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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 DBG0)=SHy  
d2V\T+=  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ." gq[0_YS  
H-nhq-fut  
1.正向特性 }EYmz/nN  
m mZP;  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 cJbv,RV<  
x;`G n_  
2.反向特性 e$_gOwB  
Ook\CK*nKe  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 U;TS7A3  
Nsq=1) <  
3.击穿特性 uF1 4;  
Ly3!0P.<  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 (n8?+GCa  
6P}?+ Gc  
n1 GX` K  
图1、二极管的伏安特性曲线 0^\H$An*k  
n#Dy YVb  
3 !8#wn  
4、频率特性 .>}I/+n  
Z.!<YfA)  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 }!k?.(hpE  
EC0B6!C&7  
二、二极管的简易测试方法 `?.6}*4@_A  
X Db%-  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 9M'"q7Kh  
0TA8#c  
表 二极管简易测试方法 GM9[ 0+u;  
rp dv{CUp7  
>yLDU_P)  
N\&VJc  
三、二极管的主要参数 lhJY]tQt/  
xzOvc<u  
1.正向电流IF wJJ|]^0.  
#<B?+gzFM{  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 \p( 0H6  
,r~^<m  
2.正向电压降VF {d'B._#i  
;<[!;8  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 XUh&an$  
Oi& 9FS  
3.最大整流电流(平均值)IOM <dE~z]P  
==?%]ZE8  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 #:yAi_Ct  
{+cx}`  
4.反向击穿电压VB ;`c:Law4  
#y7MB6-  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ewN|">WXQ  
EXjR&"R  
5.正向反向峰值电压VRM i <gt`UCO  
YfZ5Q}*1O+  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 .@+M6K*  
0S;Ipg  
6.反向电流IR B* 3_m _a  
Ksh[I,+N\  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 !BrZTo  
1I'}Uh*  
7.结电容C G7,v:dlK   
35AH|U7b  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 h(}#s1Fzq  
*P7n YjG  
8.最高工作频率fm N4-Y0BO  
{yT<22Fl  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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