| 82851981 |
2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 :@p`E}1r{
I4)vJ0
Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 InDR\=o
w gufk {:
顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 EXzY4D ^
Zdak))7
[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] {!=" PnB
PIN光电二极管 WRnUF [y+)
型号 特性 特性参数 应用领域 \jfW$TtZm
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 6? Wsg`9
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 G
cbal:q
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 :Rq D0>1
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 H4pjtVBr
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 Hnaq+ _]
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 j@:L M R>
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 n1LS*-@
\K4m~e@!
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 ]f\rB8k|&
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) (thzW r6;
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω 3 ) 7'dM
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 *7Mrng
JAn3
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 d,>l;l
\GkcK$Y
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 U9 If%0P
dzcPSbbpt
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 Rbl(oj#
9*x9sfCv9
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 =*'` \}];"
FkS{Z s
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 )Y :CV,`
eD/?$@y
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 b
:+
X3
.FC1:y<aO
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 yZ2,AR %
M"J $c42
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 ik]UzB
RS93_F8
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 )PwDP
aH~il!K
雪崩二极管（APD） f{vnZ|WD
APD型号 特征 特性参数 应用领域 \t(/I=E8/
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 rVO+
vhih
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 1, /oS&?E
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 a7CJ~8-1K
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 ?$gEX@5h
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 KUp
lN1Sy
"B\qp "N
APD系列-8 高速/高增益 18`?t_8 g
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns)
AKHi$Bk
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 4}0s^>R
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 4 A*' 0!H
uX p0D$a
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 TN0d fba[
A /o=a#
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 |+[ bKqI5
N#UyAm< 9
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 {>~|xW
.NPai 4V'
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 jKtbGVZ 7r
!]"T`^5,Y
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 9iv!+(n i
b,!h[
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 %II |;<
&< ~`?-c
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 _|#)tWy}
8J>s|MZ
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 0R; ;ou
e}Db-7B_~
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 f-3lJ?6
]@<O!fS
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 (l lg !1
l.& 6|
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 'Yj /M
h nyZXk1 |
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 VkUMMq{
d^,u"Z9P
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 ) K%AbKn
}PoB`H'K5
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 ] @Iz Jz"R
Of-l<Ks\
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 &'i> 5Y
1YQ|KJ*K
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 @C?RbTHy
x|1OGbBK
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
|
|