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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 #S+Z$DQD  
h:Ndzp{  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 6=PiVwI  
tllBCuAe  
1.正向特性 H.O(*Q=  
g.#+z'l  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 |AH@ EI>  
-lRhz!E]  
2.反向特性 _NdLcpBT?  
JK~ m(oQ  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ~j @UlP  
bn 4 &O  
3.击穿特性 4W\,y_Q o  
8!h'j  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 "t&{yBQ0u  
JFqf;3R  
*"G8  
图1、二极管的伏安特性曲线 VKLU0*2R  
]s|lxqP  
^ZQCIS-R  
4、频率特性 +~|AT+|iI  
>e8JK*Blz  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 s5Fr)q// !  
}w!ps{*  
二、二极管的简易测试方法 T2Z[AvNXFk  
n'64;J5  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 g^o_\ hp  
Wm6dQQ;Bj  
表 二极管简易测试方法 ?'~;Q)  
t,vTAq.))  
Y%v P#>h  
a0zG(7.D  
三、二极管的主要参数 %9c|%#3  
bBE^^9G=Z  
1.正向电流IF l6B.6 '4)w  
J7a-CI_Tf  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 "zZ&n3=@  
Tj,Nmb>Q7'  
2.正向电压降VF lfMH1llx  
|qL;Nu,d  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 :2q ?>\  
( ji_o^  
3.最大整流电流(平均值)IOM {qAu/ixp  
-v*x V;[  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 qU6BA \ZL  
R;=6VH  
4.反向击穿电压VB iE{Oit^aG  
>7FSH"8[,  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 !yCl(XT  
CSL4P)  
5.正向反向峰值电压VRM t61'LCEis  
H*qD: N  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 $T)d!$  
^X;JT=r  
6.反向电流IR Z)v)\l9d  
zlX! xqHj  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 WRMz]|+}4  
lIy/;hIc  
7.结电容C HU3Vv<lz  
7dhn'TW  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 L9'-  
:A$wX$H01  
8.最高工作频率fm s@M  
$WD +Q@6  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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