| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 Vy@0Got5= '=cAdja 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: cOb,Md Cd'K~Ch3 1.正向特性 4nU+Wj?T #KwK``XC4 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 DUWSY?^c r9whW;"q 2.反向特性 -b'a-? /<)kI(gf 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 6+W`:0je K%(DRkj) 3.击穿特性 QRlrcauM o`~%}3 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 2_CJV :i/uRR
vl:V?-sY 图1、二极管的伏安特性曲线 +|6 u
0&R^ H\<^p",` -"/l)1ox, 4、频率特性 G\/7V L M:cW/&ZJ 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 '<% ;Nv Usf7
AS= 二、二极管的简易测试方法 3#~w#Q0% 0)E`6s#M 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 nW!pOTJq21 nYts[f9e 表 二极管简易测试方法 Qcs>BOV~ d>}R3T
.Uh|V- mH5[(? 三、二极管的主要参数 I9g!#lbl
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,*Y^T 1.正向电流IF z P=3B%$ GcCMCR3 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 &]P1IQ K4j2xSGeo 2.正向电压降VF CK#SD|~: ^eY% T5K 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 6*%E4#4 =`fz#Mfd 3.最大整流电流(平均值)IOM ];hK5 oz#;7
?9 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 ;SVAar4r i YBp"+#2 4.反向击穿电压VB ]n (:X \p{$9e;8yT 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 *;X,yEK[ #S*cFnd 5.正向反向峰值电压VRM IM*T+iRKqF @&}~r 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 J>%uak< ODE^;:z ! 6.反向电流IR k!=
jO#)Rd Yb=Z`) 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 PYJ8\XZ1_N ZG bY 7.结电容C EViQB.3w\ <OA[u-ph%S 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 X+;{&Efrl 'c&S%Ra[3G 8.最高工作频率fm s7G!4en qTi%].F"G 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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