| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 h>klTPM> |1Hc& 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ! Mo`^t !y. $J< 1.正向特性 Y\(;!o0a \ha-"Aqze3 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 h/K@IAd }Eh*xOta 2.反向特性 Kam]Mn' mxp Y&Y 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 :u/mTZDi b#a@rh 3.击穿特性 1
i3k `WnQ 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 .6m_>Y6 oHX$k{6
,E}$[mHyjz 图1、二极管的伏安特性曲线 ,Sg33N? X#ZgS!Mn R ]P;sk5 4、频率特性 ]?&FOzN5$P 6Dst;: 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 8r^ ~0nm +EkW>$ 二、二极管的简易测试方法 !` 26\@1 m|F:b}0Hb 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 `R+,1"5 = 9/kXc4 表 二极管简易测试方法 V LdB_r3lQ 1'O0`Me>#
g_q<ze E\$C/}T 三、二极管的主要参数 $Q/Ya@o #SnvV 1.正向电流IF o`6|ba Yb:pAzw6 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 CS@&^SEj .:9s}%Zr 2.正向电压降VF FS@A8Bb Nfn(Xn*J- 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 [BDGR
B7d" "HlgRp]u 3.最大整流电流(平均值)IOM \#6Fm_b]u Yc;ec9~ 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 NXU`wnVJ d,9`<1{9 4.反向击穿电压VB >EP(~G3u XsL#;a C 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 &`Ck GEe`ZhG,
5.正向反向峰值电压VRM 6rX_-Mm6w >oJkJ$|wU 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 ,t,wy37*D L
CSeOR 6.反向电流IR L1#Ij# ~?U*6P)o 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 <Q5Le dN q_t4OrLr= 7.结电容C aGoE,5 '2nqHX
D 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 :i*JnlvZ ry0%a[[ 8.最高工作频率fm <@uOCRbV ]%dnKP~ 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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