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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 FopD/D{  
%q ja:'k  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: r<C^hs&]  
vc^PXjX  
1.正向特性 R+!2 j  
:p8JO:g9  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 qc*+;Wi+5  
IwWo-WN7.  
2.反向特性 Q&M(wnl5  
;]n U->  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ?]h+En5z8  
' P-K}Y  
3.击穿特性 \ 0<e#0-V  
:Q\h'$C  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 o/=K:5  
WYaDN:kZf  
3UrqV`x \  
图1、二极管的伏安特性曲线 TTy1a:V  
I X\&lV  
ch : 428  
4、频率特性 g`J? 2 _]  
cpE&Fba}"  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 J>Zd75;U  
Pfd FB  
二、二极管的简易测试方法 *+@/:$|U  
rt~X (S  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 2sittP  
WQ"ZQ  
表 二极管简易测试方法 )]qFI"B7  
R 8Iac[N  
Pu axS  
cRU.   
三、二极管的主要参数 N?87Bd  
Ii[rM/sG  
1.正向电流IF hj4A&`2  
2ix_,yTO  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 jl:O~UL6i  
c#{<| .  
2.正向电压降VF s|{K?s  
GD< Afni  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 CT"0"~~  
4 &t6  
3.最大整流电流(平均值)IOM R^8Opf_UN  
~r=TVHjqi  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 [N7[%iQ%  
zlFl{t  
4.反向击穿电压VB 1 !\pwd@{  
!' sDqBZ&7  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 w;#9 hW&  
eMh:T@SN  
5.正向反向峰值电压VRM yUH8  
x$s#';*  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 $X\BO&  
=M(\R8  
6.反向电流IR Nw|Lrn*h!  
EB> RY+\  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ,][+:fvS  
5'z&kl0"S  
7.结电容C u\t ;  
z*9/"M  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 X.272q<.  
~*2PmD"+:  
8.最高工作频率fm h+*  
Box,N5AA  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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