小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 ZU:gNO0 w6E?TI 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: -bj1y2)n 8l}|.Q#-- 1.正向特性 0<s)xaN>Y 3^fZUldf 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 !?+3jzG sF|$oyDE 2.反向特性 Q \{\uJ x "~+K`*0r8 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 '@:;oe@] lLg23k{' 3.击穿特性 '/"( `f, 9j,zaGD0 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 |FcG$[ =-q)I[4# Onc!5L 图1、二极管的伏安特性曲线 |Jq/kmn cfj6I E@@quK 4、频率特性 oOD|FrlY 1/{:}9Z@ 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 U}5uy9A KS|$_-7u 二、二极管的简易测试方法 gWlmQl mj,r@@k:=+ 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 /qp`xJ $Z(zO;k. 表 二极管简易测试方法 bk7miRIB [lnN~#(Y t4<#k= Fj5^_2MU: 三、二极管的主要参数 %\^x3wP&o\ *i\7dJ Dj 1.正向电流IF eIEcj<f wJgM.V"yb 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 w?/,LV ! [: K/ 2.正向电压降VF FINM4<s) :,7VqCh3@ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 i@p?.%K{ \l[5U3{ 3.最大整流电流(平均值)IOM "Fke(?X' j`#|z9`(pB 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 "RG.vo7b vw!i)JO8M 4.反向击穿电压VB ~f@;. 7O{\^Jz1 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 E+01"G<Q ~<$8i}7 5.正向反向峰值电压VRM VJNPs6 JhD8.@} b~ 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 8^~ljf]6 A1Zu^_y' 6.反向电流IR *$s)p > :2?'mKa7 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 Y6CadC sF|lhLi 7.结电容C 9!R !H& a $KM
q> 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。
t,H,*2 ngNg1zV/q 8.最高工作频率fm Y<|L|b6 6znm?s@~ 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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