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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ?HBc7$nW 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 (yZ^Y'0 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 N8!B2uPQ 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 Lu<'A4Q1 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 #q=?Zu^Da [attachment=24333] &-&6ARb7o /
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XCk \#(VSE uEk$Y=p7! 第1章 真空技术 u'iOa
1.1 真空的基本概念 le1'r>E$ 1.1.1 真空的定义 _E?(cWC 1.1.2 真空度单位 |D<~a(0 1.1.3 真空区域划分 JNsK 1.2 真空的获得 _El=M0 1.3 真空度测量 ty"k 1.3.1 热传导真空计 {Ynr(J. 1.3.2 热阴极电离真空计 z43 H] 1.3.3 冷阴极电离真空计 pfZxG.l 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 3s$m0 参考文献 ~s
!+9\Fi 7?F0~[eGG 第2章 蒸发技术 >
^D10Nf* 2.1 发展历史与简介 l3.HL> o 2.2 蒸发的种类 \.}* s]6 2.2.1 电阻热蒸发 B`
n!IgF8 2.2.2 电子束蒸发 (h2bxfV~+ 2.2.3 高频感应蒸发 rH & ^SNc 2.2.4 激光束蒸发 p>!`JU`{? 2.2.5 反应蒸发 6Si z9 2.3 蒸发的应用实例 ]ul]L
R%. 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 Pxl7zz&pl= 2.3.2 ITO薄膜 !K3
#4 参考文献 QQ pe.oF 8Kv=Zp,?` 第3章 溅射技术 O.!|;)HQ 3.1 溅射基本原理 )=2iGEVW 3.2 溅射主要参数 I>fEwMk~ 3.2.1 溅射闽和溅射产额 /}(w{6C 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 F2lTDuk>C 3.2.3 溅射速率和淀积速率 R5|c4v{B 3.3 溅射装置及工艺 pO x0f;'G+ 3.3.1 阴极溅射 )6HcPso6 3.3.2 三极溅射和四极溅射 E{1O<qO< | |