cyqdesign |
2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 @<]sW*s 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 O$QtZE61 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 }Ruj h4* 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 Rf *we+ 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 m80e^ [attachment=24333] ~JjL411pG 7!%/vO0m 市场价:¥36.00 RbPD3&. 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) <a9<rF =r
!cP2,l'f 32yGIRV 第1章 真空技术 ?y1']GAo 1.1 真空的基本概念 8<BYAHY^ 1.1.1 真空的定义 WZz8VF 1.1.2 真空度单位 ><<(6 1.1.3 真空区域划分 ,;3#}OGg 1.2 真空的获得 a?Q\nu1 1.3 真空度测量 { +d](+$ 1.3.1 热传导真空计 K%NNw7\A 1.3.2 热阴极电离真空计 Z>=IP-,> 1.3.3 冷阴极电离真空计 q-7C7q 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 w>-@h>Ln 参考文献 !,D7L6N "Zk# bQ2j 第2章 蒸发技术 pib i# 2.1 发展历史与简介 yV{&x 2.2 蒸发的种类 R _#x 2.2.1 电阻热蒸发 Be~__pd 2.2.2 电子束蒸发 jA<(#lm; 2.2.3 高频感应蒸发 kV>[$6 2.2.4 激光束蒸发 b&q!uFP 2.2.5 反应蒸发 'G] P09`*) 2.3 蒸发的应用实例 g]kM7,/M 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 w ;;yw3 2.3.2 ITO薄膜 *\#/4_yB} 参考文献 JONfNb+ .h({ P#QT 第3章 溅射技术 pe}mA}9U 3.1 溅射基本原理 w&c6iFMd0 3.2 溅射主要参数 zN3[W`q+m 3.2.1 溅射闽和溅射产额 }kJfTsFS 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 |3LD"!rEx 3.2.3 溅射速率和淀积速率 UCu0Xqf 3.3 溅射装置及工艺 ++9?LH4S4 3.3.1 阴极溅射 AN193o 3.3.2 三极溅射和四极溅射 %}.4c8 3.3.3 射频溅射 MP/@Mf\<E 3.3.4 磁控溅射 pm2-F] 3.3.5 反应溅射 ?L K
n 3.4 离子成膜技术 6XP>qI,AJ 3.4.1 离子镀成膜 }-Ds%L 3.4.2 离子束成膜 ^$FNu~|K 3.5 溅射技术的应用 /Pbytu);ds 3.5.1 溅射生长过程 + 6noQYe 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 @euH[< 参考文献 V /.Na(C~ _sp,,gz 第4章 化学气相沉积 LDDgg
u
4.1 概述 $Cgl$A 4.2 硅化学气相沉积 X| !VjUH 4.2.1 CVD反应类型 !+UU[uM 4.2.2 CVD热力学分析 D=+md 4.2.3 CVD动力学分析 }nEa9h 4.2.4 不同硅源的外延生长 ='W= 4.2.5 成核 hD>]\u 4.2.6 掺杂 fMpxe( 4.2.7 外延层质量 J#>)+ 4.2.8 生长工艺 <USK6!-G 4.3 CVD技术的种类 o*k.je1 4.3.1 常压CVD 1;*4yJ2 4.3.2 低压CVD -/V,<@@T 4.3.3 超高真空CVD F_U9;*f] 4.4 能量增强CVD技术 f: 9bq}vH 4.4.1 等离子增强CVD c;X%Ar 4.4.2 光增强CVD ]KQv]' 4.5 卤素输运法 cp:U@Nh( 4.5.1 氯化物法 G?M<B~} 4.5.2 氢化物法 ndmsXls 4.6 MOCVD技术 L[s`8u<_)z 4.6.1 MOCVD简介 !"g2F}n 4.6.2 MOCVD生长GaAs t !8(I R 4.6.3 MOCVD生长GaN vh$If0 4.6.4 MOCVD生长ZnO 0&~JC>S 4.7 特色CVD技术 <~ Dq8If 4.7.1 选择外延CVD技术 `<3%`4z/ 4.7.2 原子层外延 }WA= 参考文献 dEhFuNO<2 |C"zK 第5章 脉冲激光沉积 _v#Vf*# 5.1 脉冲激光沉积概述 b FMBIA| 5.2 PLD的基本原理 FUP0X2P 5.2.1 激光与靶的相互作用 Y|l&mK? 5.2.2 烧蚀物的传输 <.Dg3RH 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
7;I;(iY 5.3 颗粒物的抑制 "X(9.6$_ 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 O:]e4r,' 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 S`Xx('!/| 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 /;5/7Bvj 参考文献 */APe# &s(mbpV 第6章 分子束外延 Z,~PW#8<& 6.1 引言 `Hx JE"/ 6.2 分子束外延的原理和特点 8DuD1hZq 6.3 外延生长设备 XxY wBc'pc 6.4 分子束外延生长硅 zcy`8&{A<? 6.4.1 表面制备 J'E?Z0 6.4.2 外延生长 1)H;}%[ 6.4.3 掺杂 ri2`M\;gt 6.4.4 外延膜的质量诊断 tZ.hSDH 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 czLY+I;V3 6.5.1 MBE生长GaAs ~c=F$M^"c 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs NI:3hfs 6.5.3 MBE生长GaN JA$RY 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 qoP/`Y6 6.6.1 HgCdTe材料 gF2,Jm@"6 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 w.(?O; 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 ":_~(?1+ 6.6.4 ZnSe、ZnTe l`Ae&nc6 6.6.5 ZnO薄膜 =3Ohy,5L 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Fr_6pEH]} 6.7.1 SiC:材料 =`k',V_ 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 O'{g{ 6.7.3 生长有机半导体薄膜 (@Kc(>(: Y 参考文献 :CsrcT= Eq=j+ch7 第7章 液相外延 FOAXm4" 7.1 液相外延生长的原理 zGwM# - 7.1.1 液相外延基本概况 xC9?Wt' 7.1.2 硅液相外延生长的原理 Yw6uh4 7.2 液相外延生长方法和设备 6@x^,SA 7.3 液相外延生长的特点 $T6+6<
7.4 液相外延的应用实例 HF<h-gX 7.4.1 硅材料 e0M'\'J 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 B"rO 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 Ki>XLX,er= 7.4.4 SiC材料 (sSGJS'X 参考文献 K8W99:v s~m]>^?8MR 第8章 湿化学制备方法 RBLOc$2 8.1 溶胶-凝胶技术 TSH'OW !b Dqc2;> 第9章 半导体超晶格和量子阱 9/=+2SZ 第10章 半导体器件制备技术 T0@$6&b%\z 参考文献 YH&q5W,KX 4>Y*owa4 市场价:¥36.00 92ngSaNC 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) oS~;>]W
|
|