cyqdesign |
2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 `IN!#b+Eo 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 z+Xr2B 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 B*/!s7 c. 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 p22AH%
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Mi]^wCF [attachment=24333] m.++nF ]p|?S[!= 市场价:¥36.00 .!q_jl%U 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) Na@bXcz)
)\])?q61 QN*|_H@h 第1章 真空技术 &mX_\w/% 1.1 真空的基本概念 Zk`y"[ J 1.1.1 真空的定义 tR51Pw 1.1.2 真空度单位 B=KrJ{&! 1.1.3 真空区域划分 ##mZ97>$ 1.2 真空的获得 -1Tr!I:1 1.3 真空度测量 =!-} q 1.3.1 热传导真空计 cr;:5D%_ 1.3.2 热阴极电离真空计 f2 ~Aug 1.3.3 冷阴极电离真空计 rC@VMe|0 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 0SvPr[ > 参考文献 9(t(sP_ YPx+9^) 第2章 蒸发技术 np2&W'C/i 2.1 发展历史与简介 Muwlehuq 2.2 蒸发的种类 ]Y?Y$> 2.2.1 电阻热蒸发 Jqb~RP~ 2.2.2 电子束蒸发 D?#l8 2.2.3 高频感应蒸发 3IRur,|' 2.2.4 激光束蒸发 Z,"4f*2 2.2.5 反应蒸发 SY|K9$M^ 2.3 蒸发的应用实例 'IY?=#xr'` 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 &]YyV . 2.3.2 ITO薄膜 T1q27I 参考文献 A|LO!P,w 6D
Xja_lp 第3章 溅射技术 =/K)hI!u 3.1 溅射基本原理 |8f }3R 9 3.2 溅射主要参数 tC|?Kl7 3.2.1 溅射闽和溅射产额 U',C-56z 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 6yy%_+k* 3.2.3 溅射速率和淀积速率 >3p~>;9sc 3.3 溅射装置及工艺 PS"rXaY 3.3.1 阴极溅射 |dQz(z&6{5 3.3.2 三极溅射和四极溅射 N
;=zo-8 3.3.3 射频溅射
7LU^Xm8 3.3.4 磁控溅射 hlL$3.] 3.3.5 反应溅射 ,r*Kxy 3.4 离子成膜技术 mDK*LL5]W 3.4.1 离子镀成膜 .^*;hZ~4% 3.4.2 离子束成膜 C W#:' 3.5 溅射技术的应用 Bc.de&Bxz_ 3.5.1 溅射生长过程 Jy/<
{7j 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 iO?AY 参考文献 FWJ**J M>Q ZN 第4章 化学气相沉积 %IBT85{ 4.1 概述 ZeuL*c \ 4.2 硅化学气相沉积 F/ZFO5C% 4.2.1 CVD反应类型 {,JO}Dmu5 4.2.2 CVD热力学分析 peu9Bgs 4.2.3 CVD动力学分析 f~wON>$K 4.2.4 不同硅源的外延生长 :+DrV\) 4.2.5 成核 O
Ol: 4.2.6 掺杂 2c]"*Pb 4.2.7 外延层质量 )KE 4.2.8 生长工艺 H;4QuB'^ 4.3 CVD技术的种类 te(H6c#0 4.3.1 常压CVD JD#q6&| 4.3.2 低压CVD j yD3Sa3 4.3.3 超高真空CVD WGn=3(4 4.4 能量增强CVD技术 ]uox ^HC 4.4.1 等离子增强CVD enJ;#aA 4.4.2 光增强CVD Op-z"inw 4.5 卤素输运法 H9)n<r 4.5.1 氯化物法 86)2\uan 4.5.2 氢化物法 P4Pc;8T@! 4.6 MOCVD技术 s0dP3tz> 4.6.1 MOCVD简介 iY/2 `R 4.6.2 MOCVD生长GaAs w@^J.7h^ 4.6.3 MOCVD生长GaN r\Y,*e 4.6.4 MOCVD生长ZnO pgES) 4.7 特色CVD技术 F}So=Jz9h 4.7.1 选择外延CVD技术 ? Vd~ 4.7.2 原子层外延 %3qjgyLZ| 参考文献 5NZuaN qm!cv;}c1 第5章 脉冲激光沉积 5zBA ]1PY 5.1 脉冲激光沉积概述 r1< 'l 5.2 PLD的基本原理 kMCP .D45; 5.2.1 激光与靶的相互作用 Zq8 5q 5.2.2 烧蚀物的传输 Bza<.E= 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 5kw
K% 5.3 颗粒物的抑制 d[9{&YnH ! 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 V8 8u- 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 GKIzU^f 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 -:%QoRCy 参考文献 Pv5S k8 Gt#r$.]W?o 第6章 分子束外延 U\lbh;9G 6.1 引言 [T_[QU:A 6.2 分子束外延的原理和特点 d]e36Dwk 6.3 外延生长设备 39 }e
}W" 6.4 分子束外延生长硅 c
qCNk 6.4.1 表面制备 !6=s{V&r1 6.4.2 外延生长 s`=| D'G(= 6.4.3 掺杂 "L]v:lg3 6.4.4 外延膜的质量诊断 K>+ v" x 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 0]7jb_n1 6.5.1 MBE生长GaAs g/.FJ-I* 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs =F_uK7W 6.5.3 MBE生长GaN K*j
OrQf` 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 5go)D+6s 6.6.1 HgCdTe材料 'S6zk wC] 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 Jn{)CZ 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 9ia&/BT7"z 6.6.4 ZnSe、ZnTe LmJjO:W}^y 6.6.5 ZnO薄膜 4ct-K)Ris 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 &6CDIxH{ 6.7.1 SiC:材料 acS~%^"<_ 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 t#P7'9Se8 6.7.3 生长有机半导体薄膜 R?)Yh.vi=t 参考文献 F}l3\uC] /E<Q_/'Z 第7章 液相外延 ppIXS( 7.1 液相外延生长的原理 VQ('ejv}/ 7.1.1 液相外延基本概况 T%%EWa<a 7.1.2 硅液相外延生长的原理 uxxk&+M 7.2 液相外延生长方法和设备 JvXuN~fI{[ 7.3 液相外延生长的特点 ,M`1 k 7.4 液相外延的应用实例 h!dij^bD 7.4.1 硅材料 .>;??BG} 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 l tNI+G 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 X$;x2mz nM 7.4.4 SiC材料 bJMsB|r 参考文献 HR?T !:\0}w$- 第8章 湿化学制备方法 Ec<33i]h*p 8.1 溶胶-凝胶技术 fB<Qs.T %G(VYCeK 第9章 半导体超晶格和量子阱 mxCneX 第10章 半导体器件制备技术 ^E/6vG 参考文献 SVVE b6& Me z&@{ 市场价:¥36.00 D,..gsg 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) dn'|~zf.
|
|