| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
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r^SWL \G-KplKS 5<w g8y 已修复以下问题: )&!&AlLn 3$X'Y]5a -{ZWo:,r~q w}=5ElB 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 \<g*8?yFs ~s5SZK* 未从设计文件中加载错误参数 [p<w._b i :>=\. \ 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 *BR ^U$,e ,TFIG^Dvq 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 O?|gp<=d KGg3 !jY 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 J_;o|gqX Dtj&W<NXo 无法在参数 > 性能中输入图层编号 AA7C$;Z15~ #_u~/jhX 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 Y0X-Zqk' r9dyA5oD 运行表 rOVVL%@QqJ hvaSH69*m ,I,\ml
以下问题已修复: p3^m9J /gG"v5] JeE;V![ yNTK . 芯片上的上一层并不总是正确选择。 v;ZA4c rh^mJUh gN"7be&J b1($R[ V11.4.584 ^N)R=tl 核心 y_?Me] UNBH pJtex^{!: 以下问题已修复: q*>&^V $M X93!bB j{Q9{}<e kbe-1 <72 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 0ik7v<: t)}scf&^x V11.4.583 ^t#&@-'(d 核心 ;4pYK@9w_ sjV!5Z HKUn`ng 以下问题已修复: sdo[D uwy:t!(j &*aIEa^ w {3<{ 目标生成器中没有回反射导数。 qO|R^De W}mn}gTQ V11.4.582 W@I|Q - 核心 k5kxQhPf
+O?KNZ lp^<3o*1 以下问题已修复: mUikA9u5= ,]d/Q< 0a XPPnuX cHk)i 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 lE(a%'36 P&^;656r V11.4.581
z\%67C 核心 $arK( m()RU"WY !*B'?|a<\ 以下问题已修复: wG-HF'0L #ZrHsfP E;R n`oxk 7\ s"o&G Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 KJaXg;,H _v> }_S V11.4.580 7%|~>
核心 %/zbgS` T~##,qQ &keR~~/ 以下问题已修复: FwkuC09tI =*c7i]@} (<xfCH
F5 kr9*,E9cv 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 f\sQO& CU@Rob} s V11.4.579 os:A] 核心 biU^[g(" ?En O"T. VKG&Y_7N 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 _C*fs<# gf
&Pn pUQ/03dp eoG$.M" 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 ':3pq2{ afuOeZP .yqM7U_ CFMo)" 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 pS'FI@.'{ pm
9"4 z y[)> yq y 1VG4S){}\9 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 d\|?-hY`[ )f[
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