光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。HindsInstruments公司的PEM光弹调制器可以在20~100kHz范围内改变光束的偏振状态。光弹调制器的作用就像一个“动态波片”，可以使快轴和慢轴之间的折射率差进行周期性的变化。通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，光弹调制器还可以是光在左旋，右旋两种状态之间进行转化。

PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。
光学特征
l  大通光孔径（15到30mm，标准）
l  超大接受角度范围（+/-20°）
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ）
l  高损伤阈值
l  可精确控制相位延迟

3dfSu' 光学头规格
L;;x%> 型号	2*N# %ZUX 材料	-!"8j"pA: 频率	相位延迟范围		\|tkmO: 通光孔径
L;;x%> 型号	2*N# %ZUX 材料	-!"8j"pA: 频率	6$Y1[ 1/4 波长	Oi RqqD 1/2波长	\|tkmO: 通光孔径
'=5N?) I/FS50	Q{l;8MCL Fused Silica	`1dr$U 50 kHz	niQA 170nm - 2μm	Iq9+ 170nm-1μm	BehV :M 16mm
GZo^0U,; I/FS20	\|?8wyP Fused Silica	HD\|5:fAqA 20 kHz	;1WclQ!( 170nm - 2μm	ft5Bk'ZJ 170nm-1μm	E^s>S,U[y 22mm
TD@'0MaQ# I/CF50	1*5n}cU~ Calcium Fluoride	q\\J9`Q$J 50kHz	R_csKj 130nm - 2μm	9%8T09I! 130nm-1μm	3N-(`[m{E 16mm
-kkXyO8js II/FS20A	5:6mptn> Fused Silica	K%;O$ > 20kHz	@#p4QEQA 170nm - 2μm	/*[a>B4-q 170nm-1μm	MFVFr " 56mm
d7@ N~<n II/FS20B	p^2pv{by Fused Silica	D:f# 20kHz	6eb5q/ 1.6μm- 2.6μm	dg-pwWqN 800nm-2.5μm	?r/7: 56mm
{Su]P {oJ II/FS42A	$>+-=XMVB Fused Silica	0\/7[nwS 42kHz	u%2u%-w 170nm- 2μm	'lWNU 170nm- 1μm	$*tuv? 27mm
BR\|dW4\ II/FS42B	F"LT\7yjyG Fused Silica	,y^By_1wS 42kHz	y jb.6 1.6μm- 2.6μm	ar{Yq 800nm-2.5μm	f+d{^- 27mm
E-r/$&D5mP II/FS47A	B]jh$@ Fused Silica	Kl^Yq 47kHz	3p7*UVR" 170nm-2μm	OuX/BMG 170nm-1μm	0DN:{dJz 24mm
eudPp"Km II/FS47B	h~dM*yo; Fused Silica	seJc,2Ex 47kHz	z\fk?Tj<ro 1.6μm-2.6μm	9~N7hLT 800nm-2.5μm	]RxNSr0e 24mm
<F&S II/FS84	A1i-QG/6 Fused Silica	y:1?~R 84kHz	qWo\|LpxWt 800nm-2.5μm	$WdZAv\_S 400nm-2.5μm	e7<~[>g) 13mm
:5;[Rg5 2 II/IS42B	g-6!+>w*>e Fused Silica	eK]GyY/Y 42kHz	^c+6? 1.6μm-3.5μm	ao 32n 800nm-2.5μm	vhT9#) HI 27mm
rsrv1A=t? II/IS84	Oi7\|R7NE Fused Silica	XxV]U{i! 84kHz	@w@rW }i0 800nm-3.5μm	75<E0O 400nm-1.8μm	H.'_NCF&;L 27mm
^ 3Vjmv II/CF57	WMrK8e' Calcium Fluoride	Rnj2Q!C2 57kHz	/K'Kx 2μm - 8.5μm	1w?X~VZAX 1μm - 5.5μm	\|`#[jHd 23mm
K{HdqmxL.I II/ZS37	E\|#'u^`yv Zinc Selenide	;u,5 2 37kHz	}**^g: 2μm - 18μm	r/8,4:rh 1μm - 9μm	""TRLs!:M 19mm
BC&Et62* II/ZS50	~d28"p.7 Zinc Selenide	z.#gpTXD 50 kHz	,v(G2`Z 2μm - 18μm	2N`Vx3 1μm - 10μm	Ro?yCy:L' 14mm
$yRbo'- II/SI40	;9d(GP}eE Silicon	yv,90+k 40kHz	Q"%L FIR - THz	OpYq qBf_ FIR - THz	DtyT8kr 36mm
kf^Wzp II/SI50	BYP,}yzA Silicon	;v#~o* 50 kHz	6$2)m;\| XY FIR - THz	Q-BciBh$ FIR - THz	7-bU9{5 29mm

如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司

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