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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 R'He(x  
4~DoqT  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: &W*9'vSm.  
=*fOej>G  
1.正向特性 Bf.@B0\  
40+~;20  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 Q! WXFS  
xwq {0jY  
2.反向特性 ar }F^8Ku  
,iV|^]X3$/  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 (X;D.s  
g,*LP  
3.击穿特性 r$d,ChzQn?  
X)P9f N~7  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 A@4sb W_  
ly9.2<oz}L  
O8qA2@,  
图1、二极管的伏安特性曲线 ]hRCB=G  
_NA[g:DZ&O  
0CX2dk"UB^  
4、频率特性 hX;JMQ915  
JlR (U. "  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 s|FfBG  
nB>C3e  
二、二极管的简易测试方法 hj[&.w  
EdR1W~JZ  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 z$C}V/Ey  
\iVb;7r)9:  
表 二极管简易测试方法 =MMU(0 E  
N;gI %6  
t*KgCk1  
&V"9[0  
三、二极管的主要参数  $I}7EI  
@M=xdZNyJ  
1.正向电流IF 4C m+xAXG  
Q0l[1;$#  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 hUR>NUK@8  
7 G37V"''  
2.正向电压降VF K FMx(fD  
?y"= jn  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 IHC {2 ^  
@,kR<1  
3.最大整流电流(平均值)IOM LlbRr.wL  
bMU0h,|]  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 nymro[@O~  
cug=k  
4.反向击穿电压VB pT ]:TRPS  
m6+4}=Cn  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 3FetyW l'  
7UnB]-:.  
5.正向反向峰值电压VRM A*b>@>2  
mLGbwm'K  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 >_esLsPWh]  
<gfkbDP2  
6.反向电流IR ';,Rq9-'  
V d`}F0WD  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值  {@E(p4W  
#"&<^  
7.结电容C 7:Cq[u fl  
k z{_H`5.  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 *gGL5<%T:  
ais@|s;  
8.最高工作频率fm <?h,;]U  
lJ>OuSd  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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