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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 [^t"Hf  
*>%34m93  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: Nw $io8:d  
T.="a2iS2  
1.正向特性 }/BwFB+(/  
s`F v!  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 :7%JD.;W  
*)"U5A/v)  
2.反向特性 Yu=4j9e_mG  
L^rtypkJ  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 quk~z};R>\  
]YkF^Pf!v  
3.击穿特性 2#&9qGR  
$+Ke$fq.>  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 (WiA  
W+PAlsOC  
9x.vz  
图1、二极管的伏安特性曲线 {OP-9P=p  
\@nmM&7C!4  
[bkMl+:/HG  
4、频率特性 :xZ/c\  
lqA U5K{wQ  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 pcNVtp 'V  
#C|:]moe  
二、二极管的简易测试方法 a*&P>Lwe7&  
evsH>hE^  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 I^/Ugu  
JGt4B  
表 二极管简易测试方法 l)D18  
)/2* <jr  
PYr#vOH  
4?M= ?K0  
三、二极管的主要参数 mU:C{<Z  
3?Y%|ZVM  
1.正向电流IF "-XL Y_  
},0fPkVsU  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 T :CsYj1  
oTo'? E#  
2.正向电压降VF W5}.WFu  
lT$Vv= M  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 C]*9:lK  
<Sm -Z,|  
3.最大整流电流(平均值)IOM _Pa(5-S'KR  
FB@c +*1  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 +^<CJNDL9  
zm2&\8J  
4.反向击穿电压VB )z3mS2  
~CldqXeI  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 <;#d*&]  
R|{AIa{}  
5.正向反向峰值电压VRM >!A&@1[M  
Q`g0g)3w  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 s['F?GWg  
e`4OlM]  
6.反向电流IR kP%'{   
v"O{5LM"  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 .Xo, BEjE/  
fS-#dJC";`  
7.结电容C 9g >]m 6  
ujB:G0'r  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。  {"y{V  
JoKD6Q1D  
8.最高工作频率fm Z4}Yw{=f  
=r+u!~%@''  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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