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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 ZU:gNO0  
w6E?TI  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: -bj1y2)n  
8l}|.Q#--  
1.正向特性 0<s)xaN>Y  
3^fZUldf  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 !?+3 jzG  
sF|$oyDE  
2.反向特性 Q \{\u J x  
"~+K`*0r8  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 '@:;oe@]  
lLg23k{'  
3.击穿特性 '/"(`f,  
9j,zaGD0  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 |FcG$[  
=-q)I[4#  
Onc!5L  
图1、二极管的伏安特性曲线 |Jq/kmn  
cf j6I  
E@@quK  
4、频率特性 oOD|FrlY  
1/{:}9Z@  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 U}5uy9A  
KS| $_-7 u  
二、二极管的简易测试方法 gWlmQl  
mj,r@@k:=+  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 /qp`xJ  
$Z(zO;k.  
表 二极管简易测试方法 bk7miRIB  
[lnN~#(Y  
t4<#k=  
Fj5^_2MU:  
三、二极管的主要参数 %\^x3wP&o\  
*i\7dJ Dj  
1.正向电流IF eIEcj<f  
wJgM.V"yb  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 w?/,LV  
! [:K/  
2.正向电压降VF FINM4<s)  
:,7VqCh3@  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 i@p?.%K{  
\l[5U3{  
3.最大整流电流(平均值)IOM "Fke(?X'  
j`#|z9`(pB  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 "RG.vo7b  
vw!i)JO8M  
4.反向击穿电压VB ~f@;.  
7O{\^Jz1  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 E+01"G<Q  
~<$8i}7  
5.正向反向峰值电压VRM VJNPs6  
JhD8.@} b~  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 8^~ljf]6  
A1Zu^_y'  
6.反向电流IR *$s)p>  
:2?'mKa7  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 Y6CadC  
sF|lhLi  
7.结电容C 9!R!H&  
a$KM q>  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 t,H,*2  
ngNg1zV/q  
8.最高工作频率fm Y<|L|b6  
6znm?s@~  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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