| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 DJ` xCs!R
核心 's$/-AV
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已修复以下问题： r |2{( +
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 Tj6kCB
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未从设计文件中加载错误参数 FY
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多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 g#o9[ s u
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当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 3 \K;y>NK
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 }j{Z
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无法在参数 > 性能中输入图层编号 `Dp4Z>|
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在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 9]:F!d/
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运行表 pW _mS|
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以下问题已修复： $Km~x
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 n >xuef
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V11.4.584 Qe`Nb4xf
核心 x^McUfdr|
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以下问题已修复： |Rz}bsrZ
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 ps*iE= D
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V11.4.583 oSl}A,aQ(
核心 0Z{u;FI
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以下问题已修复： r(<91~Ww
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目标生成器中没有回反射导数。 c_Iq!MH
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V11.4.582 d"S\j@
核心 #
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以下问题已修复： <ka zV<"
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O7p=|F"
Ct$\!|aR
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 {IT x Ht
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V11.4.581 A(z
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核心 7 ?8 +h
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以下问题已修复： IV%Rp h>d
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 3! 8 u
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V11.4.580 azG"Mt |7Z
核心 *P?Ruc g
M]xfH *
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以下问题已修复： W)L* zVj~
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在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 | g"K7XfM4
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V11.4.579 9[[$5t`8
核心 #!P>." .
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添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 <&tdyAT?&
f[?JLp
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 F6_e n z
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 RQ4+EW 1G
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2"WP>>b80
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 FJB B @<>:
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