| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 j*e6vX \Gm-MpW 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: kt[:@Nda9 Uie?9&3 1.正向特性 JGC=(; |9"p|6G?B 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 87}&` +,o0-L1D 2.反向特性 Y+4o B _|72r}j 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 j-CnT)W< jENr>$$ 3.击穿特性 S[tE&[$(p fgNU03jp^x 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 mcz+P | Xi?b]Z
vA$o~?a]/ 图1、二极管的伏安特性曲线 2([2Pb3<" JKer//ng4 ^8 ' sib
4、频率特性 k5kdCC0FCk $^&ig 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 P5lqSA{6 o7B[R) 4 二、二极管的简易测试方法 b}T6v !-m&U4Ku6o 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 Tirux ; pLMRwgzr 表 二极管简易测试方法 g8!wb{8?s f84:hXo6
axHK_1N{ 7W6cM%_B 三、二极管的主要参数 o!:8nXw iK?b~Q 1.正向电流IF {;2vmx9 "cTncL 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 MNH1D!} jBaB@LO9G 2.正向电压降VF LqdY Qd51 ;q0uE:^S 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 b':|uu*/ =AVgIv 3.最大整流电流(平均值)IOM R3k1RE2c&g @!&}}"< 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 q1E:l!2al 3] 1-M 4.反向击穿电压VB AmwWH7,g <p;k)S2J 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 nm7;ieMfr [m+iQVk' 5.正向反向峰值电压VRM =)O,`.M.Y RE.r4uOJg 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 #YDr%>j @"T"7c?Cv 6.反向电流IR y7KzW*>g: [ofqGwpDG 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 U/lM\3v/e WvHw{^(lF 7.结电容C gX{loG 9dMrgz&' 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 p!Eft/A( eMRar<)+#* 8.最高工作频率fm PpLU &R~n>>c 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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