| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 L;E9"7Jo
核心 Hz%#&E
O2e ty2}?f
aL+k1v[m
已修复以下问题： yxLGseD
c,X\1yLy
]%ikr&78u
IW uR=I$t
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 5pE[}@-c9
)5Gzk&|
未从设计文件中加载错误参数 tlI3jrgw
) d wPD
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 GkaIqBS
76mQ$z e
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 !|!: M Yn
HQ ^> ~
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 _"## p
m"X0Owx
无法在参数 > 性能中输入图层编号 ?f CLiK
0[);v/@Ho
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 [[oX$0Fp\!
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运行表 X.%Xi'H
L8/o9N1
< ;SQ1^N
以下问题已修复： kHm1aE <
b4S7 Q"g
zp,f}
P/,7CfyPd
芯片上的上一层并不总是正确选择。
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V11.4.584 T{{J'
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核心 <!-8g!
KFCuv15w,3
9IN =m 5
以下问题已修复： y? )v-YGu
Tf21K9+`L
rV[#4,} PF
yL_-w /a
验证站点密钥后，不会立即更新选项。
]i=-/
Lk4&&5q
V11.4.583 8Rc4+g
核心 3@XCP- `
Gx y>aS3
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以下问题已修复： ipw _AC ~
--D w8FR9
;7K5Bo
j<R,}nmD3\
目标生成器中没有回反射导数。 %0Ulh6g;Dt
o3]B/
V11.4.582 |\XjA4j
核心 *~lD;{2
JUF[Y^C
-]+ XTsL
以下问题已修复： nyw, Fu
OMvwmm
i>7f9D7
?*9U
d
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 (+>+@G~o
~Rs|W;
V11.4.581 o!aKeM~|Es
核心 ]BO {Q+?d2
N#bWMZ"
LCyci1\@
以下问题已修复： (W5E\hjJ
)>\ J~{
J=
ia
Hm-+1Wx
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 I{_St8
"SNsO f
V11.4.580 $P866F
核心 ed'}ReLK
GH7{_@pv8
{l0 ;G) -
以下问题已修复： Ke&lGf"5
j<szQ%tJlI
+LV'E#h!Q
= EyxM
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 [YHvy fk~_
xp)#a_}
V11.4.579 "f!*%SR:
1
核心 Dr6Br<yi
"2HRuqf
mIFS/C
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 HoH3.AY X
i>ORCOOU
JV3 6@DVQ
>: W)9o
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 JEdtj1v{O
tPO.^
>h[tHM
O
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6yaX8S
基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 6ynQCD
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2}$Vi$
R
IH\k_Yf# u
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 )P|%=laE8
f#eTi&w
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