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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性  ~$B ,K]  
sp%7iNs  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ^^m%[$nw&r  
$1e@3mzM  
1.正向特性 0Ko,S(M_  
IWkBq]Y  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 ; OsN^   
i!NGX  
2.反向特性 PA E)3  
r"+ WUU  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 F&0rI8Nr  
4?Io@[7A)  
3.击穿特性 vzL>ZBe Z  
&m`  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 VaB7)r  
{RK#W~h  
GCrN:+E0FJ  
图1、二极管的伏安特性曲线 B?jF1F!9  
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rO NLbrj  
4、频率特性 q~qig,$Y  
\vI_%su1N  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 gU`QW_{  
&+\wYa,  
二、二极管的简易测试方法 *G9;d0  
[f'7/w+  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 , Le_PJY)  
z, OMR`W  
表 二极管简易测试方法 ;RU)Q)a)  
"783F:mPh  
}5~ ;jN=k  
8)i\d`  
三、二极管的主要参数 ?mV[TM{p  
]SQ_*$`  
1.正向电流IF T/H*Bo *=5  
t[<=QK  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 5+U~ZW0|+  
IflpM]  
2.正向电压降VF HjK|9  
rJAY7/u  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 l6i 2!&8P%  
VR'w$mp  
3.最大整流电流(平均值)IOM sx22|j`)V  
Ss8`;>  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 ag3T[}L z  
y"2c; *7[{  
4.反向击穿电压VB CSs3l  
>6@UjGj54  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 pPIH`Iq  
G",+jR]  
5.正向反向峰值电压VRM n44j]+P  
pD){K  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 lY6U$*9c  
5~\W!|j/  
6.反向电流IR KVK@Snn   
Q} / :  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 y_\d[  
[9w8oNg0  
7.结电容C 3c6<JW  
hRME;/r]X  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 ?f a/}|T  
9;:Lf  
8.最高工作频率fm aa$+(  
hGPjH=^EM  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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