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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 K O "U5v
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Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 pb1/HhRR^n
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顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 $ 5ZBNGr
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[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] J`a$"G B.
PIN光电二极管 f /RzE
型号 特性 特性参数 应用领域 72R|zR
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 B}8x A}<
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 t7tX<| aN
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 `z%f@/:fG
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 0]=|3-n
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 r$} M,! J
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 z&[Rw<{Psb
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 Ahk6{uz
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PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 3maiBAOKz
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) m`gH5vQa
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω w%R(*,r6
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 A@x a$!4}
3 ha^NjE
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 S0\QZ/je
;rZR9fR
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 Aon 3G
p;cNmMm
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 HZC^Q7]hy
p A7&
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 \=PnC}7I
R hR{EO
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 }A,9`
9$ZQuHSw 7
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 !qk+>6~A,
-J*BY2LU3f
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 W5 ^eCYHoi
yXP+$oox9
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 S?ELFq(g
T tTp ,If
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 4FUY1p
zLEl/yPE
雪崩二极管（APD） 6D3hX>K4
APD型号 特征 特性参数 应用领域 LG3D3{H(.
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 o; 5 J=
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 1) 7n
(
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 =y+gS%o$
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 G y 0 m
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 k|V%*BvY>
=hD@hQ i
APD系列-8 高速/高增益 r ,I';vm<`
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) F yleK+D?
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 e$ kBpG"D
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 sZ,xbfZby
mQ(6ahD U
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 Ai>= n;
\cJ?2^Eq
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 #o`y<1rN
V$wW?+ V
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 |Z6M?n
LFv O[&
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 8i$quHd&x
n!Hj4~T0
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 2kukQj (n
4-j3&(
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 _yx~t
].ZfTrM]
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 @ ;T|`Y=7
$~)BO_;o
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 aE aU_f /
vVvx g0
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 { "kE u
l-^2>K[
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 DA=#T2)p
6g fn5G
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 c_V^~hq
P" -*'q,9
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 Ygeg[S!7
|h^[/
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 #3VOC#.
'%Fg+cZN\
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 s txei
6
FZFYwU\~.L
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 Fw{:fFZC[
Y5mQY5u|
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 b@v_db]|t.
}xx "
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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