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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 /^F$cQX(  
D3BNA]P\2@  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: lm 1Mz  
dLq)Z*r  
1.正向特性 Hve'Z,X  
=eNh))]  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 LQs>[3rK  
P$=BmBq18`  
2.反向特性 V7\@g  
RO?%0-6O&  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 (E.,kcAJ  
B9glPcy}SS  
3.击穿特性 Eoo[)V#x{  
C ~&~Ano,  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 D$wl.r  
H]XY  
ygA~d9"  
图1、二极管的伏安特性曲线 9ne13 qVm+  
O DLRzk(  
K Qz.g3,  
4、频率特性 {xGM_vH1  
XYM 5'  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 e[(XR_EY  
FYs-vW{  
二、二极管的简易测试方法 PDEeb.(.  
S3G9/  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 gq^j-!Q)Q<  
`~hB-Z5dI  
表 二极管简易测试方法 (pl|RmmDz  
/2n-q_  
?C[W~m P  
A=(<g";m  
三、二极管的主要参数 zP8a=Iv  
~KW|<n4m  
1.正向电流IF ]hPu  
ka^sOC+Y  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 :&{:$-h!  
ey~5DY7  
2.正向电压降VF yyj?hR@rZ  
K>tubLYh  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 )5479Eb_  
zv^km5by  
3.最大整流电流(平均值)IOM |\lsTY&2  
8)wxc1  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 @]rl2Qqe  
*K<|E15 ,  
4.反向击穿电压VB 3Dd"qON!  
{c;][>l  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。  *XlbD  
 <:,m  
5.正向反向峰值电压VRM cQ?eL,z  
_>G.  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 .]0u#fz0y  
$ e<108)]  
6.反向电流IR .}wVM`81z  
NM`5hd{  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 gyz#:z$p^  
EU@ BNja  
7.结电容C biBo?k;4  
8,0WHivg  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 Cw*:`  
vG{+}o#  
8.最高工作频率fm eNwF<0}  
G`_LD+  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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