小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 061 f u #7AB>wi{ 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: a3(f\MMxE KhbbGdmfS$ 1.正向特性
2f -Or/v .O.fD 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 f<3r;F7 N{zou?+ 2.反向特性
N/AP8 /M_kJe,% 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 UgLJV2M6 >Q^*h}IdW 3.击穿特性 HM\gOz %!)Dk< 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 9}Zi_xK&|e N" oJ3-~
k+cHx799 图1、二极管的伏安特性曲线 ,Onu% V{kgDpB knZ<V%/e 4、频率特性 QgX[?2 G{oM2`c'#8 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 !GVxQll[f u\G\KASUK% 二、二极管的简易测试方法 &]/.=J rx;zd ? 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 OAz-w Ehf{Kl 表 二极管简易测试方法 aMjCqu05 eM`"$xc
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rk(0w|zR+ u8@>ThPD 三、二极管的主要参数 uc;QSVWGy8 K?+Rq 1.正向电流IF :YZMRJL n7Ia8?8-l 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 pF"IDC qT L@N9 2.正向电压降VF zHCz[jlrMq -vC?bumR% 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 1e^-_Bo6'o [t`QV2um 3.最大整流电流(平均值)IOM lq!l{[Xp Fc<+N0M{ 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 /1lUFL2D pc%_:> 4.反向击穿电压VB RA+k/2]y! ?wx|n_3<: 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 }KHdlhD 2xd G&}$fa 5.正向反向峰值电压VRM #yVY!+A 1jozM"H7Q 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 ;=6~,k) Io&F0~Z;;( 6.反向电流IR X;0DQnAI8j AHhck?M^ 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 Rj=xn(@d Tce2]"^; 7.结电容C 6(}8[i: l8hOr yB& 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 O(PG"c UpS`KgF"v 8.最高工作频率fm MLcc 5!G}*u. 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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