| chenchao |
2011-12-18 16:20 |
中频非平衡磁控溅射制备 Ti-N-C膜
中频非平衡磁控溅射制备 Ti-N-C膜摘要：采用霍尔离子源辅助中频非平衡磁控溅射技术，通过改变工作气氛、 偏压模式、 溅射电流以及辅助离子束电流，在不锈钢材料基体上制备了 Ti/ TiN/ Ti (C ,N) 硬质耐磨损膜层。对薄膜的颜色、 晶体结构、 膜基结合力等性能进行了检测分析。 结果表明:膜层的颜色对工作气氛非常敏感，反应溅射中工作气氛的微小变化会引起表面膜层颜色很大的变化，在正常的反应气体进气量范围内和较小的基体偏压下 ，薄膜的晶体结构没有明显的择优取向，但是反应气体的过量通入会使薄膜的晶体结构出现晶面择优取向趋势，非平衡磁控溅射成膜技术对薄膜晶体结构的择优取向影响并不是很大，在镀膜过程中施加霍尔电流，可以有效地增加膜基结合力。 %Rf9 KQ
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关键词：Ti2N2C薄膜；非平衡磁控溅射；中频溅射靶；晶体结构；离子束辅助沉积
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