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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 _<x4/".}B3 w@U`@})r. Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 |Rk$u 5yO%| ) 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 e>W}3H5w0 u\gPx4]4c [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] ][R#Q;y< PIN光电二极管 o'S&YD 型号 特性 特性参数 应用领域 "]|I;I"b PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 S7SD$+fX PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 |`d5Y#26 PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 SenDJv00 PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 \yeo-uN8 PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 yj!4L&A PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 lqPzDdC^> PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 -DgJkyt+< w+<`> PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 871taL= Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) qF!oP Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω ZujPk- 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 e-vwve 4f+R}Ee7 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 }r`m(z$z (9bFIvMc 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 cnfjOg'\{ 8:V:^`KaSs 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 Ik_u34U sYlA{Z" 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 % j4 *^]Hqf(` 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 bnS"@^M FF]xwptrx 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 H4#|f n S+LE ASOr 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 gp
Aqz Y /Q
Xq<NG 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 8.9TWsZ @SA:64
9 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 no_(J>p^& 4\*!]5i 雪崩二极管(APD) `/en&l APD型号 特征 特性参数 应用领域 KtWn08D! APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 A1{ 7g<k6 APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 Ji<^s@8Zc APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 KrwG><+j APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 FM\yf]' APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 59eq"08 04eE\%? APD系列-8 高速/高增益 (<RZZ{m Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns)
%W!C Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 4c"x&x| 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 <[9{Lg*D \-A=??@H 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 D@:w/W NE Br)~ 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 yHS=8! wBr$3: 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 D,FX&{TYU G,+-}~ $_ 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 >_9w4g_< -8;@NAUa 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 Q2wEt
>0a q cYF& 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 2, bo q}vz]L&o 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 gJYB)LjH" ^{L/) Xy5 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 j*uc$hC" wvH=4TT=w" 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 e!_+TyI ~";GH20 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 \^7D%a=;C rkw^ RW^ 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 6.X| .N sC
,[CN:b 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 E3IB> f <5oG[1j 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 Q
a(>$. h ~j}7Fre 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 kNW}0CDgs 4.?tP7UE 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 ivy+e-) ANuIPF4NxP 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 E+>$@STv# fTn 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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