| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 ^b$_I31D o$eCd{HuX 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: AO>b\,0Me _ xTpW 1.正向特性 xT]t3'y|- S3l^h4 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 Km
$o@ &a=78Z 2.反向特性 yQMwt|C4 `g3AM%3 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 tcT=a@
EQ ee5} 3.击穿特性 3]GMQA{L) D =mmBo 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 3>^]r jFw Ln2FG4{
8toOdh 图1、二极管的伏安特性曲线 &3Yj2Fw V:'F_/&X? "~0`4lo:Xo 4、频率特性 ;Mo_B9 cM3B5Lp 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 %4),P(4N J@2wPKh?Yp 二、二极管的简易测试方法 |T$?vIG[ Er%&y 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 NLY=o@< xYCJO(& 表 二极管简易测试方法 [#mkTY ^h$*7u"^y
w~)tEN> Bh'fkW3 三、二极管的主要参数 'E9{qPLk( EW(bM^dk} 1.正向电流IF "A"YgD#t OcO/wA(&{ 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 n|)((W T>'O[=UWh 2.正向电压降VF J)Y`G4l2@ m9A%Z bQ^ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 G(.G>8pf babL.Ua8o 3.最大整流电流(平均值)IOM %L* EB;nK E&zf<Y 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 <+g77NL XDJE]2^52? 4.反向击穿电压VB k:Y\i]#yP eZAMV/]jH 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ,\iHgsZ NGSts\D'} 5.正向反向峰值电压VRM n}.e(z_" sdZ$3oE. 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 K~vJ/9"|R 9>w~B|/ 6.反向电流IR FHQ`T\fC$@ ,M.}Q ak^ 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 nK :YbLdK, }+n|0xK 7.结电容C u_$4xNmQ H5x7)1Ir| 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 } 7
o! >-I <`y-H 8.最高工作频率fm ?'6@m86d Q}@t' 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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