| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 K4tX4U[Z \E30.>%, 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: Q7s1M&K
aqN.5'2\ 1.正向特性 <*\J 6:^n xphqgOc12, 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 _96&P7 $ S49v 2.反向特性 ^m7PXY )Qc$UI8L 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 ?\yo~=N^ x{- caOH 3.击穿特性 nk{1z\D{ l%IOdco# 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 (1o^Dn3 ;Cy@TzO/|
)>/c/B 图1、二极管的伏安特性曲线 v 3NaX. C+mU_g> e'`oisJU?q 4、频率特性 tX_eN eOb`uyi 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 o6r4tpiR5 BAhC-;B#R 二、二极管的简易测试方法 t&xx-4 f.= E. % 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 4|(?Wt)5 x\%egw 表 二极管简易测试方法 {
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NR*SEbUU* q2Kn3{ 三、二极管的主要参数 JVkawkeX =6sXZ"_Tw 1.正向电流IF |}`5<a!6U g{%'; 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 )=D&NO67Pq JvDsr0]\# 2.正向电压降VF ]VvJ1Xn0 >$y
> 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 |(SW R+K[/AA 3.最大整流电流(平均值)IOM {OOt+U! ueR42J%s 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 @I&"P:E0F; .*j+? 4.反向击穿电压VB P5>CSWy% #-;BU{3* 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 :m d3@r'] Xo`1#6xsE 5.正向反向峰值电压VRM <IVz mzpL (5> ibe 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 f2wW2]Fg Bu1z$#AC 6.反向电流IR R*X2Z{n />C~a]} 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ]lUu%<-; -e~Uu 7.结电容C "b
0cj x/=j$oA 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 to3J@:V8e ]D%k)<YK 8.最高工作频率fm Aq!['G blcKtrYg 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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