| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 4qo4g+ )iadu 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: <SI&e/ z52T"uW 1.正向特性 x'*,~u eA9U|&o 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 *A}QBZ vr56
f1 2.反向特性 >ijFQ667>j M"[s5=:Lo 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 OQ"%(w>Hb :Z(?Ct&8 3.击穿特性 1 Y_e1tgmm ?Z%Ja_}8ma 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 iK{q_f\" 0-cqux2U
L;30&a 图1、二极管的伏安特性曲线 o~!4& bsVms,& I7b(fc-r 4、频率特性 [Z6]$$!#2 pj>b6^TI6C 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 'Y3>+7bI r4caIV 二、二极管的简易测试方法 P{mV K;;Q*NN- 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 m&o}qzC'y
Zzr+p. 表 二极管简易测试方法 ^57[&{MuBF *>%34m93
Z'dY,<@ hkSpG{;7 三、二极管的主要参数 ?TLEZlB2" lM Gz"cym 1.正向电流IF 6"Q/Y[y w~M5)b 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 -H~g+i*J {LTb-CB 2.正向电压降VF #EtS9D'd+ vFY/o,b \ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 M`\c'|i/ XPXC7_fV 3.最大整流电流(平均值)IOM YXXUYi~!f p%Ae"#_X% 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 EAo7(d@ wqBGJ 4.反向击穿电压VB vgOmcf%; ncJ}h\:Sk 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 0X+Jj/-ge I=&5m g=m 5.正向反向峰值电压VRM k\_>/)g ,$5; 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 Q_/{TE/sO5 #{7= 6.反向电流IR udB:ys $1oU^VY 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 OTd=(dwh DCX4!,ZF 7.结电容C {r.#R|
4v O;
EI& 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 tp$NT.z 1YR;dn 8.最高工作频率fm H7G*Vg ,0[8/)$M 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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