| cyqdesign |
2011-03-01 17:15 |
目录 umc!KOkL
前言 @E1N9 S?>
第1章 光增益经典理论 R]dc(D
1.1 电磁波 GerZA #
1.1.1 波动方程 H&I 0 \upd
1.1.2 光学常数 rz4S"4
1.1.3 平面波 7l?-2I'c
1.1.4 光强度 W /IyF){
1.1.5 相速度和群速度 {Tx+m;5F
1.2 介质电极化 {oO!v}]
1.2.1 洛伦茨模型 $OmtN"
1.2.2 复电极化率 ^#;2 Pd>
1.2.3 K-K关系 0&<{o!>k
1.2.4 自由电子的贡献 p!=/a)4X
1.2.5 振子强度 wEk9(|
1.3 激光 qr :[y
1.3.1 光增益和光吸收 rLp0VKPe
1.3.2 折射率 ezFyd 'P
1.3.3 兰姆方程 ]^dX B 0
1.3.4 激光条件 } pA0mW9
参考文献 6x_8m^+m
q0Fy$e]u
第2章 光增益量子理论 /Z -|E
2.1 电子和光子 U j_%U2S$
2.1.1 微观粒子 97Whn*
2.1.2 电子 V<1dA\I"
2.1.3 光子 +3VY0J
2.2 电子光跃迁 %ePInpb
2.2.1 与时间有关的微扰 oA`N cu5
2.2.2 跃迁概率 HyZh27PE
2.2.3 矩阵元 ;vuok] @
2.3 光吸收和光发射 ~Xa >;
2.3.1 光吸收概率 &6h,' U
2.3.2 爱因斯坦公式 (T,ST3{*k
2.3.3 能带间的跃迁 fy7]I?vm@
2.4 密度矩阵分析 ~u.CY
2.4.1 密度矩阵 R9k
Z #
2.4.2 线性电极化 0&zp9(G5
2.4.3 光增益饱和 -K PbA`j+
2.4.4.振子速率方程 ,9=5.+AJ
参考文献 wTqgH@rGtR
F@[l& `7
第3章 半导体发光 64Q{YuI
3.1 半导体 U",kAQY
3.1.1 能带 Ak&eGd$d
3.1.2 载流子密度 k]w; (<
3.1.3 载流子复合 ^k/@y@%
3.1.4 载流子注入 1InG %=jLo
3.2 异质结构 PU[]
Nw
3.2.1 异质结 ] vQ n*T"^
3.2.2 双异质结构 0rooL<~fa
3.2.3 一『格匹配 EQ\/I(
=l
3.3 发光性质 "p0e6Z=
3.3.1 七选择条件 \K55|3~R
3.3.2 K?p微扰近似 :(E.sT "R
3.3.3 爱因斯坦系数 s@V4ny9x
3.3.4 振子状态密度分布 FZO}+ P
3.3.5 发射光谱 l 'm!e '7_
3.3.6 辐射复合系数 0.qnbDw_
参考文献 G,3.'S,7
*i?#hTw
第4章 光波导 AKu]c-
4.1 阶跃折射率平板波导 vjmN S=l
4.1.1 横向波函数 u8 Q`la
4.1.2 TE波 3P N<J
4.1.3 TM波 On z@A"
4.2 渐变折射率平板波导 ZuH@qq\
4.2.1 等效波导厚度 ?t46TV'G
4.2.2 平方波导分析 !o1+#DL)MU
4.2.3 线性波导分析 AhWc JD]
4.3 光波导性质 N6EG!*
.4.3.1 光波横向限制 I 82GZL
4.3.2 光波端面反射 plN:QS$
.4.3.3 光波端面出射 ? )X 0l
参考文献 {S,L %
b8@?fC+tm
第5章 谐振腔 4c0 =\v
5.1 水平谐振腔 Wa.y7S0(@
5.1.1 积蓄能量 v)1@Ew=Y%
5.1.2 光放大效应 Z4KY VHD,
5.1.3 光振荡效应 n%X5TJE
5.2 锁模谐振腔 }xJ ) .D
5.2.1 耦合波分析 >{R+j4%
5.2.2 分布反馈 rrz^LD
5.2.3 锁模效应 N.(wR
5.3 垂直谐振腔 Z}$wvd
5.3.1 分布布拉格反射器 kT^|%bB[i
5.3.2 垂直谐振腔设计 QN)EPS:y
5.3.3 径向单模条件 /3#)
参考文献 +7E&IK
fkk&pu
第6章 速率方程分析 \3q Z0
6.1 速率方程 ;XagLy
6.1.1 单模速率方程 XN|[8+#U<@
6.1.2 多模速率方程 rJtpTV@.
6.1.3 自发发射因子 @KJ~M3d0l
6.1.4 微腔效应 eU(cn8/}
6.2 稳态分析 qg1tDN`s
6.2.1 单模分析 q!f'?yFYK
6.2.2 多模分析 [$]qJ~kz
6.3 瞬态分析 `]F}O \H
6.3.1 小信号调制 ]Ub"NLYV
6.3.2 弛豫振荡 \&BT#8ELG
6.4 激光谱线宽度 <*_DC)&7 9
6.4.1 肖洛一汤斯展宽 b,h Rk1
6.4.2 自然展宽 [jnA? Ge:
6.4.3 相位涨落和强度涨落 NWue;u^
6.4.4 噪声展宽 C :r3z50
参考文献 03Uj 0.Z|7
<]Btx;}
第7章 半导体激光器 !(A<
7.1 双异质结构激光器 d C>[[_
7.1.1 电学特性 /`s{!t#Y
7.1.2 转换特性 =[do([ A
7.1.3 光学特性 Kt3T~k
7.1.4 调制特性 #u"$\[ G
7.2 量子阱激光器 ,Jrm85 oG
7.2.1 能带分裂 xcE2hK/+
7.2.2 载流子密度 |Ml~_m
7.2.3 水平矩阵元 6qR5 A+|;
7.2.4 量子阱半导体发光 'I Q;; [Q
7.2.5 阈值电流密度 a! g j _
7.2.6 应变层量子阱 yRy^'E~
7.3 垂直腔表面发射激光器 W
%<,G V
7.3.1 阈值电流密度 y/Ui6D
7.3.2 横向光限制因子 ` |p8zV
7.3.3 发热和散热 C23Gp3_0/
7.4 外腔激光器 b?,''t
7.4.1 光注入锁模 sq_
yu(
7.4.2 外腔反馈锁模 QC Jf
7.4.3 激光谱线变窄 Ex<@:
参考文献
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