小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 YI?y_S vCNYqa)m: 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ~&IL>2-B >^Z! 1.正向特性 3?(||h{ D&)gcO`\ 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 hMs}r,* M*c`@\ 2.反向特性 7"
cgj# <<![3&p# 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 <tTn$<b mE]W#?
3.击穿特性 ,
v6[#NU_Z PFIL)D
|G 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 HPj7i;?O G#0 4h{
Xl%&hM 图1、二极管的伏安特性曲线 P8s'e_t \h"QgHzp {Z|.-~W 4、频率特性 >!YI7) HgX4RSU 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 1<qq6 9x V9m1n=r 二、二极管的简易测试方法 ^\\cGJ&8c I|$_[Sw 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 Rf\>bI<. c>3W1" 表 二极管简易测试方法 }g _#.>D+ mvxg|<
: C;=<$ { l LUZM 三、二极管的主要参数 zUxF"g-W HWGlC < 1.正向电流IF d=wzN3 ;- sM~|}|p 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 4oOe *4[3?~_B#6 2.正向电压降VF n4CzReG 4aZsz,= 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 Hj;j\R >2 J2H8r 'T 3.最大整流电流(平均值)IOM Md_\9G .e diqG8KaK 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 q@u$I'`Bs +]|J 4.反向击穿电压VB s6). ?oE 4(YKwY2_L 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 OY`G _=6!N !cE)LG 5.正向反向峰值电压VRM ">voi$Kzey 'J<KL#og 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 BbiBtU "Rs^0iT7> 6.反向电流IR :d!.E$S E<&VK*{zcO 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 f+$/gz oChcEx% 7.结电容C hlkf|H !OWV* v2 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 vC J u 8N+ht@ 8.最高工作频率fm #.tF&$ik Yq)
wE|k/ 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
|
|