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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 ==Mi1Q#5C  
l_-n&(N2<[  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: D>e\OfTR:  
.l5" X>  
1.正向特性 MxEAs}MDv  
= DTOI  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 i!oj&&  
{4aY}= -Q*  
2.反向特性 u=}bq{  
&E riskI  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 },aWCvJL  
{ah~q}(P  
3.击穿特性 3t{leuO'  
7jH`_58  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 G=5t5[KC  
xyjV dD\  
)B$P#dP)i  
图1、二极管的伏安特性曲线 [ky6E*dV`  
 5vF}F^  
Q_0x6]/!  
4、频率特性 zHOE.V2Qo  
y*b.eO  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 3|+f si)x  
@IY?DO  
二、二极管的简易测试方法 &f<1=2dm  
RL Zf{Q>  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 ?wf+{x-dPP  
T|s0qQi  
表 二极管简易测试方法 CCh8?sM  
wV[V#KpX8-  
l5Wa'~0qA  
TBKd|D'H  
三、二极管的主要参数 `$sY^EX  
nlebFDb7  
1.正向电流IF JD{MdhhV  
iqednk%  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 l \^nC2  
)ClMw!ZrU  
2.正向电压降VF s9rtXBJP  
f3TlJ!!U  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 h [IYA1/y  
uB <F.!3  
3.最大整流电流(平均值)IOM Xs>s|_T  
hygnC`|  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 %+xwk=%*  
80$0zbw$  
4.反向击穿电压VB JOdwv4(3V  
Q-`{PJ(p  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 e*P=2*]M  
)t,{YGY#  
5.正向反向峰值电压VRM :G`L3E&1s  
>I d!I  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 MxgLzt Y  
nQ642i%RQ  
6.反向电流IR fi&uB9hc  
TmYP_5g:  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 7V=MRf&xQ  
G*(K UG>  
7.结电容C w*:GM8=6  
i-k >U}[%  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 AbF(MK=i  
7!r#(>I6?1  
8.最高工作频率fm {xv?wenE  
/^'Bgnez  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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