小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 J*,Ed51&7 3VA8K@QiRm 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: kzns:-a Gr?"okaA 1.正向特性 N!"GwH 1w+&Y;d| 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 rgIJ]vmy<H 8o4<F%ot 2.反向特性 X'jEI{1w o|l)oc6{ 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 cdP+X'Y4D >}u?{_s *0 3.击穿特性 \fU{$ d)r=W@tF] 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 ;b
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Fdu0?H2TL 图1、二极管的伏安特性曲线 G5=(3 V% ^lRXc.c z 2;[75(l6|} 4、频率特性 -1S+fUkiK/ ID'@}69.S 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 #B`"B s4MP!n?gB 二、二极管的简易测试方法 {E6b/G?Q
wxo( 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 n?Gm 5## A[ /0on5r 表 二极管简易测试方法 yql+N[ 9S&6u1
YZpF*E;6t 3{on$\ 三、二极管的主要参数 .b N0! 1x M&"p: 1.正向电流IF $L:g7?)k wc~a}0uz 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 RS<c&{? xE;fM\7pu 2.正向电压降VF ]4uIb+(S fRaVY`|wK 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 8-juzL} dW8'$!@!! 3.最大整流电流(平均值)IOM wvT!NN
K2 5>}L3r>a; 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 (.%:Q0i1 S:rW}r J 4.反向击穿电压VB y7d)[d*Mz /o8`I
m 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 jh\q2E~,` `j4ukOnG 5.正向反向峰值电压VRM OX|/yw8 H -.3r 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 HOykmx6$ n8zUL1:R 6.反向电流IR lOd[8|/ ':o.vQdJ 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 x3wyIio* K Qub%`n 7.结电容C Q(Vc/ M9bb,`X>Q 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 "vU:qwm ;EL!TzL:8 8.最高工作频率fm qZ_^#%zO 3e I:$1"Q 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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