| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 Z[w}PN,xV s}". po] 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ~}j+~ t O.5 1.正向特性 -a@e28Y {H(l"KuL 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 (/<Nh7C1c sQA_ 6]` 2.反向特性 bwhH2 ^ ! nK03x YA 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 q/zU'7%@ 0sU*3 r? 3.击穿特性 C{m%]jKH <A=1]'1\r 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 zMA;1Na 2?
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^CLQs;zXE 图1、二极管的伏安特性曲线 hsrf 2Xw[ mrRid}2 g/f6N
z 4、频率特性 v=iiS}s :,JjN& 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 V'{\g|) wHs1ge ( 二、二极管的简易测试方法 vTx>z\7q, l+ >eb 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 XfE9QA[ 1D#-,#? 表 二极管简易测试方法 JqMF9|{H DFWO5Y_
Wgh@X B 5\z<xpJ 三、二极管的主要参数 ^D+^~>f G`n
$A/9Q 1.正向电流IF 8 5ET$YV R)k\ 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 \\\8{jq MAkr9AKb, 2.正向电压降VF R`c[?U y(QFf*J 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 }r@dZBp: &
V>rq'~; 3.最大整流电流(平均值)IOM y&
yf&p zsJ# CDm 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 *'{-!Y B
}%2FUv 4.反向击穿电压VB !Nx1I !5lV#w!vb 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 YS^!'IyG/B T8A(W 5.正向反向峰值电压VRM GqR XNs! A`Dx]y 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 w1"+HJd L_Gw:"-+Q 6.反向电流IR -%"PqA/1zj -:ucp2 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ?'P}ZC8P { V6pC 7.结电容C wUCxa>h' [o#% Eg; 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 T3P9 L_!ShE 8.最高工作频率fm EWD^=VITL WChP,hw 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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