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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 ,ri--< A!Ct,%
Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 A;a(n\Sy aEdJ ri 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 YPDsE&,J)
Rha3 [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] +u:OAsR PIN光电二极管 >1pH 91c' 型号 特性 特性参数 应用领域 oe|<xWu PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 g4SYG)'R+ PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 ]m#MwN$ PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 O[p^lr(B7 PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 ]l7\Zq PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 )r,R!8 PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 T1!Gr!= PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 y&=19A# [Pc[{( PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 l%U_iqL& Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) lrX0c$) Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω 7RC096 ?} 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 ~nc([%!= *[~o~e/YCb 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 /A))"D 8Y~=\(5> 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 LI;Efy L x`6^+>y^ 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 zpr@!76 jo3}]KC ! 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 mS~ ]I$ dtnet_j 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 `CEj 4 <6O_t,K] 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 h4.=sbzZ Ar7mH4M 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 V52C,]qQH z>p`!-'ID 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 ?-:: {2O) >"<k8wn 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 ;,vL xgT~b9 雪崩二极管(APD) 27 145
APD型号 特征 特性参数 应用领域 zP h\3B APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 b801OF APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 T'b/]&0Tio APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 K7xWE,y APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 [kuVQ$) APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 *xo;pe)9 o|;eMO- APD系列-8 高速/高增益 YaNH.$.: Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) Q6!v3P/h Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 7}cDGdr 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 UUMdZ+7 _:Jp*z 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 "ryk\}*< E_D ^O 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 -?YT Q@ W $S=~YzO 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 4`U0">gY ig2+XR#% 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 ,s><kHJ c@ZS|U*( 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 .Y(lB=pV VwOG?5W/ 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 Q-8'?S t.E4Tqzc> 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 w &|R5Q 9XoQO 9*Q 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 8L-4}!~C _))I.c=v 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 5`E`Kb+@ h^A3 0f_x 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 Z<ajET`) gM3]%L_ 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 )W1(tEq59 ;;?vgrz 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 Ki/'Ic1 )W`SC mr] 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 l 70,Jo?78 ^.D}k 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 OpK.Lsd0y %-#
qO 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 ZMoJ#p( rps(Jos_~ 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 3duG.iUlL 2f|6z-Z 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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