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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 Ut_mrb+W <m1sSghg Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 j{"[Ec L=m:/qQL 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 6RP+4c [TEcg^ [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] u G[!w!e PIN光电二极管 nuxd S, 型号 特性 特性参数 应用领域 `M)E* G PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 HEpM4xe$ PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 k9&@(G[K3 PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 @>:i-5 PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 *]2R.u PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 iokPmV PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 $+TYvA'N PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 y;:]F|%< B@-"1m~la? PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 J 8q Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) piuKVU Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω IXJ6PpQLv 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 B.6`cM^ 97 S? ;T 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 uP Rl[tS0 0d`5Gy_ D% 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 ;Z4o{(/zU yLB~P7K 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 oXbI5XY)wb gDv$DB8- 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 Of#K:`1@ 6qDfcs 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 _k|g@" Efvq?cG& 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 uOFnCy 4 R=Ymo.zs6 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 RF!'K
ko
A!4VjE> 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 u?Z
<n: FW5}oD(H 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 =1/q)b,p) -nGwuEngP 雪崩二极管(APD) |=u96G~N APD型号 特征 特性参数 应用领域 6J"(xT APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 eK*W=c#@ APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 p_9g|B0D APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 on_H6Y@B52 APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 T*R{L APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 hMWo\qM wB2}uk7 APD系列-8 高速/高增益 c(E,&{+E Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) .v\PilF Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 }>,CUz 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 `1q|F9D M=6G:HHY 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 fzyzuS$ ]\`w1'* 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180
aH 8J):\jAZ6 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 ZHcONYAr jNIUsM8e 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 WDvV
LU` 4gya] 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 DUhT>,~] A'`P2Am 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 {Y^c*Iqn fRFYJFc n 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 RJLFj "\<P$&`HA 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35
2n(ItA ^1Yo-T(R 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 4/f[`].#W 97(n\Wt2 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 }|,EU!nDi smbUu/ 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 GeVc\$K- Uqr{,-]5v 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 d _uFY: )6g&v'dq 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 ff[C' zG<0CZQ8 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 TRo4I{L6S @EYK(QS- 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 tbY SK [{?;c+[ 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 j $KM9 Z+Xc1W^ 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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