小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性
3g# _tJm0z! 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: pI>[^7 P>i!f!o*I 1.正向特性 j\uh]8N3< l?UFe$9( 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 { +$zgg Q8~|0X\.g 2.反向特性 3G;#QK-c V/8"@C 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 n@`:"j%s_ dpTeF`N 3.击穿特性 zo^34wW^ FVgE^_ 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 -!C9x?gNY $BPTk0Y
KcK,%!>B 图1、二极管的伏安特性曲线 Q ,`:RF3 $$tFP"pZ X>$s>})Y 4、频率特性 G%RL8HU }+F&=-P) 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 /4!.G#DLQ
^tFbg+. 二、二极管的简易测试方法 YIc|0[ ]*| ]8c%)%Vi 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 I_k!'zR[N +4r.G(n), 表 二极管简易测试方法 L2jjkyX] \%!
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?uBZ"^' )v+R+3< 三、二极管的主要参数 B}&9+2M ~hk;OB; 1.正向电流IF xaSg'8- A'=,q
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 vK10p)ZV ?e. Ge0& 2.正向电压降VF AB1.l
hR Y!K5?kk 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 FB\lUO)U\c K4[XP]\jr 3.最大整流电流(平均值)IOM I/HcIBJ s;9>YV2at 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 8=Z]?D= yltzf
#% 4.反向击穿电压VB .GM}3(1fX` O.HaEg/- 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 0Gr ^#` xyvG+K& 5.正向反向峰值电压VRM U^@8ebv }R\9ybv
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 {=q$k=ib ui[E,W~ 6.反向电流IR @'ln)RT, Tx|}ke~ 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 - UMPt"o iYE7BUH= 7.结电容C _Dv< |vI1C5e 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 R'Y=-
yF 1vG]-T3VC 8.最高工作频率fm rRK^vfoJ`
YO3$I!( 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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