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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 ^b$_I31D  
o$eCd{HuX  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: AO>b\,0Me  
_ xTpW  
1.正向特性 xT]t3'y|-  
S3l^h4  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 Km $o@  
&a=78Z  
2.反向特性 yQMwt|C4  
`g3AM%3  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 tcT =a@  
EQ ee5}  
3.击穿特性 3]GMQA{L)  
D=mmBo  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 3>^]r jFw  
Ln2FG4{  
8toOdh  
图1、二极管的伏安特性曲线 &3Yj2 Fw  
V:'F_/&X?  
"~0`4lo:Xo  
4、频率特性 ;Mo_B9  
cM3B5Lp  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 %4),P(4N  
J@2wPKh?Yp  
二、二极管的简易测试方法 |T$?vIG[  
E r%&y  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 NLY=o@<  
xYCJO(&  
表 二极管简易测试方法 [#mk TY  
^h$*7u"^y  
w~)tEN>  
Bh' fkW3  
三、二极管的主要参数 'E9{qPLk(  
EW(bM^dk}  
1.正向电流IF "A"YgD#t  
OcO/wA(&{  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 n|)((W  
T>'O[=UWh  
2.正向电压降VF J)Y`G4l2@  
m9A%Z bQ^  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 G(.G>8pf  
babL.Ua8o  
3.最大整流电流(平均值)IOM %L*EB;nK  
E&zf<Y  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 <+g77NL  
XDJE]2^52?  
4.反向击穿电压VB k:Y\i]#yP  
eZAMV/]jH  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ,\iHgsZ  
NGSts\D'}  
5.正向反向峰值电压VRM n}.e(z_"  
sdZ$3oE.  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 K~vJ/9"|R  
9>w~B|/  
6.反向电流IR FHQ`T\fC$@  
,M.}Qak^  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 nK :YbLdK,  
}+n|0xK  
7.结电容C u_$4xNmQ  
H5x7)1Ir|  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 } 7 o!  
>-I <`y-H  
8.最高工作频率fm ?'6@m86d  
Q}@t'  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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