| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 Wz=ZhE9g
核心 lFc3 5
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已修复以下问题： v7&$(HJ>]L
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 ef!I |.FW
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未从设计文件中加载错误参数 1$Eiv8xd
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多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 U (J?Q
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当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 78 UT]<Q;K
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 $f)Y
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无法在参数 > 性能中输入图层编号 *YtITyDS3>
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在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 nG8]c9\Q#
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运行表 FEdyh?$
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以下问题已修复： 9cj=Cu E
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W?6RUyMC$T
芯片上的上一层并不总是正确选择。 VF[]E0=u6
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核心 -2Ub'*qK
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以下问题已修复： .WtaU
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 Ad`; O+/;
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V11.4.583 t`Hw q
核心 p\!+j @H:
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以下问题已修复： T=>&`aZH
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目标生成器中没有回反射导数。 e`C' 5`d]
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以下问题已修复： VT-&"Jn
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O'j;"l~H|
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当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 u 2BVQ<SA
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V11.4.581 o&X!75^G>
核心 !".@Wg$
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以下问题已修复： ;O. U-s
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 FIW*N r
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V11.4.580 Grkj @Q*
核心 A;{8\e
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以下问题已修复： }`*]&I[P
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在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 Y[*z6gP(
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V11.4.579 g.&&=T
核心 8t h G-
C8a Yg
> \KBXS}
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 fMhMB |W.
J]Uki*s
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=|am=Q?Q
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 y%3Yr?]
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 1*(^<x+n
J[]YG+r
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H|Q)Tp Lk
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 Rs5G5W@"A
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