| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 \/y&l\ k) ; Oz
p 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ,fm{
krE P[Vf$ q< 1.正向特性 U[@B63];0 :f R GXrn 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 MB.LHIo lg jY\? 2.反向特性 "1ZVuI JQ\o[t 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 /q`f3OV" /-3)^R2H 3.击穿特性 DsiyN:o'+ J \I`# 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 wmX * n'l JCITIjD7=
1a},(ZcdX 图1、二极管的伏安特性曲线 fhQ N;7 V4%7Xj %vrUk;<35 4、频率特性 16N`xw+{ OgyHX>}bH 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 JG'&anbm -.vNb!= 二、二极管的简易测试方法 4+0:(=>[% ZpU4"x> 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 \88IFE DTx>^<Tk 表 二极管简易测试方法 EPeV1$ ns8I_H
sVIw'W <$'FTv 三、二极管的主要参数 `q1K%id s.@DI|Gnf 1.正向电流IF S L%lY bd.t|A 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 r6`KZ TU zeHs5P8}r 2.正向电压降VF |Iq\ZX%q 9=MxuBl 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。
zQ,ymfT Hh<}~s 3.最大整流电流(平均值)IOM }Xy<F?Mh pd}af iF 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 k%ckV`y
]4oF!S%F 4.反向击穿电压VB R&s\h"=* s$OnQc2/ 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 KZTT2KsYl >PiEu->P, 5.正向反向峰值电压VRM ;(9q, ) ucC'SS 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 cH\.-5NQ =wX(a 6.反向电流IR mE_?E&T`| *.NVc 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 1'[_J /=ro$@ 7.结电容C 9mH/xP:y }Z}4_/E 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 q%GlS=o" dJd(m&.|N 8.最高工作频率fm @phb5 cYp]zn+6 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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