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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 %zG;Q@
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Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 y0sR6TY)f
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顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 [pbo4e,4O
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[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] $xzAv{
PIN光电二极管 IpYM;tYw&
型号 特性 特性参数 应用领域 5rw 7 ;'
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 ^ q{9
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 NjVYLn<.r
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 aI P
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 0)Uce=t`
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 u+Y\6~=+
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 q]T1dz ?
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 r)y=lAyF>
nV"~-On
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 RIlw dt
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) E{XH? _xo
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω g%sluT[#
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 ? qPo=~y01
~ksi</s
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 a z Cf
/)YNs7gR
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 J"!v u.[
,]|#[ 8
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 `7c~m ypx
fz|cnU
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 '*K :
lx
CyJEY-
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 O x m>c[R
sd*p/Q|4
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 h }[-'>{
]OM"ZG/^
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 ~-ia+A6GIV
<CS(c|7
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 YN/|$sMD|
L uq#9(P
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 k
Z?=AXu
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雪崩二极管（APD） NSxoF3
APD型号 特征 特性参数 应用领域 WJ QvB=D&
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 (ceNO4"cZ
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 I@T8I v=
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 6c}h(TkB
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 Q A<
Rhv,
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 (7vF/7BZ|_
<` .X$r*
APD系列-8 高速/高增益 nL5cK:
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) Z?6%;n^ 54
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 = i$Fl{vH
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 | z9*GY6RU
1a?!@g )
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 $|L
Sx
*{YlN}vA
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 m}C>ti`VD
ohRjvJ'v|
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 WYH Q?
%P<hW+P!
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 R_ B7EP
T5R-B=YWu
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 r A`V}>Xj
8*W#DH!
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 iJ-23_D
A#K14Ayr
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 q z+dmef
;!=G
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 Vp#JS3Y
^&B@Uw 5{
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 o jafy}
sGi"rg#
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 riUwBiVa?2
];VA!++
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 {ME2ImD
u7Y
WnD
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 ?h3Y)5x T
,g%0`SO
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 ]q;Emy
FTX=Wyr
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 y0{u<"t%w
/ 'Ass(=6
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 q]\:P.x!>
i @C].X
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 <5-[{Q/2z
O_2pIbh
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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