chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 /m.6NVu7 核心 <_ddGg~ d,+d8X K`PF|=z 已修复以下问题: ?5jkb D{ @x k +&LOb7 tE=P9 \4 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 q\[f$==p v#nYH?+~mJ 未从设计文件中加载错误参数 E3;[*ve ~.yt 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 +hV7o!WxC MU%C_d%. 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 \ec,=7S<Zf 1+.(N:) + 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 &37QUdp+p ![{> f6{J 无法在参数 > 性能中输入图层编号 /wH]OD{ ]rXRon=' 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 Jc(tV(z !1w=_ 运行表 [|Jzs[ #3\F<AJ<VB WFsa8qv 以下问题已修复: d%u|)
=7 ~t.*B& A Mw*R~OX >z.o?F 芯片上的上一层并不总是正确选择。 D CcM~ )&;?|X+p d^!)',` <p-R{}8 V11.4.584 =K-B
I 核心 -*M/,O ^CDQ75tR -|"mB"Dc 以下问题已修复: {ajaM'x gle_~es'K {: T'2+OH> jDqe)uVvtV 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 Wg3y
y8vIW 0ua.aL' V11.4.583 A<ur20 核心 Gp6|M2Vu_5 Q]uxZ;}aF y.=ur,Nd 以下问题已修复: j7?53e +DY% Y
`0 4ac2^` 4'cdV0] 目标生成器中没有回反射导数。 _%?}e|epy Rs$k3 V11.4.582 `$ql>k-6C 核心 <w}YD @(f 3<88j&9 +ng8!k 以下问题已修复: b*+Od8r pd?3_yU )+'FTz` c EC<g7_0F 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 sk5h_[tK 7q&Ru|T33 V11.4.581 jeFX?]Q 核心 )hGRq'WA= mJ2>#j;5f *yN+Xm8o 以下问题已修复: k|(uIU* ] P:eY>~m<; y'?ksow K;a]+9C Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 O8%+5l`T! l}:&} V11.4.580 2MS1<VKZ@ 核心 $p#)xx7 oJE~dY$Q +&6R(7XC 以下问题已修复: >`R}ulz) NokAP|<y o?BcpWp &ejJf{id 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 JKN0:/t7Q H`odQkZ! V11.4.579 u/-ul 核心 A\nL(Nd fs_6`Xt owM3Gz%?UA 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 :y^0]In 9.:r;H G q$6fb)2I]e ^Tgu]t 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 s
~c_9,JK 3 (Bd`=9 Q}zAC2@L MHar9)$} 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 BV_rk^}Ur >={?H?C ;;#28nV WsO'4~X9 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 8@y@} /Z`("X?_Kf
|
|