| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 5/Uy{Xt }`~+]9< 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: wAW5
Z0D kZ3ThIk% 1.正向特性 `W*U4?M 9q[oa5INd 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 S^ \Vgi( kPLxEwl 2.反向特性 <e</m)j Y0-n\| 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 CizX<Cr} emN*l]N 3.击穿特性 ?.;c$' )P|),S,;Z 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 oM`0y@QCf 0KOgw*>_
p=}Nn( 图1、二极管的伏安特性曲线 JcxThZP~ ,nDaqQ-C!! #4 pB@_ 4、频率特性 V6reqEh gSQJJxZ{? 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 g7W" I&W=Q[m 二、二极管的简易测试方法 _"rgET`vW @2 fg~2M1 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 q5)O%l ! 5"O.,H} 表 二极管简易测试方法 W|63Ir67 x+@rg];m
,1o FPa{? DN5 7p!z 三、二极管的主要参数 oEZdd#*;
}?Ai87-{ 1.正向电流IF wEvVL ( 0_2sfS 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 XuM'_FN`A< k_nql8H 2.正向电压降VF RdRp.pb8 *wB1,U{ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 .5ha}=z p4
^yVa 3.最大整流电流(平均值)IOM ExL0?FemWV Cd}<a?m, 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 \n|EM@=eE );&:9[b_ 4.反向击穿电压VB H*'IK'O 57']#j#"hj 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 |imM#wF 0[?Xxk}s0 5.正向反向峰值电压VRM PP33i@G u^8{Z;mm 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 XYOC_.f1 ^ Q ? 6.反向电流IR 5(Q%XQV*P N)\. [v 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 O) n~](sC\ j/c&xv7= 7.结电容C sLT3Y}IO uo%)1NS! 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 !Pfr,a L2i_X@/ 8.最高工作频率fm 4yr'W8X_ F8,RXlGfA[ 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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