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2010-04-14 11:53 |
供应新型多种离子源
CDNY-07LZ霍尔离子源 产品概述 b'Gn)1NE
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用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。 X]q,A5g
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广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。 Jcxh I]E
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能够改善薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温高速率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。 K,YKU? z 6
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主要特点 /+ G&N{)k
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结构先进 T `46\KkN
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充分借鉴国内外先进的霍尔离子源的优点，具有独特的水冷和密封结构，经多次长时间的实验证明，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。 Ml8 '=KN_
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可在高温环境下长期可靠工作 LQSno)OZ
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在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能保证离子源在 300℃的高温环境下长期正常工作。
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等离子体束流大 GYot5iLg
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为避免基片损伤，需要采用低能量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小(<1.5A)而很难达到理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上取得突破性的进展，制造出大束流下(>4A)长期稳定工作的等离子体源。 Y3jb 'S4(
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空间均匀性强 OL* EY:]
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由于独特的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心 20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在 ± 20%以内。 )K\w0sjR
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完全适用于反应气体 Owalt4}C
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在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的活性和能量，对形成高质量薄膜至关重要。 本等离子体源可以在完全通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。 $H ^hK0?'
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安装简便、维护简单运行成本低 $53I%.
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本离子源的安装非常简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。 uj_u j!
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操作简单 =!r9;L,?
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离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳极的电压、电流。 tsq]QTA*
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主要性能指标 E ,5 j Y
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阳极电压 DC 50-300V 阳极最大允许电流 10A |{]\n/M
阳极电流范围 3-10A 最大离子束流 3.3A G}mJtXT#=
灯丝电流 18-40A 气体流量 20-100Sccm(氧) sj003jeko
外形尺寸(mm) Φ153×254(H) 电源尺寸(mm) 480(W)×240(H)×600(D) nm 66U4.@
面板尺寸(mm) 480(W)×133(H) 安装开孔 3个直径略大于33mm的通孔
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