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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 4s <ZKU 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 N]|)O]/[ 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 "Gq%^^* 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 / >7G 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 C6D
Eq>v [attachment=24333] F7=&CW 0 #,!/Cnqis 市场价:¥36.00 7Fb!;W#X 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) Q[aBxy
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=RlAOgJ N'21I$ D 第1章 真空技术 A2`Xh#o 1.1 真空的基本概念 |~Vq"6` 1.1.1 真空的定义 _sCzee&uQ 1.1.2 真空度单位 1ZWr@,\L 1.1.3 真空区域划分 }\W^$e- 1.2 真空的获得 o'YK\L!p 1.3 真空度测量 >[P`$XkXd4 1.3.1 热传导真空计 id1gK(F8H 1.3.2 热阴极电离真空计 r#6djs1 1.3.3 冷阴极电离真空计 sB'~=1m^ 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 cNl$
vP83z 参考文献 SMA' VU y"w`yl{_ 第2章 蒸发技术 ovvg"/>L 2.1 发展历史与简介 &Z7 NF| 2.2 蒸发的种类 =~k#<q1^ 2.2.1 电阻热蒸发 #ePtfRzJ 2.2.2 电子束蒸发 KFM)*Icg\8 2.2.3 高频感应蒸发 xK_0@6
2.2.4 激光束蒸发 difAQ<` 2.2.5 反应蒸发 r+i=P_p 2.3 蒸发的应用实例 su~J:~q 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 GVM)-Dp] 2.3.2 ITO薄膜 z3yAb"1Hg 参考文献 !L@a;L H4ancmy 第3章 溅射技术 3lefB
A7 3.1 溅射基本原理 |v h{Kb@ 3.2 溅射主要参数 )zo:Bo
.< 3.2.1 溅射闽和溅射产额 cN]g^ 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 |'Ksy{lA 3.2.3 溅射速率和淀积速率 <e-hR$ 3.3 溅射装置及工艺 oJ0ZZu?{D 3.3.1 阴极溅射 H\=S_b1wo 3.3.2 三极溅射和四极溅射 vu_ u\2d 3.3.3 射频溅射 ]_:j+6i 3.3.4 磁控溅射 nSbcq>3 3.3.5 反应溅射 VCvFCyAz 3.4 离子成膜技术 ;:w0%>X^ 3.4.1 离子镀成膜 CVGQ<,KVW 3.4.2 离子束成膜 e>b|13X 3.5 溅射技术的应用 F{
sPQf' 3.5.1 溅射生长过程 Iv>4o~t 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
9Cq"Szs 参考文献 PO]c&}/ HP[M"u 第4章 化学气相沉积 zdN(r<m9" 4.1 概述 tP|ox] 4.2 硅化学气相沉积 UiN6-{v<2 4.2.1 CVD反应类型 $Rf)i W;h 4.2.2 CVD热力学分析 !u=A9i! 4.2.3 CVD动力学分析 j>|mpfU 4.2.4 不同硅源的外延生长 QlH,-]N$L 4.2.5 成核 Y86mg7[U/ 4.2.6 掺杂 )'axJ 4.2.7 外延层质量 ~L=? F 4.2.8 生长工艺 je5GZFQw 4.3 CVD技术的种类 dC8, 4.3.1 常压CVD ITBa ^P 4.3.2 低压CVD 8'0I$Qa4 4.3.3 超高真空CVD CdTE~O<) 4.4 能量增强CVD技术 -zH` 9>J5| 4.4.1 等离子增强CVD Jm]P,jaLc 4.4.2 光增强CVD G!5~`v 4.5 卤素输运法 *T0!q#R 4.5.1 氯化物法 0GMov]W?i 4.5.2 氢化物法 [>LL 4.6 MOCVD技术 >vfbXnN 4.6.1 MOCVD简介 `fq# W#Pu 4.6.2 MOCVD生长GaAs _|s'0F/t 4.6.3 MOCVD生长GaN 3 UG
UZ 4.6.4 MOCVD生长ZnO *n2le7 4.7 特色CVD技术 t}f,j^`e
4.7.1 选择外延CVD技术 }"6
PM)s 4.7.2 原子层外延 9=p/'d8 参考文献 nlR7V. ,2Q5'!o 第5章 脉冲激光沉积 d\j[O9W> 5.1 脉冲激光沉积概述 1'BC
R 5.2 PLD的基本原理 2#xz,RM. 5.2.1 激光与靶的相互作用 iJ!p9E*( 5.2.2 烧蚀物的传输 H{VJS Jc{ 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ,*d<hBGbh 5.3 颗粒物的抑制 _?c7{ 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 C=<PYkt,L 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 bTW#
f$q:4 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 m"RSDM!
参考文献 9]PMti tIL ]JB 第6章 分子束外延 ]r(s02 6.1 引言 &W$s-qf". 6.2 分子束外延的原理和特点 P8n |MN 6.3 外延生长设备 KU*XRZu) 6.4 分子束外延生长硅 lkaWwjv_D 6.4.1 表面制备 o' Kl+gw4 6.4.2 外延生长 }C<$q 6.4.3 掺杂 -5d^n\CDK 6.4.4 外延膜的质量诊断 USJk
* 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 tDn:B$*}W, 6.5.1 MBE生长GaAs JbXd9AMh2 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs =RjseTS 6.5.3 MBE生长GaN S)=3%toS> 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ytyB:# J 6.6.1 HgCdTe材料 v&8s>~i`K 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 pra0:oHN 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 a?8boN( 6.6.4 ZnSe、ZnTe ANq3r( 6.6.5 ZnO薄膜 IT:8k5(L5j 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 kKz>]t"A 6.7.1 SiC:材料 nr- 32u 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 W*^_Ul| 6.7.3 生长有机半导体薄膜 4{CeV7 参考文献 ^!*nhs% cN%@
nW0i 第7章 液相外延 I T?~`vi 7.1 液相外延生长的原理 K7=>o*p 7.1.1 液相外延基本概况 pmgPBiU> 7.1.2 硅液相外延生长的原理 jAak,[~; 7.2 液相外延生长方法和设备 i 2l/y,UX 7.3 液相外延生长的特点 k]9+/$ 7.4 液相外延的应用实例 \IO<V9^L 7.4.1 硅材料 \%|%C 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 !v<`^`x9I 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 Wg\MaZ6Di 7.4.4 SiC材料 8'#L+$O &N 参考文献 <7_s'UAL! dry>TXG* 第8章 湿化学制备方法 KtD
XB> 8.1 溶胶-凝胶技术 L'u*WHj|v kc/" 第9章 半导体超晶格和量子阱 N^f_hL|:9 第10章 半导体器件制备技术 S9%ZeM+ 参考文献 ;*njS1@ {h0T_8L/ 市场价:¥36.00 ]\ t20R{z 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) 9xaieR
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