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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 yV4rS6= 6o
cTQ}= Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 S}}L&
_ ~c\iBk 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 r:~q{ )?$zY5 [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] RF|r@/S PIN光电二极管 -TT{4\%s 型号 特性 特性参数 应用领域 >U9JbkeF PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 :G8:b. PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 tmgZNg
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 tupAU$h?! PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 7W]0bJK+E PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 l2h1CtAU PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 .`TDpi9OB PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 eelkK,4 OTmw/ #ug PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 GpC*w
~ Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) twr-+rm2 Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω p`=v$_]?( 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 Ja[7/ }xb?C""q^q 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 E
5N9.th 0qSf7"3f 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 3;<Vv*a"Dm 6-t:eo9 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 3jzmiS] t^|GcU] 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 iQ8T3cC+ 6BY(Y(z 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 6Q~(ibKx ~RU-N%Kn 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 qo!6)Z =>Q$S 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 M'sq{K9 +d'1 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 l\"wdS} 1F]jy
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 8 \Uy Fu\!'\6 雪崩二极管(APD) -Crm#Ib~ APD型号 特征 特性参数 应用领域 Cb
i;CF\{ APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 i~i
?M) APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 pp1kcrE\M APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 pdq5EUdS APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 Gg# 1k TK APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 I2^@>/p8\( t+tD APD系列-8 高速/高增益 xWxgv;Ah Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) <o"2z~gv Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 | h%0)_ 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 t+IrQf,P[ _`d=0l*8 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 J}Ji / n^2'O:Vs 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 ,wB)hp 9FcH\2J 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 l % 0c{E~ ~aL&,0 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 N+CcWs!E >)8<d3m 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 ^2-+MWW. ^<`uyY))Q 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 +BgUnu26 C%q]o 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 `^'0__<M uXm}THI 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 B]wfDUG L',7@W 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 @M=\u-jJ. ~zcB@; : 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 $LHF=tYS _qU;`Q 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 &]jCoBj+_ ;
-,VJCPi 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 iXD=_^^o . >d<tcaB 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 TLT6z[ LR%P\~ 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 3}x6IM2 XEb+Z7L 1 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 hO..j Po7oo9d 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 H5/w!y@ WF` 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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