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2011-03-01 17:15 |
目录 MgnE-6_c 前言 0WS|~?OR@ 第1章 光增益经典理论 ?Q:PPqQ 1.1 电磁波 j];G*-iv{ 1.1.1 波动方程 51/sTx<Z} 1.1.2 光学常数 J{H?xc
o 1.1.3 平面波 *. dKR 1.1.4 光强度 r /yHmEk& 1.1.5 相速度和群速度 8_awMVAy 1.2 介质电极化 |KaR
n;BM 1.2.1 洛伦茨模型 KL~AzLI 1.2.2 复电极化率 R\ q):, 1.2.3 K-K关系 th Q J(w 1.2.4 自由电子的贡献 q(1r<2 1.2.5 振子强度 W^|J/Y48 1.3 激光 ReqE?CeV 1.3.1 光增益和光吸收 %(NN*o9"q 1.3.2 折射率 m9b(3 1.3.3 兰姆方程 i0i`k^bA 1.3.4 激光条件 7uA\&/
, 参考文献 R}.3|0 b\M b*o 第2章 光增益量子理论 HYFN?~G 2.1 电子和光子 #rq?f 2.1.1 微观粒子 _M&{^d 2.1.2 电子 AA_@\:w^ 2.1.3 光子 +<B|qcT! 2.2 电子光跃迁 U[Nosh)hu\ 2.2.1 与时间有关的微扰 F%y{%
C7l 2.2.2 跃迁概率 hJ4S3b 2.2.3 矩阵元 Ir>2sTrm 2.3 光吸收和光发射 BWohMT 2.3.1 光吸收概率 ~RCg.&[ou 2.3.2 爱因斯坦公式 pNSst_!> 2.3.3 能带间的跃迁 d{l{P]nr 2.4 密度矩阵分析 [{/$9k-aF? 2.4.1 密度矩阵 A_]D~HH 2.4.2 线性电极化 x36NL^ 2.4.3 光增益饱和 Yim#Pq&_ 2.4.4.振子速率方程 ~Q_F~ 0y 参考文献 oB3q AP DUQ9AT#3 第3章 半导体发光 N@}gLBf 3.1 半导体 lf;~5/%wMG 3.1.1 能带 6VGo>b; 3.1.2 载流子密度 cL
ae=N 3.1.3 载流子复合 %/X2 l 3.1.4 载流子注入 :` ;(p{ 3.2 异质结构 "TUPYFK9 3.2.1 异质结 4xp j< 3.2.2 双异质结构 ?&XzW+(X 3.2.3 一『格匹配 v/ eB,p 3.3 发光性质 :K:f^o]s 3.3.1 七选择条件 -#daBx
? 3.3.2 K?p微扰近似 t+jIHo 3.3.3 爱因斯坦系数 u9 %;{:]h 3.3.4 振子状态密度分布 GIK
u 3.3.5 发射光谱 $>|?k$(x 3.3.6 辐射复合系数 *J.c $1#h 参考文献 Pb3EnNqYbM nQ!N}5[z' 第4章 光波导 W.z$a.<(rF 4.1 阶跃折射率平板波导 )4Bwt`VX 4.1.1 横向波函数 *-{Omqw 4.1.2 TE波 3V"dG1? 4.1.3 TM波 N:twq&[Y 4.2 渐变折射率平板波导 >Sh0dFqeT 4.2.1 等效波导厚度 nhp)yW 4.2.2 平方波导分析 EgFl="0 4.2.3 线性波导分析 icU"Vyu 4.3 光波导性质 QXsfp .4.3.1 光波横向限制 ys/`{:w8p 4.3.2 光波端面反射 )Kxs@F .4.3.3 光波端面出射 RFhU# 参考文献 ;B*L1'FF%t 8TUF w@H% 第5章 谐振腔 sw[<VsxjR 5.1 水平谐振腔 3e#x)H/dr 5.1.1 积蓄能量 zI1(F67d` 5.1.2 光放大效应 Pkj T&e) 5.1.3 光振荡效应 :fl*w""V@ 5.2 锁模谐振腔 r$94J'_ 5.2.1 耦合波分析 )~1.<((< 5.2.2 分布反馈 t>XZ3 5.2.3 锁模效应 (H'_KPK 5.3 垂直谐振腔 b?sAEU; 5.3.1 分布布拉格反射器 o-L|"3P 5.3.2 垂直谐振腔设计 lkI8{ 5.3.3 径向单模条件 5dbX%e_OP 参考文献 ;|Y2r^c :8GlyN<E 第6章 速率方程分析 \x3^ 6.1 速率方程 |G[{{qZM5 6.1.1 单模速率方程 Bidqf7v 6.1.2 多模速率方程 @\#'oIc| 6.1.3 自发发射因子 0=3FO}[u 6.1.4 微腔效应 UDhwnGTq(l 6.2 稳态分析 $0S.@wUG 6.2.1 单模分析 S~]8K8"sT 6.2.2 多模分析 $_4oN(WSz 6.3 瞬态分析 ;4+qPWwq8W 6.3.1 小信号调制 b>GqNf! 6.3.2 弛豫振荡 dw|-=~ 6.4 激光谱线宽度 AaJ,=eQ 6.4.1 肖洛一汤斯展宽 at_dmU2[7 6.4.2 自然展宽 ,{#RrF e 6.4.3 相位涨落和强度涨落 t't^E,E
.@ 6.4.4 噪声展宽 -U/I'RDLEz 参考文献 T2c_vY |6\FI? 第7章 半导体激光器 7vB9K _wCI 7.1 双异质结构激光器 AJJ%gxqGq 7.1.1 电学特性 'XC&BWJ 7.1.2 转换特性 6)tB{:h&~0 7.1.3 光学特性 sDz)_;;% 7.1.4 调制特性 >[A65q' 7.2 量子阱激光器 U'f$YVc 7.2.1 能带分裂 <z~2d 7.2.2 载流子密度 EZgxSQaPH 7.2.3 水平矩阵元 eLe,= 7.2.4 量子阱半导体发光 \i&vOH' 7.2.5 阈值电流密度 3G:NZ) p 7.2.6 应变层量子阱 A8A:@-e8A 7.3 垂直腔表面发射激光器 ogkz(wZ 7.3.1 阈值电流密度 mR!&.R? 7.3.2 横向光限制因子 ,_wm, 7.3.3 发热和散热 x"zjN'| 7.4 外腔激光器 S'v V" 7.4.1 光注入锁模 .=et{\ 7.4.2 外腔反馈锁模 B.C H9M 7.4.3 激光谱线变窄 KoxGxHz^Y3 参考文献
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