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2011-12-24 00:36 |
LED照明应用技术 (作者:Patrick Mottier, 译者:王晓刚)
《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后对OLED(即有机LED)技术进行了介绍。 x`3.Wu\ 《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读,还可作为材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。 p1?J 《LED照明应用技术》发光二极管(LED)的应用不再局限于商业性标志,目前正以无可争议的优势转向商用和家用照明领域。LED照明技术兴起于20世纪80年代,当时市售LED还不能发出蓝色波长的光,而蓝光LED的发明为LED白光照明的实现开辟了道路。从那时起,LED的性能(包括能量效率)得到显著提高,目前已经赶超了荧光灯,且仍有很大的提升空间。 u2om5e: 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,对面临的问题与挑战进行了讨论;接下来的几章内容介绍了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后几章的内容包括LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后详述了OLED(即有机LED)技术,它具有当前照明领域中最吸引入的重要的特殊性能。 _<Vg[-:1 QvNi8TB [attachment=38639] gyg|Tno WiwwCKjSa 定价:¥ 48.00 !g/_w 价格:¥ 36.00 可以享受免费送货,货到付款! G`WzJS*}v J ZNyC!u
b@F_7P% ^CX,nj_( 目录 E =
^-Z 者序 rl41#6 原书序 ls]Elo8h1f 前言 9Mut p4# 第1章 LED:原理与挑战1 9XY|V<} 1.1 光源领域的革新历史1 [L)V(o)v 1.2 LED和照明3 GZ.?MnG 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量8 GMt)}Hz 1.3.1 LED发出白光:原理与挑战11 a1_o.A 1.3.2 寿命13 ?({Pc F/ 1.3.3 LED的品质15 WVsKrFZT 1.4 LED面临的挑战16 '>4+WZ1w5 1.5 参考文献18 W *|OOa' W>VAbm 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底20 <vO8_2,V- 2.1 简介20 P'gT6*an," 2.2 晶体结构及其与6HSiC和Al2O3的外延关系22 b^;N>zx 2.3 异质外延的缺点和约束25 jCam,$oE 2.3.1 位错25 >DkN+S 2.3.2 衬底的解取向27 8UlB~fVg 2.3.3 外延应力28 7Im}~3NJG 2.3.4 热应力29 Yoj~|qL 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长30 zww? 2.4.1 GaN生长30 U8Cw7u2 2.4.2 标准2D外延32 )3+xsn v 2.4.3 3D外延生长33 ?BXP}] 2.4.4 外延的横向过生长(ELO1S)34 R20a(4m 2.4.5 各向异性生长35 /{49I, 2.4.6 两级ELOGaN生长(ELO2S)36 -aTg>Q|g& 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长38 1Qrm"TFo 2.4.8 纳米外延38 P]{B^,E 2.5 大块氮化物衬底40 Y^T-A}?` 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS(高氮压溶液法)41 Y!Usce 2.5.2 GaN的氨热合成42 LZ3rr- 2.5.3 GaN的卤化物气相外延(HVPE)42 aEV|>K=6Y' 2.6 结论44 /5a$@% 2.7 参考文献44 Ma
n^\gkCi qT&S 第3章 III族氮化物高亮度LED51 -zkW\O[ 3.1 简介51 G}Q}H* 3.2 GaN的pn结52 v GulM<YY 3.3 有源区:InGaN/GaN量子阱54 \5j22L9S 3.3.1 生长和结构55 oC^z_AtZ 3.3.2 光学性质56 7r:nMPX 3.4 辐射效率61 2{jtQlc 3.5 结论与展望63 +5N^TnBtBL 3.6 参考文献64 'Hcd&3a ])3lH%4- 第4章 二极管工艺设计67 oX%PsS 4.1 简介67 \emT:Frb 4.2 数量级68 UEx(~> 4.3 二极管结构70 tF{{cd
4.3.1 常规芯片(CC)71 bdNY 7|j` 4.3.2 倒装芯片(FC)71 ]l9,t5Y 4.3.3 垂直薄膜(VTF)72 ZlwcwoPib 4.3.4 薄膜倒装芯片(TFFC)72 s8/ozaeo 4.4 晶片级光提取73 4n`[S N 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积75 q[Sp|C6x 4.5.1 n型接触76 PaU@T! v 4.5.2 p型接触76 s/k 4.6 蚀刻78 ORFr7a'K 4.7 移除衬底79 Q_UCF'f;} 4.8 发展趋势79 a78;\{&L' 4.9 参考文献80 -wG[>Y .q~,.yI&j 第5章 封装83 Yg]FF`{p= 5.1 简介83 ;
HR\R 5.2 各种封装工艺84 s%0[DO3NV 5.2.1 历史背景84 $!
