| 槐花村人 |
2011-04-11 11:47 |
解析采用湿式蚀刻工艺提高LED光提取效率
1、 前言 eA>O<Z1>
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近几年来III族氮化物(III-Nitride)高亮度发光二极体(High Brightness Light Emission Diode; HB-LED)深获广大重视，目前广泛应用于交通号誌、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生长在蓝宝石基板(Sapphire Substrate)上，由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀係数(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差极大，所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)达108~1010 / cm2，此种高密度线差排则会限制了GaN LED的发光效率。 m&OzT~?_>N
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