| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 e2 Ba@e- D",ZrwyJ 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: $UO7AHk '2v,!G]^
1.正向特性 q<.^DO~$L prhFA3
rW. 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 |L<oKMZY {v<Ig{{V 2.反向特性 ;. /Tv84I^ xOPSw|!w 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 0t6s20*q $OmcEd 3.击穿特性 My
Af~&Y+ K|E}Ni 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 d),@&MSN RhXX/HFk
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. 图1、二极管的伏安特性曲线 }=;N3Q" #y Vad(PS0 Y Q3%vH5#y 4、频率特性 Y#3m|b45n v)4 kS 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 HO}aLp q1`uS^3` 二、二极管的简易测试方法 F2OU[Z,-] ,k+jx53XV 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 Oa
CkU }a-ikFQ] 表 二极管简易测试方法 I)O%D3wfMW .V
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x(}@se b{(!Ls_ & 三、二极管的主要参数 \d]&}`'4{f <o^mQq& 1.正向电流IF :.DCRs$Q nakhepLN 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 D?8t'3no o!wz:|\S 2.正向电压降VF a(BWV?A 64o`7 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 yEzp+Ky {b7P1}>-* 3.最大整流电流(平均值)IOM Et# }XVCJ JwxI8Pi*y 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 /QD}_lh;, 1h"0B 4.反向击穿电压VB Z:)\j. 73 Tg{~ 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 HC+(FymV at
]Lz_\ 5.正向反向峰值电压VRM nNq| v=L eNi.d;8F 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 4,wdIdSm4 s[8<@I*u 6.反向电流IR _av%`bb&z9 0JKbp*H 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ]%"Z[R 64hr|v 7.结电容C gXc&uR0S /,c9&it(M 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 T->O5t c w9H%u0V? 8.最高工作频率fm \Vr(P> 2pxl! 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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