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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 a_`E'BkgU  
]i8K )/  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: -=Q_E^'  
{,]BqFXv  
1.正向特性 ?" {+m  
m{JiF-=u  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 P qagep d  
mB"zyL-  
2.反向特性 _>dqz(8#  
oeDsJ6;  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 Q= + Frsk  
Av.(i2  
3.击穿特性 b v\V>s  
pnxjuDN7}x  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 `y P-,lA$  
/I7sa* i  
u5H#(&Om  
图1、二极管的伏安特性曲线 `RthX\Tof  
?uU0NKZA  
Te[[xhTyw  
4、频率特性 IywovN Tr  
"*RCV6{  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 }E*d)n|  
6N~ jt  
二、二极管的简易测试方法 `DG6ollp{  
D4 {gt\V  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 ,H22;UV9  
>h[tHM O  
表 二极管简易测试方法 %b\xRt[0v7  
+A~lPXAXW  
$#]?\psf  
~1|sf8  
三、二极管的主要参数 l]sO[`X  
u8+<uWB  
1.正向电流IF 2mu~hJ  
F#X\}MvEU  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 zesEbR)j  
<Ks?g=K-  
2.正向电压降VF /D1Bf:'(  
`Jm{K*&8Q  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 @]3(l  
d2.n^Q"?3  
3.最大整流电流(平均值)IOM <' P|g  
{D."A$AAa  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 W.MJyem  
Qi=rhN`  
4.反向击穿电压VB D.*JG7;=Z  
D1o 8Wo  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 rt^z#2$  
EF"ar  
5.正向反向峰值电压VRM w2+RX-6Ie  
M8KfC!  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 ;lYO)Z`3\  
9?,n+  
6.反向电流IR 3qpk Mu3  
wf|CE410  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 d57(#)`  
'kH#QO\(e"  
7.结电容C )&_{m K  
elKQge  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 :\4O9f*5+  
{E6W]Mno  
8.最高工作频率fm oC4rL\d{  
?MpGz CPa  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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