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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 fLkC|  
2ryg3% +O  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: G{a_\'7  
1n>AN.nI  
1.正向特性 `@<)#9'A  
Z?eedVV@  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 OeQ~g-n  
qvJQbo[.9P  
2.反向特性 97}l`z;Z  
HJe6h. P  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 axkNy}ct  
1w 9zl}  
3.击穿特性 }ol<DV  
'H1k  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 sA,2gbW  
Bthp_cSmLs  
S<w? ,Z  
图1、二极管的伏安特性曲线 -x>2Wb~%  
7VfPS5se  
"3Ckc"G@  
4、频率特性 AASS'H@  
*OY Nx4k  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 @@6c{r^P  
u&o<>d;)  
二、二极管的简易测试方法 <7MxI@\  
~ =$d>ZNQ  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 ,e*WJh8k[  
msZ 3%L  
表 二极管简易测试方法 i6:O9Km  
(+bt{Ma  
, #(k|Zztc  
6eK7Jv\K  
三、二极管的主要参数 s`dUie}y<  
G4n-}R&'  
1.正向电流IF :-T[)Q+-3  
,GF(pCZzG  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 TJ0;xn6o  
U ~8, N[  
2.正向电压降VF 6{[ uCxxl  
~HUO$*U4<  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 wQOIUvd  
/t _QA  
3.最大整流电流(平均值)IOM 7hKfxw-X@  
#8B4*gAM  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 f"G-',O<  
*7yrm&@nG  
4.反向击穿电压VB `_pVwa<@w  
7@!3.u1B  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 yO J|t#  
uVZX53 ,g  
5.正向反向峰值电压VRM ] N7(<EV/  
\{}5VVw-S?  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 "'I |#dKoG  
< _ <?p&  
6.反向电流IR h"ATRr^  
"0?" E\  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 T $o;PJc  
wF{M"$am  
7.结电容C b}m@2DR'|m  
RnUud\T/  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 -nGLmMvd  
n wO5<b;  
8.最高工作频率fm < *db%{  
ZtOv'nTD  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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