| cyqdesign |
2010-12-21 17:06 |
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L 第1章 光电信息技术物理基础 Bq,MTzxD 1.1 光的基本性质及其度量 WP'.o 1.1.1 光的基本性质 d+"F(R9 1.1.2 光辐射的度量 _>3#dk 1.2 半导体物理基础 w*X(bua@ 1.2.1 半导体的能带 uH#X:Vne 1.2.2 热平衡载流子 O\h%ZLjfO 1.2.3 非平衡载流子 AYDAt5K_ 1.2.4 载流子的运动 "BIhd*K[~ 1.2.5 半导体对光的吸收 -fN5-AC 1.2.6 半导体的pn结 a%`L+b5-$ 1.2.7 半导体与金属的接触 ! vuun | 1.3 光辐射电效应 @X P_~ N 1.3.1 光电效应 4}Lui9 1.3.2 热电效应 u/xP$ 习题与思考题 (3=bKcD' S'`RP2P 第2章 光辐射信息探测器件 ]C{N4Ni^Z 2.1 光电发射型探测器件 1B$8<NCQ=? 2.1.1 光电发射材料 7/K'nA 2.1.2 光电倍增管的结构及原理 -![{Zb@ 2.1.3 光电倍增管的主要特性参数 U*XdFH}vV 2.1.4 光电倍增管的工作电路 VBW][f 2.1.5 光电倍增管的使用要点 n^nQrRIp 2.2 半导体光电导型探测器件 yM7FR); 2.2.1 光敏电阻的结构及原理 4L r,}tA 2.2.2 几种常用的光敏电阻 }N:QB}7'_ 2.2.3 光敏电阻的特性参数 |)mUO:* 2.2.4 光敏电阻的特点、应用及使用要点 5@n|uJA 2.3 半导体光伏型探测器件 ry+|gCZ
2.3.1 光电池 NOf{Xx<#k 2.3.2 光敏二极管 \w-3Spk* 2.3.3 pin光敏二极管 '-#gQxIpD 2.3.4 雪崩光敏二极管(apd) h7S;
4] 2.3.5 光敏三极管 8E>2
6@. 2.3.6 pv器件与pc器件的区别及使用要点 ]qx!51S 2.4 半导体组合型光电探测器件 Z=l2Po n 2.4.1 象限探测器件 a(uQGyr[k1 2.4.2 楔环探测器件 xXJzE|)1h! 2.4.3 光电位置探测器件(psd) ob/HO(h3 2.4.4 半导体色敏探测器件 YVk
+zt~S 2.4.5 光电耦合器件 \aN5:Yy 2.5 热电偶与热电堆 QaXdO=3 2.5.1 热电偶 ca[*#xiJ 2.5.2 热电堆 |T-Ytuy8 2.5.3 热电偶与热电堆的应用及使用要点 ZIc-^&`r= 2.6 热敏电阻 `.wgRUhFH; 2.6.1 热敏电阻的类型、结构及原理 Y 2^y73&k 2.6.2 热敏电阻的特性参数 j`_Z`eG 2.6.3 热敏电阻的参数选择、应用及使用要点 Djf~8q V! 2.6.4 几种新型热敏电阻 S<5.}c R 2.7 热释电探测器件 T,B%iZ gCh 2.7.1 热释电探测器件的结构与原理 \?^ EFA+; 2.7.2 热释电探测器件的类型 {@s6ly]. 2.7.3 热释电器件的特性参数 k1LbWR1%wB 2.7.4 热释电探测器对前置放大器的要求 uL^X$8K;( 2.7.5 热释电探测器的应用及使用要点 &fnfuU$ 习题与思考题 v4\
m9Pu4 [Uj,, y.wB 第3章 光电成像器件 5UQ[vHMqI 3.1 光电成像器件的类型与电视制式 YP{mzGdE& | |