chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 l+nT$IPF 核心 *Jwx,wF}4 ;_X2E~i[ `!( IQ& 已修复以下问题: <uG6!P Xb<>AzEM q-hR EO .Gt_~x 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 ;mT r'(*# 未从设计文件中加载错误参数 8bJj3vr d/Sw.=vq 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 ;rRV=$y Z% DJ{!Hnh 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 nEt{ltsS0 S=<OS2W7+r 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 :X}n[K QHXA?nBX 无法在参数 > 性能中输入图层编号 9?iA~r|+ ~^TH5n 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 `r'$l<(4WV )b?$
4<X^ 运行表 j7BLMTF3v 9OYyR YP
Qix 以下问题已修复: hd*GDjmRQ/ P$x9Z3d_ j1rR3)oP g=/!Ry= 芯片上的上一层并不总是正确选择。 Zg%tN#6y ?9;CC]D k|,Y_h0Y [l/!&6 V11.4.584 sW-0G$,| 核心 !r8_'K5R( [vY#9W"! 5sANF9o! 以下问题已修复: uPq@6,+ dS8ydG2 W#+f2 RR 0xx4rpH 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 ur.krsU hFo29oN V11.4.583 *c\XQy 核心 OxPl0-]t hF{gN3v5 UZdGV?o ? 以下问题已修复: %AN,cE* OwT _W)$ t`="2$NO P!"{-m' 目标生成器中没有回反射导数。 xL*J9&~iG ;mYZ@g%e V11.4.582 H|_@9V 核心 vV xw*\`<6 r .'xqzF/ h\p!J-V 以下问题已修复: DS;\24>H soLW'8 Rc:}%a%e suzK)rJ9i 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 b*Q3j}c Z Wsgp#W+ V11.4.581 Zf1
uK(6X 核心 .'&pw}F < =~=IZ) c9G%;U) 以下问题已修复: {_-T! yb N,Z*d oN[}i6^,e nw\C+1F Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 B$6KI 0zA;%oP V11.4.580 8{=|< 核心 HAL\j5i ht*(@MCr< Y6&v&dA; 以下问题已修复: KJV8y"^=Q IA<>+NS Lu{/"&) AmHj\NX$ 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 ]E-3/r$_cO :Fm*WqZu V11.4.579 cE:s\hG 核心 5q*s_acQ l;KrFJ6 >I0;MNX 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 p:TE## /='0W3+o*L $K!Jm7O\ S9Oz5_x 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 z]r'8Jc f*<Vq:N=\ -Uy)=]Zae \wD/TLS} 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 AwXzI;F^ McN[ r&m49N,d sWo}Xq# 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 X5YOxMq :Rb\Ca
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