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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 g%o(+d  
y4yhF8E>;U  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: XMZ,Y7  
9p85Pv [M=  
1.正向特性 53_Hl]#qZ  
~"gA,e-)  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 cUk7i`M;6  
@b\$yB@z  
2.反向特性 e b"VE%+Hu  
~ZaY!(R<  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 >[f?vrz  
WH%g(6w1j  
3.击穿特性 F k7?xc  
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当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 H;mSkRD3N  
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e v}S+!|U  
图1、二极管的伏安特性曲线 D'>_I.  
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5"VTK  
4、频率特性 #&+{mCjs  
P.se'z)E  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 hw uiu*  
!"AvY y9  
二、二极管的简易测试方法 E#34Wh2z  
y G~?MEh{  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 fy1|$d{'  
~i= _J3'  
表 二极管简易测试方法 ;7*[Bcj.  
t3WiomNCc  
2YL?,uLS  
Z9E\,Ly  
三、二极管的主要参数 Vsr.=Nd=  
b1q"!+8y  
1.正向电流IF Q>qUk@  
>tS'Q`R  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 W ~<^L\Lu  
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2.正向电压降VF zC:ASt  
%fZJRu 1b  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 n)/z0n!\  
n6=By|jRh  
3.最大整流电流(平均值)IOM 1q\\5A<V  
Jumgb  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 wSL}`CgU  
C.:<-xo  
4.反向击穿电压VB t^-d/yKt0w  
;<Sd~M4f  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 Ufj`euY  
hF?1y`20  
5.正向反向峰值电压VRM w_c"@CjkE  
;LfXi 8)  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 OdbEq?3S/?  
~G p [_ %K  
6.反向电流IR B4/>H|  
Mexk~z A^  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 t,Lrfv])  
:k]1Lm||  
7.结电容C PNhe  
M.D1XX 1/  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 dbLZc$vPj  
G>_*djUf  
8.最高工作频率fm mUC)gA/  
H'5)UX@LP  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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