| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 E-XFW]I -3eHJccB 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 1)N{!w` XY1b_uY 1.正向特性 wC4:OJ[d ju%t'u\' 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 kr6^6I. 0F|DD8tHR 2.反向特性 'k9dN
\ev *d;D~"E<@ 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 {5N!udLDr5 Ri&?uCCM 3.击穿特性 ^VAvQ(b!:i -|&5aH] 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 s5SKQ#,@P L#X!.
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t? 图1、二极管的伏安特性曲线 s
u)AIvF{ L fx$M GO=3<Q{; 4、频率特性 {'R\C5:D7 @[(<oX% 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 dLIZ)16& +ZxG<1& 二、二极管的简易测试方法 {9yW8&m :KL5A1{ 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 f0,,<ib.w >7^i>si 表 二极管简易测试方法 Bm&% N?9 _ZD8/?2QV
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~b 三、二极管的主要参数 XexslzI {Y#$ 1.正向电流IF Z UCz-53 jQLiqi` 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 t,m},c(B: 8wQ|Ep\ 2.正向电压降VF P-c<[DSM'I #Z.2g]. 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 Rh.CnCbM _[_mmf1;:' 3.最大整流电流(平均值)IOM |rg4j y8QJ=v* B 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 Z 71.* Q+]9Glz9 4.反向击穿电压VB I||4.YT L&s|<<L 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 16N+ MU/3**zoW 5.正向反向峰值电压VRM L1i:hgq0] ]@D#<[5\ 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 vQiKpO* fqcFfz6?x 6.反向电流IR RN0=jo!58 "o
^cv 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 #=* y7w {zf)im[. 7.结电容C ]J%p&y+6 JO `KNI 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 }&h*bim 8A 3pYW- 8.最高工作频率fm QIg.r\>o uK5&HdoM 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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