| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 -NyfW+T={ "R/Xv+; 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 36U
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))W [ 1.正向特性 U&\8~h #\]:lr{>?4 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 le-Q&* >~sAa+Oxi 2.反向特性 2& l~8, _# /zH~V% 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 @dzO{) ZsPT!l, 3.击穿特性 4j'cXxo Q,mmHw.`J 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 (ft8,^=4 Sp=6%3fZ]m
}qf)L. 图1、二极管的伏安特性曲线 QM
}TPE 67/&.d! iwl\&uNQU 4、频率特性 *L3>:],7 n~g,qEI;<x 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
RTW4r9~' .'y]Ea 二、二极管的简易测试方法 $=iV)- aD1G\*AFJ 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 <4{,u1!t m\88Etl@ 表 二极管简易测试方法 Lii,L} pk*cch#
J<<0U; ESl-k2 三、二极管的主要参数 i%8I (F ix<sorR H 1.正向电流IF S(c ,Sinc S'NZb!1+ 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 K>2mm!{ v:MJF*/ 2.正向电压降VF 3:f<cy
9~^%v zM 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 1Y"[Qs]"mU xbFoXYqgP 3.最大整流电流(平均值)IOM ][|)qQ%V Cw<bu|? 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 o!`.LL% ckXJ9> 4.反向击穿电压VB >g!a\=-[ q^
{Xn-G 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 dsKEWZ
= #HD$=ECcw 5.正向反向峰值电压VRM 30(O]@f~ 7(m4,l+( 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 H B+\2jEE )p&FDK#ob= 6.反向电流IR em ^FJ=/ #@T 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 7u"t4Or jlV~-}QKb7 7.结电容C {%$eq{~m w`(EW>i 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 KJ]:0'T OAu?F}O 8.最高工作频率fm E?o1&(2p [-)N}rL> 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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