| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 etT9}RbQ Ux1j +}y 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 6/#+#T [ )
0JI6 1.正向特性 +_ /ys! w,X)g{^T 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 pfu"vo(t_ iZ>P>x\ 2.反向特性 I{0cnq/ yZ{N$ch5b 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ?FNgJx*\S x]yIe&*(' 3.击穿特性 B8eZ}9X oexTz[ 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 @54$IhhT~ oQrfrA&=M
:!l.ze{F 图1、二极管的伏安特性曲线 V dvj*I X3 1%T" +,,dsL 4、频率特性 :-#7j}
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由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 G~DHNO6 Ky7.&6\n 二、二极管的简易测试方法 J~xm[^0 xv Xci W 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 P=1Ku|k "!(@MfjT 表 二极管简易测试方法 ftcLP (tq);m&
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z/{ 三、二极管的主要参数 ;hODzfNkS y`8U0TE3R 1.正向电流IF *z6A ~U 0FE_><e 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 "=+i~N#Sc JL!^R_b&c 2.正向电压降VF g]JRAM @`+\vmfD 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 [kpQ:'P3 0sA`})Dk 3.最大整流电流(平均值)IOM M:(.aEe sN-u?EiF8 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 k&:q|[N ]mi\Y"RO 4.反向击穿电压VB (=WbLNBS AX&Emz- 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ;nL7Hizo, j@#RfVx 5.正向反向峰值电压VRM cUP1Uolvn \!jz1`]&{ 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 fj['M6+wd g"Hl 30o 6.反向电流IR mXhC-8P ^i8biOSZu 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 !5h-$; +~YoP> 7.结电容C ;qy;;usa =O"l/\c^ 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 OGLA1}k4 Y@q9 8.最高工作频率fm 7O%^4D "[k>pzl6 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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