小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性
*X0K2| 0-lPhnrp 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: P@-R5GK >02i8:Tp5K 1.正向特性 c|3h| =
c/3^e 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 yqC+P =+k&&vOAn 2.反向特性 E^'C" 6 /XbY<pj 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 18J.vcP 4bFv"b 3.击穿特性 R^F7a0" P=}H1# 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 moZ)|y Vl&+/-V
`W
D*Q-&n 图1、二极管的伏安特性曲线 [%7IQ4`{ Z={UM/6w $Cut 4、频率特性 xu0;a dawVE
O 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 ^?81.b|qb VuP#b'g=|] 二、二极管的简易测试方法 3T Yo =kyJaT^5[ 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 LS*{]@8q $#g#[/ 表 二极管简易测试方法 I67k M{V WXRHG)nvL
Y*h`), Xd90n>4S 三、二极管的主要参数 D>,$c eYnLZ&H5O 1.正向电流IF 4Xa.r6T_N= '33Yl+h 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 ,APGPE}I[ z{7,.S
u 2.正向电压降VF )&g2D@+{ 3ZT/>a>@ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 tF{{cd
Y)@oo=oG 3.最大整流电流(平均值)IOM ]l9,t5Y PprQq_j 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 1o"y%*" GN}9$: 4.反向击穿电压VB 7%~VOB n0
fF,?gm 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 [rD+8,zVm $j$\ccG 5.正向反向峰值电压VRM P:bVcta9g "!w[U{ 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 c +"O\j' Hzk1LKsT# 6.反向电流IR h|$zHm )dzjz%B) 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ^5^
zo~^o z[<pi: 7.结电容C AVdd?Ew Wr}a\}R 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 ^*4(JR
/3"e3{uy 8.最高工作频率fm Xs#?~~"aC ^$Me#ls! 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
|
|