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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 \}%_FnP0ZU 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 /reGT!u 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 4F6I7lu 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 dcTZL$ 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 LN5BU,4= [attachment=24333] Ut C<TBr TaaCl#g$? 市场价:¥36.00 f="Zpl W 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) Nq^o8q_
|'u BkL0q @P>>:002/ 第1章 真空技术 C3N1t 1.1 真空的基本概念 m:Rm(ga9 1.1.1 真空的定义 8zcSh/ 1.1.2 真空度单位 Wb#<ctM> 1.1.3 真空区域划分 R4'>5.M 1.2 真空的获得 O2yD{i#l*# 1.3 真空度测量 XiV
K4sD8 1.3.1 热传导真空计 :7X{s4AU6 1.3.2 热阴极电离真空计 LOu9 #w" 1.3.3 冷阴极电离真空计 )~S`[jV5 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 osmCwM4O 参考文献 #;lEx'lKN n5efHJU 第2章 蒸发技术 S6C DK: 2.1 发展历史与简介 k]P'D
. 2.2 蒸发的种类 44t;#6p@%> 2.2.1 电阻热蒸发 ke KsLrd 2.2.2 电子束蒸发 *a0#PfS[ 2.2.3 高频感应蒸发 O'xp" e, 2.2.4 激光束蒸发 "vkM*HP 2.2.5 反应蒸发 I2NMn5> 2.3 蒸发的应用实例 Xr4k]'Mg 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 ??|,wIRz 2.3.2 ITO薄膜 ?5;wPDsK 参考文献 QNv5CQ& Im};wJ& 第3章 溅射技术 G(o6/ 3.1 溅射基本原理 0r[a$p>` 3.2 溅射主要参数 n=0^8QQ
3.2.1 溅射闽和溅射产额 cG 3tn&AXi 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 h/y0Q~|/d 3.2.3 溅射速率和淀积速率 {j<?+o5A 3.3 溅射装置及工艺 YACx9K H 3.3.1 阴极溅射 FPZ@6 3.3.2 三极溅射和四极溅射 xF YHv@g 3.3.3 射频溅射 q$s)(D 3.3.4 磁控溅射 m]'+Eye ]r 3.3.5 反应溅射 KG96;l@'( 3.4 离子成膜技术 M?<iQxtyb} 3.4.1 离子镀成膜 mq(K_ 3.4.2 离子束成膜 ZEpu5` 3.5 溅射技术的应用 cg_tJ^vrY 3.5.1 溅射生长过程 v}z^M_eFm 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ;<6S\ 参考文献 aW;)-0+ 9KT85t1# 第4章 化学气相沉积 Y(ClG*6 ++ 4.1 概述 ^)$T` 4.2 硅化学气相沉积 R!\._m?\h 4.2.1 CVD反应类型 W'E3_dj+ 4.2.2 CVD热力学分析 (Hmh b}H 4.2.3 CVD动力学分析 vDR>
Q&/K 4.2.4 不同硅源的外延生长 !:uh? RW 4.2.5 成核 naeppBo 4.2.6 掺杂 +(w9! 5?F 4.2.7 外延层质量 f{\[+> 4.2.8 生长工艺 C nD3%% 4.3 CVD技术的种类 >m=XqtP 4.3.1 常压CVD .%\||1F< 4.3.2 低压CVD N[DKA1Ei 4.3.3 超高真空CVD ymR AQVv 4.4 能量增强CVD技术 _0\wyjjU 4.4.1 等离子增强CVD 46|LIc
} 4.4.2 光增强CVD X*bOE} 4.5 卤素输运法 $%ztP
Ta 4.5.1 氯化物法 !HW?/-\,O 4.5.2 氢化物法 e;"%h%' 4.6 MOCVD技术 \9sJ`,T? 4.6.1 MOCVD简介 62[_u]<Yub 4.6.2 MOCVD生长GaAs EU Oa8Z 4.6.3 MOCVD生长GaN A9Pq}3U 4.6.4 MOCVD生长ZnO wLg@BSC. 4.7 特色CVD技术 Np.<&`p! 4.7.1 选择外延CVD技术 Z%SDN"+'g 4.7.2 原子层外延 Cs,t:ajP 参考文献 Q%V530
P; C
[8='i26 第5章 脉冲激光沉积 /de~+I5AB~ 5.1 脉冲激光沉积概述 "Gq%^^* 5.2 PLD的基本原理 / >7G 5.2.1 激光与靶的相互作用 =#%Vs>G 5.2.2 烧蚀物的传输 <c
[X^8 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 0Yr-Q;O<f 5.3 颗粒物的抑制 )G#O# Yy 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Q[aBxy
( 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 G?:5L0g 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 lXnv(3j3*s 参考文献 _w%{yF6 ,twm)%caU 第6章 分子束外延 Z22#lF\ N 6.1 引言 _M- PF$ 6.2 分子束外延的原理和特点 o'YK\L!p 6.3 外延生长设备 >[P`$XkXd4 6.4 分子束外延生长硅 DM(c :+K- 6.4.1 表面制备 r#6djs1 6.4.2 外延生长 U/\LOIs 6.4.3 掺杂 N_VWA.JHt 6.4.4 外延膜的质量诊断 KM-7w66V 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 zogl2e+ 6.5.1 MBE生长GaAs )hfI,9I~ 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs sz4;hSTy 6.5.3 MBE生长GaN O[9A} g2~ 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 A_5M\iN\ 6.6.1 HgCdTe材料 ~eekv5 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
.V l 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 TM,Fab & 6.6.4 ZnSe、ZnTe &^B;1ZMHD 6.6.5 ZnO薄膜 QY1|:( 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ^4a|gc 6.7.1 SiC:材料 1?".R]<{2T 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 uCf _O~ 6.7.3 生长有机半导体薄膜 oUN;u*
参考文献 7x(z Tpp?(lT7r 第7章 液相外延 WiF6*]oI 7.1 液相外延生长的原理 mGc i>)2
7.1.1 液相外延基本概况 {6;S= 9E\ 7.1.2 硅液相外延生长的原理 7qhX`$ 7.2 液相外延生长方法和设备 @t3I}mc 7.3 液相外延生长的特点 ?T8^tGD[ 7.4 液相外延的应用实例 2P?|'U 7.4.1 硅材料 ()(/9t 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 VP"C|j^I 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 S&Sa~Oq<o 7.4.4 SiC材料 EN@<z; 参考文献 j\uPOn8k 2zbV9Bhq 第8章 湿化学制备方法 `4t*H>:y 8.1 溶胶-凝胶技术 OUtMel_ RjGJfN{ 第9章 半导体超晶格和量子阱 tS3{y*yi 第10章 半导体器件制备技术 <io;d$=} 参考文献 MtBoX*" %j;mDR95 市场价:¥36.00 ko`KAU<T_ 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) zd{\XW
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