fz~ 5.2.2 从晶片到芯片84 ;dpS@;v 5.2.3 带连接引脚的器件86 U)T/.L{0i 5.2.4 SMT有引脚器件86 X(0:zb,#G* 5.2.5 SMT无引脚器件90 PLY-,Q&' 5.2.6 其他技术90 :&\E\9 5.2.7 小结91 q%)*,I< 5.3 热管理92 E Ni%ge'": 5.3.1 目的92 [|P]St- 5.3.2 散热方式92 CC]@`R5 5.3.3 LED内的散热93 {H"=PYR 5.3.4 各种封装工艺的比较95 iNaC ZC 5.3.5 小结97 b5iJm- 5.4 LED的光提取97 l[!C-Tq 5.4.1 LED的横向光提取97 d}^:E 5.4.2 利用透镜实现垂直光提取98 SFm.<^6 5.4.3 透镜和密封材料100 qH}62DP3 5.4.4 透镜和密封的实现102 r4z}yt+ 5.5 LED器件的特性102 ~O7cUsAi' 5.5.1 热和电气特性102 2EI m 5.5.2 光学特性103 t'_,9 5.5.3 筛选104 nd*!`P 5.5.4 可靠性104 [W7\c;Do 5.6 结论与展望105 o<eWg 5.7 附录106 PPIG?fK) 5.8 参考文献109 -`ys pE0? FKvO7? K 第6章 电致发光二极管的光电特性111 XDv7#Tv_wv 6.1 LED的光度测定111 3YZ3fhpw 6.1.1 基本知识概述111 Dv\:b* 6.1.2 常用参数114 P\G C8KV] 6.1.3 光度计/辐射计应具备的性能115 J*W;{Vty 6.1.4 发光强度的测量118 <:_]Yl 6.1.5 光通量的测量119 B39PDJ]hu 6.1.6 光谱测量125 \T#(rt\j 6.2 LED的电气特性127 c )P%O 6.2.1 正向电压127 }E\+e!'!2 6.2.2 温度效应128 1:~m)"?I_^ 6.2.3 光度测量用LED的工作条件129 /`]|_>' 6.2.4 规范化的立场130 ]Rys=.! 6.3 参考文献130 :_b
=Km< L"zgBB?K6 第7章 LED的白光品质132 D;;o 7.1 简介:白光和视觉品质132 )LS+M_
7.1.1 白光132 T_|fb)G+{ 7.1.2 与光品质有关的几个想法132 5a/
A_..+I 7.1.3 人类视觉功能:感受器、视网膜、大脑133 nm%4L 7.1.4 本章 内容134 uEi.nSp)S 7.2 比色法和测光法的概念134 t1_y1!uQ 7.2.1 比色法134 ( ;S]{z% 7.2.2 光度值137 i?s&\3--Y 7.3 用LED获得白光140 -<HvhW 7.3.1 基于短波长发射的白光二极管140 :?of./Df| 7.3.2 基于紫外光二极管的白光LED140 nQ(:7PFa' 7.3.3 将红光、绿光和蓝光结合140 %X-&yGY 7.3.4 多个LED结合和光谱优化的实例142 E/Gs',Y 7.3.5 白光LED颜色的标准化142 3@WI*PMc 7.4 光源的显色性143 ,EJ [I^ 7.4.1 CIE对CRI的定义143 Jhq5G" 7.4.2 详细计算过程145 ]KV8u1H> 7.4.3 CIE立场的改变,考虑了观察者的判断146 \iTPJcb5 7.5 改善LED的发光品质146 VBj;2~Xj4h 7.5.1 模型146 7-0twq
7.5.2 色彩模拟149 >j~70 ? 7.5.3 实验验证149 'H-YFB$l 7.5.4 关于视觉评判复杂性的结论151 u$`x]K=Zsm 7.6 LED在照明中的应用152 ^V;lZtZ 7.7 结论:优点、措施和展望152 U JRT4>G 7.8 致谢152 ng)yCa_Ny 7.9 参考文献153 x6cl(J} Env}g CX 第8章 OLED技术156 #i#.tc 8.1 简介156 KVe'2Q< 8.1.1 有机材料:发展史156 ra#)*fG,~ 8.1.2 第一个OLED器件的诞生156 3<Y;mA=hw 8.2 电致发光二极管157 lNnbd?D8 8.2.1 有机半导体的类别157 u2Z^iY 8.2.2 沉积技术概述158 */h9 "B 8.3 有机半导体:理论160 ENF@6] 8.3.1 有机化学半导性简介160 J+*Y)k 8.3.2 非晶态有机固体的电子输运模型162 f$*9J 8.4 OLED的电气特性164 k |aOUW 8.4.1 载荷子注入模型164 H"
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