光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。HindsInstruments公司的PEM光弹调制器可以在20~100kHz范围内改变光束的偏振状态。光弹调制器的作用就像一个“动态波片”，可以使快轴和慢轴之间的折射率差进行周期性的变化。通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，光弹调制器还可以是光在左旋，右旋两种状态之间进行转化。

PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。
光学特征
l  大通光孔径（15到30mm，标准）
l  超大接受角度范围（+/-20°）
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ）
l  高损伤阈值
l  可精确控制相位延迟

wI#8\|,]"z 光学头规格
_iwG'a[` 型号	2FcL-? 材料	p<R:[rz 频率	相位延迟范围		T.q2tC[bR 通光孔径
_iwG'a[` 型号	2FcL-? 材料	p<R:[rz 频率	>nSsbhAe 1/4 波长	6*8Wtq 1/2波长	T.q2tC[bR 通光孔径
77e*9/6@ I/FS50	6\|97;@94 Fused Silica	dzcF15H1 50 kHz	p_r`" 170nm - 2μm	CB7dr&> 170nm-1μm	&\|SWy 2N 16mm
!U`&a=k I/FS20	{f*Y}/@ Fused Silica	}A9#3Y\|F 20 kHz	{%jAp11y+O 170nm - 2μm	Z[vx0[av& 170nm-1μm	uf(ayDE 22mm
D)* I/CF50	[hJ1]RW8 Calcium Fluoride	s8j \|>R\|k 50kHz	;qx#]Z0 < 130nm - 2μm	,CE/o7.FG 130nm-1μm	%wD#[<BGn> 16mm
6(\|mdk`i II/FS20A	AbU`wr/h 4 Fused Silica	pDQ f(@M[ 20kHz	@uSO~.7 170nm - 2μm	5C w( 4. 170nm-1μm	MVatV[G 56mm
+/OSg. II/FS20B	z%&FLdXgW+ Fused Silica	;W\|kc</R* 20kHz	?7\V)$00(& 1.6μm- 2.6μm	w+$$uz 800nm-2.5μm	PZ[-a-p40 56mm
6:1`lsP II/FS42A	5hs_k[q Fused Silica	$KcAB0 B8 42kHz	+in)(a. 170nm- 2μm	}2 S. 170nm- 1μm	/4{WT?j 27mm
eAHY/Y! II/FS42B	7:`XE&Z Fused Silica	VPN 9 Ql= 42kHz	F`}'^> 1.6μm- 2.6μm	cIug~ x> 800nm-2.5μm	K'OG-fn; 27mm
+h)"m/mE II/FS47A	VPCI5mS_ Fused Silica	B'/U#>/ 47kHz	=^"Sx??V 170nm-2μm	Q0*E&;\| 170nm-1μm	g%2G=gR$?z 24mm
&oL"AJU II/FS47B	N2h5@*1Y Fused Silica	}OkzP)( 47kHz	V[ UOlJ 1.6μm-2.6μm	D5zc{) / 800nm-2.5μm	vc#o(?g 24mm
_JH.&8 II/FS84	5 nt3gVy Fused Silica	%Z;RY5 84kHz	;NP-tA) 800nm-2.5μm	NF$6yv9C 400nm-2.5μm	]36SF5<0r 13mm
]t[%.^5# II/IS42B	6/!:vsa"3 Fused Silica	at>_EiS 42kHz	UG vIHm 1.6μm-3.5μm	cMK\|t;" 3 800nm-2.5μm	LcKc#)'EE 27mm
(o>N*?,} II/IS84	wXNng(M7 Fused Silica	4DIU7#GG 84kHz	t!D'ZLw 800nm-3.5μm	F"Dr(V 400nm-1.8μm	tmGhJZ2j 27mm
mtUiO p II/CF57	&zn\|), Calcium Fluoride	RqROl!6 57kHz	4'faE="1)S 2μm - 8.5μm	Vy&X1lG: 1μm - 5.5μm	p5In9s 23mm
2e6P?pX~2 II/ZS37	%+r(*Q+0$f Zinc Selenide	$GoS?\G 37kHz	nS#F*) 2μm - 18μm	\Y,P 1μm - 9μm	MpKXC 19mm
HSud$(w II/ZS50	$#^3>u Zinc Selenide	Z%#e* O0 50 kHz	=K@LEZZ'/< 2μm - 18μm	R/u0, 1μm - 10μm	hn.(pI1 14mm
&4E\|c[HN II/SI40	['QhC({ Silicon	Ioe.[&o6B 40kHz	<mX5VGY9^ FIR - THz	7Kym\|Zg FIR - THz	R14&V1 tZ 36mm
!fs ~ > II/SI50	iBWzxPv:z Silicon	d{TcjZ 50 kHz	+sJ{9#6 FIR - THz	xpZ@DK; FIR - THz	(,"%fc7<i 29mm

如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司

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