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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 bW:!5"_{H 1B\WA8 Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 |1Z)E+q*: @PIp*[7oC 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 NX&_p!_V wdoR%b{M [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] f?)-}\[IR{ PIN光电二极管 J9 I:Q<; 型号 特性 特性参数 应用领域 (w zQ2Dk PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 H%{+QwzZ[j PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 hCo|HB PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 f)<6 PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 CNx8]
_2 PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 &,)&%Sg[ PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 7x8
yxE PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 o;RI*I VS|2|n1<6 PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 TJ*T:?>e Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) rW#T
vUn Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω f<6lf7qzC 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 M'l ;: nT)vNWT= 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 ll?X@S BLJj(- 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 {7pli{` U`s{Jm 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 >5SSQ\ 2~a k|f4Cf, 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 CTA3*Gn x$(f7?s] 1 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 Vf1^4t [a<SDMR 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 -D~%|).' ]J]h#ZHx 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 M"To&?OI e@YK@?^#N 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 +qdEq_m Uoix 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 3irl
(;v )BfAw 雪崩二极管(APD) /2VJX@h APD型号 特征 特性参数 应用领域 g#E-pdY APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 <QGXy= APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 h!9ei6 APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 S`Rs82> APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 PeEj&4k APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 )Xyn
q( I1&aM}y{G APD系列-8 高速/高增益 IO:G1;[/2L Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) q-d:TMkc Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 ( &x['IR 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 X#;bh78&- "5$B>S(Q 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 Ny)X+2Ae Z;)%%V%o 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 &PtJ$0%q ~4cC/"q$X 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 S:ztXhif> y1L,0 ] 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 K\c#ig iO;
7t@]- 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 8DaL,bi*. 'H <\x 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 R@rBEW& 0#^v{DC 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 E8&TO~"a]e }*"p?L^p{ 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 j"Pv0tehw '1/i"yoW 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 Q&bM\;Ml D.XvG _ 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 @Do= k 7Hu3>4< 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 +=8VTCn? $PHvA6D 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 k"w"hg&e 3=ymm^ 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 jo@J}`\Zt iAU@Yg`pt 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 Xla~Yg (dSL7nel;L 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 {Y9q[D'g . Ma"]PoP 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 lHX72s|V kMd.h[X~ 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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