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2011-12-24 00:36 |
LED照明应用技术 (作者:Patrick Mottier, 译者:王晓刚)
《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后对OLED(即有机LED)技术进行了介绍。 ]p.eF YDh7 《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读,还可作为材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。 $={WtR 《LED照明应用技术》发光二极管(LED)的应用不再局限于商业性标志,目前正以无可争议的优势转向商用和家用照明领域。LED照明技术兴起于20世纪80年代,当时市售LED还不能发出蓝色波长的光,而蓝光LED的发明为LED白光照明的实现开辟了道路。从那时起,LED的性能(包括能量效率)得到显著提高,目前已经赶超了荧光灯,且仍有很大的提升空间。 mK2M1r 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,对面临的问题与挑战进行了讨论;接下来的几章内容介绍了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后几章的内容包括LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后详述了OLED(即有机LED)技术,它具有当前照明领域中最吸引入的重要的特殊性能。 }:5>1FfX= > =Z@)PAe [attachment=38639] gUq)M v8L&F9
o 定价:¥ 48.00 M+N7JpR 价格:¥ 36.00 可以享受免费送货,货到付款! $CYB&|d )5M9Ro7 U2(|/M+ |NiWr1&i0 目录 389puDjy 者序 43?J~}<Vs 原书序 fP9k(mQX 前言 VC6S4FU4K 第1章 LED:原理与挑战1 N>A*N,+ 1.1 光源领域的革新历史1 ;_ ^"} 1.2 LED和照明3 B?xu!B, 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量8 G)E#wh_S^ 1.3.1 LED发出白光:原理与挑战11 u/h!i@_w[ 1.3.2 寿命13 |F'k5Lh 1.3.3 LED的品质15 e!5nz_J1} 1.4 LED面临的挑战16 1Jx|0YmO 1.5 参考文献18 V %cU@ v$`AN4)} 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底20 sDH|k@K 2.1 简介20 Z`l97$\ 2.2 晶体结构及其与6HSiC和Al2O3的外延关系22 mmVx',k 2.3 异质外延的缺点和约束25 t:
= 2.3.1 位错25 PG1#Z?_ 2.3.2 衬底的解取向27 <p'~$vK 2.3.3 外延应力28 oR=^NEJv 2.3.4 热应力29 g]g2`ab | 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长30 F H'jP` 2.4.1 GaN生长30 gJyFt8Z< 2.4.2 标准2D外延32 _`JYA 2.4.3 3D外延生长33 !S/hH% C 2.4.4 外延的横向过生长(ELO1S)34 <9S?wju4W' 2.4.5 各向异性生长35 U/B1/96lJ 2.4.6 两级ELOGaN生长(ELO2S)36 up~l4]b+ 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长38 z:aT5D 2.4.8 纳米外延38 \Mv8pU 2.5 大块氮化物衬底40 *mM+(]8US 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS(高氮压溶液法)41 'U)|m 2.5.2 GaN的氨热合成42 xy%lp{ 2.5.3 GaN的卤化物气相外延(HVPE)42 u_o>v{&i 2.6 结论44 <:u)C; 2.7 参考文献44 #zcp!WE.OI .,K?(O4AY 第3章 III族氮化物高亮度LED51 6dh@DG*k 3.1 简介51 j~G^J 3.2 GaN的pn结52
&Z+a ( 3.3 有源区:InGaN/GaN量子阱54 mmXLGLMd 3.3.1 生长和结构55 vpY|S2w)Bp 3.3.2 光学性质56 $J#}3;a 3.4 辐射效率61 .~a) 3.5 结论与展望63 gFvFd:"uZ 3.6 参考文献64 j\nnx8`7 J,fXXi)J 第4章 二极管工艺设计67 oy'Q#! 4.1 简介67 E0c5c 4.2 数量级68 [Bp[=\ 4.3 二极管结构70 {sy#&m(el 4.3.1 常规芯片(CC)71 H{x}gBQ 4.3.2 倒装芯片(FC)71 181-m7W 4.3.3 垂直薄膜(VTF)72
^sq3@*hCw 4.3.4 薄膜倒装芯片(TFFC)72 ij6M E6 4.4 晶片级光提取73 #kX=$Bzk 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积75 k6~k 4.5.1 n型接触76 !&C8y 4.5.2 p型接触76 :H<u@% 4.6 蚀刻78 _f,q8ZkSr 4.7 移除衬底79 "2CiW6X[M 4.8 发展趋势79 M~7?m/Wj 4.9 参考文献80 MUNeGqv )%C482GO- 第5章 封装83 8 &VwAo 5.1 简介83 ##,i< 5.2 各种封装工艺84 4(&00#Yxg2 5.2.1 历史背景84 1,W%t\D 5.2.2 从晶片到芯片84 9U58# 5.2.3 带连接引脚的器件86 qo.~5
5.2.4 SMT有引脚器件86 Tm_vo- 5.2.5 SMT无引脚器件90 *ZGQ`#1.X6 5.2.6 其他技术90 9L?EhDcDV 5.2.7 小结91 "twV3R 5.3 热管理92 @P"q`* 5.3.1 目的92 oCSf$g8q 5.3.2 散热方式92 XFmnZpqXH 5.3.3 LED内的散热93 <V"'j 5.3.4 各种封装工艺的比较95 K;-:C9@ 5.3.5 小结97 Q=gVxS 5.4 LED的光提取97 Px=/fO G 5.4.1 LED的横向光提取97 6%ID* 5.4.2 利用透镜实现垂直光提取98 kOR%<#:J 5.4.3 透镜和密封材料100 Q-}oe Q 5.4.4 透镜和密封的实现102 t2+m7*76 5.5 LED器件的特性102 4ej$)AdW3 5.5.1 热和电气特性102 UNYU2ze' 5.5.2 光学特性103 'y}A3RqN 5.5.3 筛选104 TDY}oGmNn 5.5.4 可靠性104 "6pjkEt4 5.6 结论与展望105 jRB:o?S 5.7 附录106 2Pi}<pG~ 5.8 参考文献109 Dw[w%uz `"(7)T{ 第6章 电致发光二极管的光电特性111 BD=;4SLT 6.1 LED的光度测定111 7"*-
>mg 6.1.1 基本知识概述111 OU9=O> 6.1.2 常用参数114 f|6%71 6.1.3 光度计/辐射计应具备的性能115 MkJL9eG 6.1.4 发光强度的测量118 zK:/
1 6.1.5 光通量的测量119 v1 oS f 6.1.6 光谱测量125 < | |