| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 ==Mi1Q#5C l_-n&(N2<[ 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: D>e\OfTR: .l5 "X> 1.正向特性 MxEAs}MDv =DTOI 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 i!oj&& {4aY}=
-Q* 2.反向特性 u=}bq{ &E
riskI 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 },aWCvJL {ah~q}(P 3.击穿特性 3t{leuO' 7jH`_58 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 G=5t5[KC xyjVdD\
)B$P#dP)i 图1、二极管的伏安特性曲线 [ky6E*dV` 5vF}F^ Q_0x6]/! 4、频率特性 zHOE.V2Qo y*b.eO 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 3|+f si)x @IY?DO 二、二极管的简易测试方法 &f<1=2dm RL
Zf{Q> 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 ?wf+{x-dPP T|s0qQi 表 二极管简易测试方法 CCh8? sM wV[V#KpX8-
l5Wa'~0qA TBKd|D'H 三、二极管的主要参数 `$sY^EX nlebFDb7 1.正向电流IF JD{MdhhV iqednk% 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 l \^nC2 )ClMw!ZrU 2.正向电压降VF s9rtXBJP f3TlJ!!U 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 h [IYA1/y uB<F.!3 3.最大整流电流(平均值)IOM Xs>s|_T hygnC`| 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 %+xwk=%* 80$0zbw$ 4.反向击穿电压VB JOdwv4(3V Q-`{PJ(p 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 e*P=2*]M )t,{YGY# 5.正向反向峰值电压VRM :G`L3E&1s >I d!I 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 MxgLztY nQ642i%RQ 6.反向电流IR fi&uB9hc
TmYP_5g: 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 7V=MRf&xQ G*(K UG> 7.结电容C w*:GM8=6 i-k >U}[% 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 AbF(MK=i 7!r#(>I6?1 8.最高工作频率fm {xv?wenE /^'Bgnez 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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