4.5.1 n型接触76
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6dqFnz 4.5.2 p型接触76 /?u]Fj 4.6 蚀刻78 #E#Fk3-ljQ 4.7 移除衬底79 N, 4hh? 4.8 发展趋势79 =kBN&v_(! 4.9 参考文献80 d^d+8R ,n&Lp 第5章 封装83 XCyr r2^ 5.1 简介83 DC2[g9S>8@ 5.2 各种封装工艺84 O6Y1*XTmH6 5.2.1 历史背景84 u]&+TR 5.2.2 从晶片到芯片84 j eyGIY 5.2.3 带连接引脚的器件86 OtoG,~? 5.2.4 SMT有引脚器件86 c"/Hv 5.2.5 SMT无引脚器件90 |2Uw8M7.E 5.2.6 其他技术90 e//jd&G | |