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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 !a
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Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 >b^|SL
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顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 uLr 9*nxd
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[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] X MkyX&y
PIN光电二极管 /m>%=_ nz
型号 特性 特性参数 应用领域 wXj!bh8\r
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 \TchRSe
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 %~z/, [wk
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 $inpiO|s
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 1rhEk|p GZ
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 2y_R05 O0
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 zpPzXQv]/
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 Y @&1[Z
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PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 Mv\odf\]
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) -wA^ao
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω W.nQYH
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 xRTr< j0s
KDt@Xi 6||
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 Y$ tg z)
= aL=SC+
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 hu=b ,
)Fa6 'M
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 |dP [_nh?
& DUt`Dr w
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 _dg2i|yP<
7&I+mw/ X
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 ( C1@f!Z
| .8lS3C
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 1m$< %t.>
T*m;G(
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 c=
f _
/CXrxeo
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 fF~3"!1#\I
/Ah |Po
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 T3-8AUCK8?
rSGt`#E-s.
雪崩二极管（APD） jsXj9:X I
APD型号 特征 特性参数 应用领域 %cPz>PTW@
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 #gHs!b-g@
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 T~*L [*F0
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 i;' k Q
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 :yLSLN
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 &n|S:" B
.H.#W1`
APD系列-8 高速/高增益 :tc]@0+
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) d8Keyi8[
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 Sk'S`vH
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 ;k<n}shD
t1y
hU"(J
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 3I rmDT
E0g`
xf 6c
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 1|+Z mo"
%J_`-\)"{~
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 W ?*]' 0
p@/i e@DX
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 FIB 9W@oao
-ZmccT" 8
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 NlBnV
kQr\ktN\
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 ~y#jq,i/
k"J [mT$b
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 |"7^9(
Bt8
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 G=[ =[o\
F]#rH
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 GsYi/Z
UR/l M,N;
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 tkN5 |95
ypoJ4 E Z(
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 w( sD}YA)
nm!5L[y!0
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 pH?tr
Dm,*G`Js
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 /Dn,;@ZwAi
FfDe&/,/
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 f}4bnu3
S{ v [6 5
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 -SZW[T<N"
F2;k 6M@
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 )PM&x
d+5KHfkK
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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