| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 rOW-0B+N a/~aFmu6b 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: nqR?l4 DX {)- .xG 1.正向特性 g#NZ ,~ 53 QfTP 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 .*=]gZ$IE vgn@d,v 2.反向特性 :H. i$^)UZJ&0 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ~/_9P Fk -B#yy]8 3.击穿特性 %zC[KE*~ "SN4* 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 ]!:oYAm E}CiQUx
k)S.]!u&G 图1、二极管的伏安特性曲线 f0+2t.tj @vgG1w BhpOXqg 4、频率特性 D0Z\Vvy s)voII& 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 "`}~~.q m,3er*t{ 二、二极管的简易测试方法 d lH$yub d
{lP 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 RVtQ20e";r -7WW[
w 表 二极管简易测试方法 Nd:R"
p*8 ->-*]-fv[L
R7oj# "_L?2ta 三、二极管的主要参数 ZWc+),X W[[oSqp 1.正向电流IF q<e&0u4
+]>+a<x*% 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 R~L0{`
0 ,F+B Wot4 2.正向电压降VF 5OM?3M zHB_{(o7 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 ocwG7J\W sK$wN4k 3.最大整流电流(平均值)IOM ?tf&pgo JL}\* 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 rgIrr5 2J;`m_oP 4.反向击穿电压VB >: 0tA{bV Zr$d20M2A; 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 D| I Ec? i< (s}wg 5.正向反向峰值电压VRM J.*XXM- V l2v_?j-)x 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 Q+|{Bs)6i1 <Pqv;WI|R 6.反向电流IR E
?2O( 7&}P{<}o^ 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 !}TMiCK ~ <0Z>qr 7.结电容C !Gs} tiMH cl[!`Z 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 HgBJf~q~U O/AE}] 8.最高工作频率fm BJjx|VA+ W@L3+4 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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