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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 e2Ba@e-  
D",ZrwyJ  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: $UO7AHk  
'2v,!G]^  
1.正向特性 q<.^DO~$L  
prhFA3 rW.  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 |L<oKMZY  
{v<Ig{{V  
2.反向特性 ;./Tv84I^  
xOPSw|!w  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 0t6s20*q  
$Omc Ed  
3.击穿特性 My Af~&Y+  
K|E}Ni  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 d),@&MSN  
RhXX/HFk  
?cowey\m .  
图1、二极管的伏安特性曲线 }=;N3Q" #y  
Vad(PS0  
Y Q3%vH5#y  
4、频率特性 Y#3m|b45n  
v )4 kS  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 HO}aLp  
q1`uS^3`  
二、二极管的简易测试方法 F2OU[Z,-]  
,k+jx53XV  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 Oa CkU  
}a-ikFQ]  
表 二极管简易测试方法 I)O%D3wfMW  
.V 9E@_(  
x(}@se  
b{(!Ls_ &  
三、二极管的主要参数 \d]&}`'4{f  
<o^mQq&  
1.正向电流IF :.DCRs$Q  
nakhepLN  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 D?8t'3no  
o!wz:|\S  
2.正向电压降VF a(BWV?A  
64o`7  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 yEzp+Ky  
{b7P1}>-*  
3.最大整流电流(平均值)IOM Et# }XVCJ  
JwxI8Pi*y  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 /QD}_lh;,  
1h"0B  
4.反向击穿电压VB Z:)\j.  
73Tg{~  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 HC+(FymV  
at ]Lz_\  
5.正向反向峰值电压VRM nNq|v=L  
eNi.d;8F  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 4,wdIdSm4  
s[8<@I*u  
6.反向电流IR _av%`bb&z9  
0JKbp*H  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ]%"Z[R   
64h r| v  
7.结电容C gXc&uR0S  
/,c9&i t(M  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 T->O5t c  
w9H%u0V?  
8.最高工作频率fm \Vr(P>  
2px l!  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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