| 82851981 |
2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 8M9LY9C
P? QVT;]
Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 2VSs#z!
h7 uv0a~0
顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 e[5= ?p@|
;4 E(n
[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] AfQ?jKk&{'
PIN光电二极管 $inpiO|s
型号 特性 特性参数 应用领域 >LqW;/&S<
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 'V H%cz*
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 L H>oG$a
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 z
x e6M~+
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 {R5{v6m_
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 E05RqnqBn0
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 MqA%hlq
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 8Xo`S<8VS
.)eJ L
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 6x6xv:\
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) 4 VPJv>^
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω j?eWh#[K"
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 IiX`l6L~W
g)o?nAr
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 )Fa6 'M
%Fb4
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 :)cn&'l(S
K/^70;/!.
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 D7'P^*4_B
|Wo_5|E
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 K9-?7 X
vbol 70
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 KN41 kkN
fi/[(RBG
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 ="M7 F0k
+x?_\?&Ks
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 fF~3"!1#\I
wF@mHv
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 /Dh[lgF 0C
9!aQ@ J^
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 ue YBD]3 '
C^dn kuA
雪崩二极管（APD） HOEjLwH
APD型号 特征 特性参数 应用领域 >_ )~"Ra
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 hqPpRSv'
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 n\U3f M>N
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 GpW5)a
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 9)_fH6r
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 i/Nd
ig] hY/uT
APD系列-8 高速/高增益 *58`}]
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) h3 B s
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 G:n,u$2a<
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 pO2Y'1*
d|nJp-%V
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 7<'4WHi;@s
|~6X:
M61
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 <Z8I#IPl
@R!f(\
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 9`3%o9V9Y
n'dxa<F2|
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 /1h
0 l;
0Q2P"1>KT/
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 1|+Z mo"
( k@%04c
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 ]#UyYgPk
6NvdFss'A{
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 pi'w40!:
FIB 9W@oao
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 -ZmccT" 8
";I|\ T
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 ~ 6: <OdQ
3C=|
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 /& qN yo
h4j{44MT
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 h{ &X`$
N*k` 'T
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 YW|KkHi*
ql|ksios
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 F<KUVe
9M$=X-
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 JWu^7}@~=
ypoJ4 E Z(
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 3#d5.Ut
-I#]#i@gX
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 }'?N+MN
~S\Ee 2e>
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
|
|