| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 ;W"=s79 核心 Q8d-yJs& |.]sL0;4Z Z'hHXSXM 已修复以下问题: [%?ViKW ":igYh 4^*+G]]wZ~ &Ul8h,qw 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 |azdFf6A:[ ULT,>S6r 未从设计文件中加载错误参数 `IC2}IiF MgpjC` 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 T( LlNq pUV4oyGV
当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 #E`wqI\' 7&O0 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 $0[t<4K`yn )\O;Rt( 无法在参数 > 性能中输入图层编号 58]C``u@Y Q}zd!* 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 %p; 'l f3;.+hJ]) 运行表 j'IZ etT NQ3EjARZt Gf<f#.5y
, 以下问题已修复: \bXusLI!l %+8"-u #ULjK*)R ?"@`SEdnU2 芯片上的上一层并不总是正确选择。
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fj]Q ORDVyb_x fk5$z0 / jA'7@/F/ V11.4.584 Bx" eX>A8 核心 l$:?82{ T8t_+|(
G HSG7jC'_ 以下问题已修复: pP|LSrY! (8Inf_59 0wE)1w<C~ YQ$Wif:@(n 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 %=*nJvYS E{8-VmY V11.4.583 Oj]4jRew 核心 . UaLP zd0[f3~ lHI?GiB@ 以下问题已修复: Ha41Wn'tZ
k:i}xKu ;!:@3c W*WSjuFr2 目标生成器中没有回反射导数。 Lk`,mjhk Qj3l>O V11.4.582 :pw6#yi8` 核心 6` 4, oR@1/lV 2qDyb]9 以下问题已修复: njGZ#{"eC @g%^H)T ZxoAf;U~ c 4
bo 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 s$ZKd iPK:gK3Q V11.4.581 b{(= C
3 核心 Aq,&p,m03 HLb`'TC3r+ K06x7W 以下问题已修复: %(ms74R+ 2*pNIc N?l uGY(` Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 ,tl(\4n d
Z P;f^^ V11.4.580 6QX2&[qWS 核心 JrGY`6##p cNG`-+U' Gq =i-I 以下问题已修复: +L-(Lz[p V*%Lc9<d 2@>#?c7 3Bbd2[<W 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 4O'%$6KR( LPS]TG\ V11.4.579 [;$9s=:[ 核心 V]6CHE:BS i'MpS k*|WI$ 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 eD)@:K AkA2/7<[ zw}Wm4OH ~mk>9Gp 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 Z ItS(oJ. |*JMCI@Mz >slGicZ0 @%
.;}tC 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 k[8{N Lem:zXj !"bU|a N'=b8J-fF 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 nRh.;G Z>_F:1x
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