| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 _6wFba@>/n 核心 }<dRj 1x[)/@.'f rL}YLR 已修复以下问题: Offu9`DiZ g55`A`5%C qu|B4?Y/CR ,Jd
',>3 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 9'r:~O y~75r\"R 未从设计文件中加载错误参数 &gjF4~W] q`pP$i: 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 @r?Uua v'e[GB0 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 KCWc`Oz B9wPU1 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 Dq)j:f#QM ai{Sa U 无法在参数 > 性能中输入图层编号 S%Us5`sd Ps 8%J; 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 *cEob b NOp609\^ 运行表 n/h,Lr)Z L:z?Zt)| ca>Z7qT! 以下问题已修复: &\Amn?Iq ;s52{>&F] ~{Mn{ ezMI\r6 芯片上的上一层并不总是正确选择。 ?yj6CL(, K3=3~uY e/^=U7:io AhNq/?Q Q~ V11.4.584 Hbpqyl%O> 核心
##4GK08! 0$-xw 46 PoM 以下问题已修复: ,13Lq- N"3b{Qio W]nSR RWco A$w4PVS 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 PnoPbk[< |M+<m">E V11.4.583 &cu lbcz 核心 o";Z$tAJkC {\(L%\sV@ ;vIrGZV< 以下问题已修复: +gLPhX:` q5#J~n8Wr l'3pQ; X#e1KZ 目标生成器中没有回反射导数。 ,L`$09\ ;dzL}@we V11.4.582 B4mR9HMh 核心 HTyLJe B|&"#Q /IM#.v 以下问题已修复: X0n~-m"m `3hSLR W]5USFan E~_]Lfs) 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 iySRY^ dx+hhg \L V11.4.581 UNkCL4N 核心 `YIf_a{ g2T -TG'd %y%j*B!% 以下问题已修复: YE9,KVV;$n oD$J0{K6 rhb@FE)Mc $]A/
o( Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 ,.qMEMm b%S62(qP V11.4.580 1hziXC0WY 核心 'FS?a :=[XW?L%x l!g]a2x* 以下问题已修复: 1rDqa(7 g'|MA~4yB \}
^E`b .k0~Vh2u 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 [ U wi MKWyP+6` V11.4.579 |USX[jm\ 核心 U8G%YGMG.4 (1NA 44F`$.v96 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 b&5lY p"d mb!9&&2-t r{rQu-|. ^*fxR]Y 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 ,-OCc!7K 3hK#'."`N W[}s o6 w-0mzk" 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 |a#f\ l}lIi8 u3o#{~E/# FSRj4e1y1 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 gB4U*D0[e~ h)Ff2tX
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