小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 _T8#36iR V+cHL 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: WX]kez{<uP )^L+iht 1.正向特性 -=5z&)
X U!^\DocAY 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 F;5.nKo [6)`wi 2.反向特性 w/E4wp +n9]c~g!T0 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 RY&Wvkjh
O0';j!?X 3.击穿特性 _`*x} >jRz4% 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 lMF j"x\ L]9uY
vw>O;u.]B 图1、二极管的伏安特性曲线 c_vj't ={YW*1Xw R0,
Q` 4、频率特性 (]vHW+' %'%r. 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 3RZP 12x Ojr{z 二、二极管的简易测试方法 2?nK71c" r,!7TuBl 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 -U'6fx) + _{TGO
jZr 表 二极管简易测试方法 HBV~`0O$ 2.Th29]
"Z#97Jc+J !2>gC"$nv 三、二极管的主要参数 u&mB;:& w J/k\ 1.正向电流IF n$F&gx'^ IM7k\ 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 $DJp|(8 :L&- 2.正向电压降VF c<r`E ^mm:u<Yt 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 /E@LnKe (iIJ[{[H4) 3.最大整流电流(平均值)IOM wk<QYLEk ?9i
7w1` 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 {ckA O\q|b#q}/ 4.反向击穿电压VB V+W,#5 /Uz2.Ua= 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 TWK(vEDM C(Yk-7 5.正向反向峰值电压VRM .zAB)rNc
| Z6
E-FuO 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 #E3Y;
b%v A?06fo, 6.反向电流IR S6*3."Sk vHCz_ FV 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 hvnZ
2x.?d @f-0OX$* 7.结电容C lCr rgWGe6;! 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 _Y40a+hk] =mxmJFA 8.最高工作频率fm rg]eSP3W ~Yv"= 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
|
|