| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 .T[!!z#^
核心 Vz+=ZK r5
9. ]Cy8
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已修复以下问题： 9e|{z9z[l
y^vfgP <@
M ]pel\{M
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 :5n"N5 Go
]ys 4
未从设计文件中加载错误参数 ueS[sN!
gw*yIZ @3)
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 bTI& # Hu
? Ix'2v
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 :ok!,QN
j/; @ P
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 4%Z\G@0<'
r[ i~4N=
无法在参数 > 性能中输入图层编号 UOOR0$ 4
J_)z:`[yE
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 0*'`%W+5
p3'mJ3MA
运行表 P"[l86:
Vf\?^h(tP
~]D \&D9=?
以下问题已修复： OQX{<pQ6
cnjj)
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[M zc^I&
OM#OPB
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 EZa{C}NQ$2
faKrSmE!
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V11.4.584 +{ ,w#@
核心 OD2ai]!v+
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'AlSq:gZ
以下问题已修复： n?ZH2dI \0
* <h
E.G h @i
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 Aj)< 8
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V11.4.583 %<#$:Qb.
核心 ]$`s}BN
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以下问题已修复： vNwSZ{JBd
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目标生成器中没有回反射导数。 8a If{(/k
+#*z"a`
V11.4.582 @_weMz8}
核心 -QNMB4
z$im4'\c
VRN9 yn2
以下问题已修复： <)*g7
JNz"lTt>[g
MZ+IorZl
g)G7
kB/<p
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 jU9zCMyNF
2b&;Y /z
V11.4.581 {XUfxNDf
核心 f"=4,
QCY{D@7T
.$x[!fuuR&
以下问题已修复： JSZ j0_ B
`"-!UkD+
rp[oH=&
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 " 5DA GMU
Q Fqv,B\<
V11.4.580 :? XHZ
核心 m
?tnk?oX
gm8Tm$fY
QNI|h;D
以下问题已修复： ^~IcQ!j/5
m_U6"\n 5
EqDYQ
7
Da[X
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在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 PY:#F|uHS`
=}o>_+"
V11.4.579 hADb]O
核心 )BTs *7 j
<T% hfW
nv[Sb %/
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 $0C/S5b
"._WdY[
%v)'`|i
O]LuL&=s y
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 k{w^MOHNg
Zdg{{|mm
vl(v1[pU
9i[2z:4HJ
基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 # i=^WN<V
>!p K94
BRLU&@G`1
D&d:>.~u
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 OQ*. ho
10 a*7 L
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