| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 6C*4' P9>
kS(v|d 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 6b=7{nLF Kdb:Q0B 1.正向特性 @LDu08lr ~2U5Wt 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 (k5d.E]CK @)S d3xw[ 2.反向特性 nA XWbavY P;lDri 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 =:v5`
: C]%}L%, 3.击穿特性 $PKUcT0N9 fhQ}Z%$ 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 G!m;J8#m( 'fY(
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UNKXfe(X9 图1、二极管的伏安特性曲线 ~px)Jd W q>qso Je;HAhL 4、频率特性 &<S]=\ C2Af$7c 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 E@^mlUf I)cA:Ip 二、二极管的简易测试方法 LDq(WPI1# {,CvWL 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 6I$:mHEhd Eg|C 表 二极管简易测试方法 a'A'%+2 (e6KSRh2fF
/kK:{ sBm/9vu 三、二极管的主要参数 WCZeY?_^c RkXW(T` 1.正向电流IF +%RB&:K7, v?(9ZY] 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 [+Y;w`;Fq ,*'aH z 2.正向电压降VF t:.ZvA3 qx\P(dOUf 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 :~+m9r -axV;+"b 3.最大整流电流(平均值)IOM uNRT@@oCq >4eZ%</D5 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 piKR*|F 2XGbqZj 4.反向击穿电压VB YO^iEI. 23=SXA! 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 _a~-B@2g h|t\rV^ 5.正向反向峰值电压VRM ?3+>% bO %G>V .d 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 &C7HG^;W9 rCdf*; 6.反向电流IR qJrMr4:F C1KO]e > 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 @s/0 .7 AilfeHG 7.结电容C &SE+7HXw i(@<KH 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 R~&i8n. '=eE6=m^K 8.最高工作频率fm =3?"s(9 Um'r6ty 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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