| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 R'He(x 4~DoqT 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: &W*9'vSm. =*fOej>G 1.正向特性 Bf.@B0\ 40+~;20 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 Q!WXFS xwq {0jY 2.反向特性 ar }F^8Ku ,iV|^]X3$/ 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 (X;D.s g,*L P 3.击穿特性 r$d,ChzQn? X)P9f N~7 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 A@4sb
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O8qA2@, 图1、二极管的伏安特性曲线 ]hRCB=G _NA[g:DZ&O 0CX2dk"UB^ 4、频率特性 hX;JMQ915 JlR(U." 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 s|FfBG nB>C3e 二、二极管的简易测试方法 hj[&.w EdR1W~JZ 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 z$C}V/Ey \iVb;7r)9: 表 二极管简易测试方法 =MMU(0 E N;gI %6
t*KgCk 1 &V"9[0 三、二极管的主要参数
$I}7EI @M=xdZNyJ 1.正向电流IF 4Cm+xAXG Q0l[1;$# 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 hUR>NUK@8 7
G37V"'' 2.正向电压降VF K FM x(fD ?y"=jn 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 IHC
{2 ^ @,kR<1 3.最大整流电流(平均值)IOM LlbRr.wL bMU0h,|] 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 nymro[@O~ cug=k 4.反向击穿电压VB pT ]: TRPS m6+4}= Cn 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 3FetyWl' 7UnB]- :. 5.正向反向峰值电压VRM A*b>@>2 mLGbwm'K 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 >_esLsPWh] <gfkbDP2 6.反向电流IR ';,Rq9-' V
d`}F0WD 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
{@E(p4W #" &<^ 7.结电容C 7:Cq[u fl k
z{_H`5. 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 *gGL5<%T: ais@|s; 8.最高工作频率fm <?h,;]U lJ>OuSd 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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