| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 *;cvG?V @lpo$lN0R 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: V>D8l @ Yuo:hF\DH 1.正向特性 {\zTE1X9 tQ =3Oa[u 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 9U~fc U6 8J|2b; Vf 2.反向特性 x*>@knP<- _y:-_q 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 S$#"bK/p^ s0r::yO 3.击穿特性 ^UU@7cSi|G R!&9RvNw 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 nA owFdCD T.bn~Z#f
X1 DE 图1、二极管的伏安特性曲线 5&)T[Q X` }2xgm9j< L%S(z)xX3 4、频率特性 aSse'
C<a UHyGW$B 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 v9k\[E? mD5Vsy{Pb 二、二极管的简易测试方法 ,~Y[XazT aH/8&.JLi 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 88 x2Hf5I <C1w?d$9I 表 二极管简易测试方法 C#qF&n z}BuR*WSY{
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>w[ *@;bWUJ 三、二极管的主要参数 tJe5`L 6~34L{u 1.正向电流IF 2CMWJi pk8`suZ 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 !LR9}Xon ~"J7=u1o 2.正向电压降VF /np05XhEa &?@gCVNO, 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 V~#8lu7; KzZfpdI92 3.最大整流电流(平均值)IOM /'4]"%i%3 '}l7=r 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 q#6|/R* 5Lm-KohT' 4.反向击穿电压VB dvE~EZcS w-];!;% 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ;fYJ]5> BN&eU'Dl] 5.正向反向峰值电压VRM g#Z7ReMw FwE<_hq// 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 TH"<6*f2L 9=J 3T66U 6.反向电流IR 8UzF*gS C).+h7{nd 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 s"`Oj5 _b`/QSL 7.结电容C J8B0H1 Sc ijf 9 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 8Ow#W5_3| '=H3Y_{oO 8.最高工作频率fm SmS6B5j\R bw)E;1zo 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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