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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 [/$N!2'5  
!ni>\lZ  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: p/*"4-S  
B+"g2Y  
1.正向特性 P1V1as  
aWGon]2p  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 ; )llt G  
JJnYOau  
2.反向特性 Uc&iZFid2K  
W&C-/O,m  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 Cj^{9'0  
2d`c!  
3.击穿特性 3Aj*\e0t  
Wi$dZOcSJ  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 %Q~CB7ILK  
tsv$r$Se  
x_!ZycEa  
图1、二极管的伏安特性曲线 o8ppMM8_R[  
o@k84+tn(  
o~1 Kp!U  
4、频率特性 Phs-(3  
Ik~1:D]f  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 &tE.6^F  
zwr\:Hu4  
二、二极管的简易测试方法 ,}J_:\j  
gQouOjfP  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 aE/D*.0NI  
=k{`oO~:9+  
表 二极管简易测试方法 4["&O=:d  
Vmi{X b]<  
X?o( b/F -  
J/W{/E>;  
三、二极管的主要参数 s>%Pd7:  
q p~g P  
1.正向电流IF *b)Q5dw@1  
IIz0m3';+  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 k \qiF|B)Z  
~?U*6P)o  
2.正向电压降VF I1"MPx{  
Em^ (  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 L*JPe"N -e  
I%lE;'x  
3.最大整流电流(平均值)IOM +  WDq =S  
(^n*Am;zlH  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 ]Pc^#=(R0  
:i*JnlvZ  
4.反向击穿电压VB tIuoD+AW  
Q0cRH"!:  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 HeA{3s  
glUo7^ay7  
5.正向反向峰值电压VRM Q-eCHr)  
!; v~^#M]~  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 B'weok  
HY}j!X  
6.反向电流IR I+;-p]~  
R,_d1^|*w  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 rg QEUDEQ  
jC, FG'P  
7.结电容C <4`eQ  
*}! MOqP  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 Qt+:4{He  
P0GeZ02]  
8.最高工作频率fm :Vuf6,  
Q^_/By@  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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