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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 fQP {|+4 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ltFq/M 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 s{w[b\rA 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 Ssk}e=] 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 \(">K [attachment=24333] |X`/ H}LS??P 市场价:¥36.00 `
\A(9u* 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) VAC iVKk
c"n ?'e l$hJE;n 第1章 真空技术 >Yt/]ta4+ 1.1 真空的基本概念 3/#:~a9Q 1.1.1 真空的定义 D3c2^r$Z 1.1.2 真空度单位 "6a8s; 1.1.3 真空区域划分 <94_@3 1.2 真空的获得 3v")J*t 1.3 真空度测量 "z<azs 1.3.1 热传导真空计 F}
d 1.3.2 热阴极电离真空计 p!/[K6u 1.3.3 冷阴极电离真空计 <A9y9|>o 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 w{dIFvQ"$ 参考文献 oy<WUb9W qT/Do?Y 第2章 蒸发技术 _
%%Z6x( 2.1 发展历史与简介 $v8l0JA * 2.2 蒸发的种类 5
|/9}^T 2.2.1 电阻热蒸发 G
Xt4j 2.2.2 电子束蒸发 StI1){Wf 2.2.3 高频感应蒸发 3Oa*%kP+ 2.2.4 激光束蒸发 Ys8SDlMo 2.2.5 反应蒸发 9dzdrT 2.3 蒸发的应用实例 CB~Q%QLG 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 !K?qgM 2.3.2 ITO薄膜 al+ #y)+ 参考文献 "S&%w8V R4Rb73o 第3章 溅射技术 $0^P0RAH 3.1 溅射基本原理 I\|N 3.2 溅射主要参数 ^h&I H| 3.2.1 溅射闽和溅射产额 C!C|\$)- 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 xug)aE 3.2.3 溅射速率和淀积速率 pb0E@C/R 3.3 溅射装置及工艺 ?r_l8 3.3.1 阴极溅射 _8G>&K3T< 3.3.2 三极溅射和四极溅射 t4K~cK 3.3.3 射频溅射 9%sM*[A 3.3.4 磁控溅射 [i]r-|_K 3.3.5 反应溅射 U.T|
3.4 离子成膜技术 abxDB 3.4.1 离子镀成膜 F\ctu aLC 3.4.2 离子束成膜 O--7<Q\ 3.5 溅射技术的应用 c<#<k}y 3.5.1 溅射生长过程 wve=.n 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 o/o:2p. 参考文献 (qwdQMj` _#o'
+_Z 第4章 化学气相沉积 D=RU`?L 4.1 概述 zdSh: 4.2 硅化学气相沉积 9SMiJad< 4.2.1 CVD反应类型 hnWo|! ,O$ 4.2.2 CVD热力学分析 0uCT+- 4.2.3 CVD动力学分析 UK*qKj.) 4.2.4 不同硅源的外延生长 9N[EZhW 4.2.5 成核 xv7"WFb 4.2.6 掺杂 9j*0D(" 4.2.7 外延层质量 ~YCuO0t 4.2.8 生长工艺 6k?`:QK/sl 4.3 CVD技术的种类 T@^]i& 4.3.1 常压CVD A<YsfDa_d 4.3.2 低压CVD ep(g`e 4.3.3 超高真空CVD 8n4V
cu 4.4 能量增强CVD技术 #G3N(wV3 4.4.1 等离子增强CVD }g f}eH 4.4.2 光增强CVD A[UP"P~u/ 4.5 卤素输运法 =FW5Tkw0 4.5.1 氯化物法 h7qBp300 4.5.2 氢化物法 |s gXh9%x< 4.6 MOCVD技术 \)m"3yY 4.6.1 MOCVD简介 ZI ?W5ISdg 4.6.2 MOCVD生长GaAs >{Rb 3Z] 4.6.3 MOCVD生长GaN h[XGC=% 4.6.4 MOCVD生长ZnO yZ}d+7T} 4.7 特色CVD技术 >Cd9fJ&0gP 4.7.1 选择外延CVD技术 nv5u%B^ 4.7.2 原子层外延 Qu{cB^Ga* 参考文献 Uedvc5><t N
b3$4(F 第5章 脉冲激光沉积 7y*ZXT]f 5.1 脉冲激光沉积概述 [~Hg}-c 5.2 PLD的基本原理 ;7G_f 5.2.1 激光与靶的相互作用 L*]E`Xxd9 5.2.2 烧蚀物的传输 s ?l%L! 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 qJ[@:&: 5.3 颗粒物的抑制 p {%t q$}. 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Ri?\m!o 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 1"K*._K 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 :X ., 参考文献 0kCQ0xB[a5 [^PCm Z6n 第6章 分子束外延 oJaAM|7uv 6.1 引言 p4/$EPt)lY 6.2 分子束外延的原理和特点 2DMrMmLI 6.3 外延生长设备 J l7z|Q S 6.4 分子束外延生长硅 & QZV q" 6.4.1 表面制备 fB#XhO 6.4.2 外延生长 ,9/5T: 2 6.4.3 掺杂 `"y{;PCt_ 6.4.4 外延膜的质量诊断 ?=|kC*$/G 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Ht=$] Px 6.5.1 MBE生长GaAs S6 }QFx 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs /! ^P)yU, 6.5.3 MBE生长GaN O<,r>b, 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ,# "(Z 6.6.1 HgCdTe材料 -2NwF4VL 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 LR$z0rDEM 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
EZ% .M*? 6.6.4 ZnSe、ZnTe Q(\ wx 6.6.5 ZnO薄膜 2Ug.:![ 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 StM/ 6.7.1 SiC:材料 B3L4F" 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 |6B6?' 6.7.3 生长有机半导体薄膜 %RFYm 参考文献 zv%J=N$G }V^e7d 第7章 液相外延 J@bW^>g*6u 7.1 液相外延生长的原理 ?6:cNdN 7.1.1 液相外延基本概况 +Hyk'=.W 7.1.2 硅液相外延生长的原理 FP;":i RL 7.2 液相外延生长方法和设备 |[w^eg 7.3 液相外延生长的特点 0^\/ERK 7.4 液相外延的应用实例 OJ[rj`wrW^ 7.4.1 硅材料 (
Yi=v'd 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 :` <psvd 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 FX 1C
e 7.4.4 SiC材料
<qn, 参考文献 Z t`j\^4n tP]q4i 第8章 湿化学制备方法 5^|"_Q#: 8.1 溶胶-凝胶技术 U?6yke !1-&Y'+ 第9章 半导体超晶格和量子阱 i^S2%qz 第10章 半导体器件制备技术 g5TkD~w" 参考文献 }vsO^4Sjc B "n`|;r5 市场价:¥36.00 &l!$Sw-u; 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) D{svR-~T
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