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cyqdesign 2010-01-31 22:03

半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 '.=Z2O3p  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 iB?@(10}ES  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 0pR04"`;  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 7v-C-u[E`  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 k2=uP8  
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第1章 真空技术 3EyN"Lvp{o  
1.1 真空的基本概念 @:[/uqL  
1.1.1 真空的定义 0XYxMN)  
1.1.2 真空度单位 DbcKKgPn(9  
1.1.3 真空区域划分 +|.#<]GA  
1.2 真空的获得 `drvu?F  
1.3 真空度测量 x!< C0N>?z  
1.3.1 热传导真空计 "K8qmggTq  
1.3.2 热阴极电离真空计 z+ 4R[+[  
1.3.3 冷阴极电离真空计 b &JPLUr  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 _ehU:3L`s  
参考文献 NlKnMgt~  
TC2aD&cw{  
第2章 蒸发技术 5 `+*({  
2.1 发展历史与简介 Kz%wMyZ:g  
2.2 蒸发的种类 u&qdrKx  
2.2.1 电阻热蒸发 +q4T];<  
2.2.2 电子束蒸发 K|B1jdzL  
2.2.3 高频感应蒸发 WMg#pLc#  
2.2.4 激光束蒸发 ?832#a?FZ;  
2.2.5 反应蒸发 VHJr+BQ1K/  
2.3 蒸发的应用实例 b#P8Je`;9  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 hE=cgO`QU  
2.3.2 ITO薄膜 j'7FTVmJ  
参考文献 y|@^0]}%<  
TqlUe@E  
第3章 溅射技术 K9*K4'#R  
3.1 溅射基本原理 UpgOU.  
3.2 溅射主要参数 :g,rl\S7  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 \F> *d!^C  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 q)P<lKi  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 %PG0PH4?  
3.3 溅射装置及工艺 sST6_b  
3.3.1 阴极溅射 x[vX|oE!A  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 I*#~@:4*  
3.3.3 射频溅射 04( h!@!g:  
3.3.4 磁控溅射 rGN-jb)T+  
3.3.5 反应溅射 vOqYt42  
3.4 离子成膜技术 p* ^O 8o  
3.4.1 离子镀成膜 @<};Bo'  
3.4.2 离子束成膜 ULoTPx@N  
3.5 溅射技术的应用 2/;KZ+U&  
3.5.1 溅射生长过程 D`LwW` 9  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 v!x=fjr<  
参考文献 vv3dr_l:  
rf9RG!  
第4章 化学气相沉积 >LW9$[H  
4.1 概述 akNJL\b  
4.2 硅化学气相沉积 d>(dSKx  
4.2.1 CVD反应类型 XL +kEZ|3  
4.2.2 CVD热力学分析 E&97;VH  
4.2.3 CVD动力学分析 0^.q5#A2  
4.2.4 不同硅源的外延生长 *fjarZu  
4.2.5 成核 bT8BJY%+  
4.2.6 掺杂 &Zf@vD  
4.2.7 外延层质量 AD8~  
4.2.8 生长工艺 wi9fYfuv3R  
4.3 CVD技术的种类 k_!z=6?[:  
4.3.1 常压CVD ftK.jj1:  
4.3.2 低压CVD mX<D]Z< k  
4.3.3 超高真空CVD :?60pu=  
4.4 能量增强CVD技术 i4->XvC  
4.4.1 等离子增强CVD V-jo2+Y5=  
4.4.2 光增强CVD w("jyvV[C  
4.5 卤素输运法 -8EdTc@  
4.5.1 氯化物法 %``FIv15w  
4.5.2 氢化物法 C~l5D4D#  
4.6 MOCVD技术 1pc|]9B  
4.6.1 MOCVD简介 jL 2f74?1  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 7}nOF{RH]  
4.6.3 MOCVD生长GaN ntjUnd&v\  
4.6.4 MOCVD生长ZnO yqoi2J:  
4.7 特色CVD技术 {B[i|(xQx  
4.7.1 选择外延CVD技术 /R^!~J50  
4.7.2 原子层外延  s cn!,  
参考文献 P{);$e+b~  
n:7=z0 s  
第5章 脉冲激光沉积 Ue8_Q8q5  
5.1 脉冲激光沉积概述 wl! 'Bck=  
5.2 PLD的基本原理 }3+q}_3  
5.2.1 激光与靶的相互作用 !FO92 P16  
5.2.2 烧蚀物的传输 ,PY<AI^59  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 Y\j &84  
5.3 颗粒物的抑制 A]R"C:o  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 PY`V]|J  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 &qo'ge8p  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 (s}9N   
参考文献 *gBaF/C  
:pNZQX  
第6章 分子束外延 ~r!jVK>^  
6.1 引言 qT}&XK`Q^  
6.2 分子束外延的原理和特点 a8dR.  
6.3 外延生长设备 :CH'Bt4<  
6.4 分子束外延生长硅 S:DB%V3  
6.4.1 表面制备 Wqy8ZgSC  
6.4.2 外延生长 N["(ZSS   
6.4.3 掺杂 =lVfrna  
6.4.4 外延膜的质量诊断 h7o{l7`)  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 lMP|$C  
6.5.1 MBE生长GaAs + J_W}G  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs CMTy(Z8_)  
6.5.3 MBE生长GaN J@1(2%)|Z  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 TzPVO>s  
6.6.1 HgCdTe材料 sX@e1*YE_  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 gzw[^d  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 % 3FI>\3  
6.6.4 ZnSe、ZnTe B[y1RI|9  
6.6.5 ZnO薄膜 ,ll!19y  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ZW,PZ<  
6.7.1 SiC:材料 &M<431y  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 5nEvnnx0  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 x!G\-2#  
参考文献 uE/qraA  
m.lNKIknQ  
第7章 液相外延 Xf#uK\f  
7.1 液相外延生长的原理 .%D] z{''  
7.1.1 液相外延基本概况 `M\L 6o  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 qo'pU/@  
7.2 液相外延生长方法和设备 u,&Z5S  
7.3 液相外延生长的特点 64zO%F*  
7.4 液相外延的应用实例 aIkxN&  
7.4.1 硅材料 # VR}6Jv  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 O:D`6U+0  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 bZa?h.IF  
7.4.4 SiC材料 CuDU~)`  
参考文献 q!Nwf XJM  
'd/A+W  
第8章 湿化学制备方法 ab 2 V.S  
8.1 溶胶-凝胶技术 F[~qgS*;  
}<S|_F  
第9章 半导体超晶格和量子阱 s;$ eq);  
第10章 半导体器件制备技术 mz/KGZ5t  
参考文献 R[o KhU  
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gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 D|UDLaz~  
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