| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 {*/&`$0lH| *aE/\b 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ?*2DR:o>@ vDGAC' 1.正向特性 Gp0B^^H$ 8M{-RlR 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 \KBE+yj ^jY'Hj.Bs 2.反向特性 s-\.j-Sa 4# pn] 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 F XpI-?#E< i)vbmV 3.击穿特性 1qEpQ.:]( RW4}n<
88 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 m :6. }8H_^G8
Ts+S>$ 图1、二极管的伏安特性曲线
;oej~ \O*8% {_ &*"bK 4、频率特性 YQ\c0XG v/W\k.?q/ 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 L7~9u|7a# In[!g 二、二极管的简易测试方法 \Vc-W|e
: h"Bf@3 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 *bi!iz5F oWJ0>) 表 二极管简易测试方法 q%G"P*g$( MF7q*f
oxs0)B 'U9l 三、二极管的主要参数 P^wDt14> ~,*=j~#h 1.正向电流IF PWch9p0U ^)qOILn 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 +prr~vgE \Zpg,KOT 2.正向电压降VF B)q 5m
y ~\UH`_83[ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 s{"}!y=] +,"O#`sy< 3.最大整流电流(平均值)IOM K\bA[5+N ws^ 7J/8 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 6RA4@bIG kjS9?>i 4.反向击穿电压VB 2 Nr* m%=]
j<A 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 "[Z'n9C GN&-`E]- 5.正向反向峰值电压VRM D-v}@tS' LqDj4[} 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 u\&F`esQ2 C(4r>TNm 6.反向电流IR q6A"+w,N C0RnBu 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 *$+:Cbe-F )BJ Z{E* 7.结电容C V2v}F= \dB)G<_ 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 >[$j(k^ {.,-lFb\ 8.最高工作频率fm Hzn6H4Rc Cyn_UE 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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