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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 _T8#36iR  
V+cHL  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: WX]kez{<uP  
)^L+iht  
1.正向特性 -=5z&) X  
U!^\DocAY  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 F;5.nKo  
[6)`wi  
2.反向特性 w/E4wp  
+n9]c~g!T0  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 RY&Wvkjh  
O0';j!?X  
3.击穿特性 _`*x}  
>jRz4%  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 lMFj"x\  
L]9uY  
vw>O;u.]B  
图1、二极管的伏安特性曲线 c_ vj't  
={YW*1Xw  
R0, Q`  
4、频率特性 (]vHW+'  
%'%r.  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 3RZP 12x  
O jr{z  
二、二极管的简易测试方法 2?nK71c"  
 r,!7TuBl  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 -U'6fx) +  
_{TGO jZr  
表 二极管简易测试方法 HBV~`0O$  
2.Th29]  
"Z#97Jc+J  
!2>gC"$nv  
三、二极管的主要参数 u&m B;:&  
wJ/k\  
1.正向电流IF n$F&gx'^  
IM7k\  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 $DJp|(8  
:L&-  
2.正向电压降VF c<r`E  
^mm:u<Yt  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 /E@LnKe  
(iIJ[{[H4)  
3.最大整流电流(平均值)IOM wk<QYLEk  
?9i 7w1`  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 {ckA  
O\q|b#q}/  
4.反向击穿电压VB V+W,# 5  
/Uz2.Ua=  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 TWK(vEDM  
C(Yk-7  
5.正向反向峰值电压VRM .zAB)rNc |  
Z6 E-FuO  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 #E3Y; b%v  
A?06fo,  
6.反向电流IR S6*3."Sk  
vHCz_ FV  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 hvnZ 2x.?d  
@f-0OX$*  
7.结电容C   lCr  
rgWGe6;!  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 _Y40a+hk]  
=mxmJFA  
8.最高工作频率fm rg]eSP3 W  
~Yv"=  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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