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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性  3g#  
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二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: pI>[^7  
P>i!f!o*I  
1.正向特性 j\uh]8N3<  
l?UFe$9(  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 { +$zgg  
Q8~|0X\.g  
2.反向特性 3G;#QK -c  
 V/8"@C  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 n@`:"j%s_  
dpTeF`N  
3.击穿特性 zo^34wW^  
FVgE^_  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 -!C9x?gNY  
$BPTk0Y  
KcK,%!>B  
图1、二极管的伏安特性曲线 Q, `:RF3  
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X>$s>})Y  
4、频率特性 G%RL8HU  
}+F&=-P)  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 /4!.G#DLQ  
^tFbg+.  
二、二极管的简易测试方法 YIc|0[ ]*|  
]8c%)%Vi  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 I_k!'zR[N  
+4r.G(n),  
表 二极管简易测试方法 L2jjkyX]  
\%! t2=J!  
?uBZ"^'  
)v+R+3<  
三、二极管的主要参数 B}&9+2M  
~hk;OB;  
1.正向电流IF xaSg'8-  
A'=,q  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 vK10p)ZV  
?e. Ge0&  
2.正向电压降VF AB1.l hR  
Y!K5?kk  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 FB\lUO)U\c  
K4[X P]\jr  
3.最大整流电流(平均值)IOM I/HcIBJ  
s;9>YV2at  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 8=Z]?D=  
yltzf #%  
4.反向击穿电压VB .GM}3(1fX`  
O.HaEg/-  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 0Gr^#`  
xyvG+K&  
5.正向反向峰值电压VRM U^@8ebv  
}R\9y bv  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 {=q$k=ib  
ui[E,W~  
6.反向电流IR @'ln)RT,  
Tx|}ke~  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 -UMPt"o  
iYE7BUH=  
7.结电容C _Dv<  
|vI1C5e  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 R'Y=- yF  
1vG]-T3VC  
8.最高工作频率fm rRK^vfoJ`  
YO3$I!(  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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