这个曾透膜如何镀，如何设计？
光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。 * \Y \$w
需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。 ^fLeP smd
用TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些参数，和后续的操作？ "(hhb>V1Wl
8/;q~:v
24)3^1P\V
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5_ @8g+~
Reference D-/K'|b
Wavelength(参考波长)： XF{ g~M
t]~L o3
Ocq.<#||H
J>Y wMl
lE Bt<
Illuminate（光源）： @ N,EoSb :
9=j"kXFf
Y{TzN%|LV
ThX%Uzd"[;
W27EU/+3
Incident 2<Tbd"x?
angle（入射角）： $&96qsr
P"J(O<(1-:
a
W`q
O!}TZfC
$!L'ZO1_r
Incident fQ5V RpWGn
medium（入射介质）： Vf#X[$pc/
{$,e@nn
]A:n]mL
/R&!92I0*
/vi> @ a
Substrate（基底） aU,Zjm7fp
K14e"w%6rs
EX%KfWDr
\`\& G-\
CA)DQYp{
Thickness（厚度）mm a$p?r3y
# Jv|zf5Z
t<M^ /xe2
.7Zb,r
~6z<tyD^
Exit hPa:>e
medium（出射介质） ~ztsR;iL
"d60IM#N?
=EI>@Y"
$<.\,wW*'w
:?%$={m
Detector（探测器）： 9k mkF ,
x2 *l5t
nqNL[w6{
?!=yp#
iB;EV8E
First _FXvJ}~m
Surface（第一面） #T1py@b0zA
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;/w-7O:
68
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V>V
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