| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 MkC25 核心 ORs<<H.d 5Jp@n . G<4H~1?P 已修复以下问题: /jC0[%~jV 1'"o; a]k/ ,'= Y IJD'0/R'c 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 REW
*6: ~kS~v 未从设计文件中加载错误参数 58mzh82+ j()_
VoB1 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 }LM^>M% t.j q]L 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 (toGU Iu2RK 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 P{)HXUVb FGr0W|?v 无法在参数 > 性能中输入图层编号 x(hUQu 6 -F4CHpua 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 s_.q/D@vu 4_&$isq 运行表 |LcN_,}6 *;m5^i<,;S /6gqpzum4 以下问题已修复: m589C+7 67 }y/C]< PP[{c 4eU};Pv 芯片上的上一层并不总是正确选择。 S@Yb)">ZQ _R8)%<E _t:rWC"X aPcO9 V11.4.584 wI
#_r_ 核心 M_T$\z;, )UI T'*ow +{]/
b%P 以下问题已修复: b-M[la}1" g5V9fnb!d bNevHKS )}~k7bb}Y 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 6%U1%; Fu )V2[TY V11.4.583 @-kzSm 核心 yIXM}i: Mq[;: 5|r3i \ 以下问题已修复: <Sm=,Sw 3yr{B Xn >f'nl V F6OC4 K 目标生成器中没有回反射导数。 VXn]*Mo gO*cX& V11.4.582 89`AF1 核心 1^}()H62} 6\\B{%3R2 9 ?MOeOV8 以下问题已修复: wjq f u / OZ![9l V/"0'H\"1 ItYG9a 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 9w11kut-! WE|L{ V11.4.581 :&6QKTX 核心 +'uF3-+WY X[j4V<4O asQ pVP 以下问题已修复: Iy8gQdI C(?>l.QGw }YU#}Ip@ c*~/[:} Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 NZ{kjAd3c b1nw,(hLY V11.4.580 ;L(W'+ 核心 Ad@))o2 &r~~1BnpHm )\`TZLR 以下问题已修复: u$t*jw\fHg e>nRJH8pK Ip.5I!h[Xb L.U [eH 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 <g>_#fz"K -T4?5T_ V11.4.579 4%\L8: 核心 {(D$Xb \dIIZSN P8DJv-f` 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 K+ ufcct yHr/i) c Z=825[p D?@330'P9C 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 vq( @B LNXhzW vB/MnEKR J^n(WnM*F 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 ecA0z
c~ +c}fDrr) f]T#q@|lE }`f%"Z 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 C<qJnB:B9 ?Q9/C|
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