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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 +HAd=DU  
au+6ookT  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: QV%,s!_b  
A#;TY:D2  
1.正向特性 aG*Mj;J  
ta  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 zWA~0l.2  
PI-o)U$Ehv  
2.反向特性 sKCfI]  
]y kMh  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ABG>W>H-S  
x<=<Lx0B;  
3.击穿特性 (_ TKDx_  
o[Gp*o\  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 5f}GV0=n  
9JtPP  
 26[.te9  
图1、二极管的伏安特性曲线 LX%UkfA9  
TGuvyY  
,6Ua+\|  
4、频率特性 vyhxS.[9  
uP.[,V0@^  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。  b^dBX  
o0B3G  
二、二极管的简易测试方法 [g Y.h/  
Om,M8!E  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 ~IQ2;A  
}uo.N  
表 二极管简易测试方法 S(NUuu}S  
w+Oo-AGNH  
gPf^dGi7t  
x7!YA>  
三、二极管的主要参数 Y'9<fSn5&  
;=i$0w9W  
1.正向电流IF ( L ]C  
{0J (=\u  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 IzWS6!zKU  
p}K\rpvJpu  
2.正向电压降VF O{&wqV5m"  
hcrx(oJ5  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 2E/yZ ~2s  
_usi~m  
3.最大整流电流(平均值)IOM G ]JWd  
|)pgUI2O[  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 K[Ao_v2g  
jHx)q|2\  
4.反向击穿电压VB 1 GB  
Zt{\<5j  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 5Vu@gRk_  
noSBwP| v*  
5.正向反向峰值电压VRM # fkOm Y7X  
k_A 9gj1  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 kFZjMchm A  
8pE0ANbq  
6.反向电流IR eGW~4zU  
KX$Q`lM   
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 =2tl149m/z  
jb {5   
7.结电容C {z0PB] U  
W:XN!  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 1 z5\>F  
N^U<;O?YDW  
8.最高工作频率fm @uzzyp r>  
{S=gXIh(y  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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