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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 i9.~cnk  
LeA=*+zP[  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: D2`tWRm0  
F j_r n  
1.正向特性 R0R Xw  
!vU$^>zo~  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 ?d*0-mhQ,  
xhAORhw#  
2.反向特性 eGZX 6Q7m  
J Cu3,O!q  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 I<q=lK  
x<'(b7{U0  
3.击穿特性 :wJ=t/ho  
tdTD!'  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 >g%^hjJ  
zDbjWd  
KLI(Rve24  
图1、二极管的伏安特性曲线 D:9/;9V  
"#H@d+u  
| fMjg'%{}  
4、频率特性 ~RV>V*l  
=v4;t'_^  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 Z&hzsJK{m$  
lF]cUp#<  
二、二极管的简易测试方法 o#KGENd  
U!E   
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 H+:SL $+<o  
({#9gTP2b  
表 二极管简易测试方法 z z@;UbD"  
-jc8ku3*  
93="sS  
4J=6A4O5Z  
三、二极管的主要参数 PiD%PBmUl  
'iM;e K  
1.正向电流IF <#U9ih 2  
wN[mU  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 tZS-e6*S  
;P9P2&c8c  
2.正向电压降VF gC81ICM  
SF.4["$  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 =HT:p:S  
mE3^5}[>  
3.最大整流电流(平均值)IOM 0n25{N  
LRO'o{4$E  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 MTZbRi6z  
yUb$EMo \  
4.反向击穿电压VB N=J$+  
]Mu + DZ  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 *B 7+rd  
*Mf;  
5.正向反向峰值电压VRM /"A)}>a  
f\sxx!kt  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 GE`:bC3  
o8+ZgXct  
6.反向电流IR DPuz'e*  
c[:OK9TH  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 Z^i=51  
6Q<^,`/T  
7.结电容C Qp{gV Ys  
jk-hIl&  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 aRBTuLa)fo  
8(R%?> 8  
8.最高工作频率fm OR[6pr@  
OhmKjY/}  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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