| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 nURvy}<r 核心 (YAI,Xnw D4AEZgC F, !c\7 已修复以下问题: C}Rs[ 0FG5_t"",\ 9TqnzD p:Iw%eZ: 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 G5!|y#T vAi"$e 未从设计文件中加载错误参数 !-KCFMvT ''_,S,.a20 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 H9sZR>(^ grGhN q 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 'n>K^rA vB Sm=M 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 ]AFj&CteZ/ j -#E?&2 无法在参数 > 性能中输入图层编号 W|lH lrCm9Oy 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 '^hsH1 NI^{$QMj 运行表 &8Zeq3~ M#ZT2~+CT 7`Qde!+C 以下问题已修复: 6e*%\2UA :){)JZ}-95 5$anqGw FU[*8^Z 芯片上的上一层并不总是正确选择。 QQ*gFP.Ao bdCykG- `a-Bji? YmOldR9v( V11.4.584 z3clUtC+ 核心 M
Z2^@It 'Cg V0&@ nZ~kZ |VS 以下问题已修复: dQ,Q+ON> SBC~QD>L+ Qy/uB$q{A )GK+ 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 ;;M"hI3@ 2bkJ /u`i V11.4.583 nkTYWw 核心 TM)u?t+[ \/n+j! _wmI(+_ 以下问题已修复: {y1q7Z.M I4ebkP gf *u}'}jC1X ,}KwP*:Z 目标生成器中没有回反射导数。 9YAM#LBTWi u
>4ArtF V11.4.582 D '<$ g 核心 e#1.T ^}hJL7O' as(; ] 以下问题已修复: 6s5yyy=L%~ wE?CvL =x1Wii$` -A}zJBcR 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 lirN YJ]tO rmsQt
V11.4.581 9j0o&Xn 核心 g>_OuQ|c f9a$$nb3` Zb"jB$58 以下问题已修复: 07FT)QTE 1\y@E _W}(!TKO g>yry}>04% Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 2[ksi51y C s#w72N V11.4.580 _KN:
o10U 核心 \ADLMj`F| $R?@L '$?du~L- 以下问题已修复: 57<Di!rt eVx~n(m!} V9Hl1\j^ t0.;nv@A0 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 ^&MK42,\ ke\[wa_!6b V11.4.579 7E\g
&R. 核心 O:IQ!mzV5 kM;o0wi Fm5Q&'`l 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 o,*=$/or </=3g>9Z r**f,PDZ $''UlWK 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 b]i>Bv 7&foEJ3q -?z\5z nmg{%P 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 03_pwB)^ 'fn$'CeM( W-m"@<Z /NU103F yt 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 r^5jh1 wDKELQ(yH
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