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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 G"A#Q" 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 nU7[c| = 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 6Z"X}L,* 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ,z=LY5_z) 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 VI*$em O0 [attachment=24333] m)v&v6 7@W>E;go 市场价:¥36.00 ;aVZ"~a+\ 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) l.M0`Cn-%
4o5t#qP5$S CU!Dhm/U 第1章 真空技术 }Zp,+U*" 1.1 真空的基本概念 ^U/O!GK 1.1.1 真空的定义 pMM8-R'W- 1.1.2 真空度单位 'LDQgC*% 1.1.3 真空区域划分 _|`S3}q|d 1.2 真空的获得 G' 1'/ 1.3 真空度测量 a d\ot#V 1.3.1 热传导真空计 cFX p 1.3.2 热阴极电离真空计 4^<?Wq~ 1.3.3 冷阴极电离真空计 MF'JeM;H 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ftSW
(og 参考文献 #GFr`o0$^ iWR)ke 第2章 蒸发技术 #KvlYZ+1 2.1 发展历史与简介 r<$y=B 2.2 蒸发的种类 gjlx~.0d 2.2.1 电阻热蒸发 CTmT@A{ 2.2.2 电子束蒸发 1|:KQl2q 2.2.3 高频感应蒸发 %(Icz? 2.2.4 激光束蒸发 |DwZ{(R"W 2.2.5 反应蒸发 +b6v!7_ 2.3 蒸发的应用实例 Q,Eo mt 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 Pg{J{gn 2.3.2 ITO薄膜 `WS&rmq&' 参考文献 E{vbO/|kf K(|}dl: 第3章 溅射技术 ;kKyksxlD 3.1 溅射基本原理 %a7$QF] 3.2 溅射主要参数 +ZX{>:vo 3.2.1 溅射闽和溅射产额 F"mmLao 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 EdX$(scu~B 3.2.3 溅射速率和淀积速率 7xR\kL., 3.3 溅射装置及工艺 5mR 1@ 3.3.1 阴极溅射 o+VQ\1as?( 3.3.2 三极溅射和四极溅射 2fS:-
8N 3.3.3 射频溅射 Iu6
3.3.4 磁控溅射 fN2lLn9/u 3.3.5 反应溅射 5:?!=<= 3.4 离子成膜技术 $:^td/p J 3.4.1 离子镀成膜 T
u'{&
3.4.2 离子束成膜 ),!qTjD 3.5 溅射技术的应用 W@esITr 3.5.1 溅射生长过程 xyxy`qR A 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 n&!-9:0 参考文献 G+m }MOQP7 Pzem{y7Ir 第4章 化学气相沉积 nr3==21Om4 4.1 概述 ~>XxGjxe 4.2 硅化学气相沉积 [N'h%1]\ 4.2.1 CVD反应类型 lLIAw$ 4.2.2 CVD热力学分析 C_Wc5{ 4.2.3 CVD动力学分析 uw8f ~:LT 4.2.4 不同硅源的外延生长 cH)";]k*- 4.2.5 成核 e}W)LPR! 4.2.6 掺杂 5IG-~jzCLb 4.2.7 外延层质量 5-A\9UC*@ 4.2.8 生长工艺 'hf8ZEW9' 4.3 CVD技术的种类 "wc<B4" 4.3.1 常压CVD -n;}n:wL 4.3.2 低压CVD 4Po_-4 4.3.3 超高真空CVD }K9H^H@r! 4.4 能量增强CVD技术 t`QENXA} 4.4.1 等离子增强CVD *z2s$EZ 4.4.2 光增强CVD K<J9~ 4.5 卤素输运法 P93@;{c( 4.5.1 氯化物法 @o.I ;}*N 4.5.2 氢化物法 L:x-%m%w 4.6 MOCVD技术 3gf1ownC 4.6.1 MOCVD简介 Qwc"[N4H 4.6.2 MOCVD生长GaAs fc@A0Hf 4.6.3 MOCVD生长GaN paMa+jhQQ 4.6.4 MOCVD生长ZnO ,z?':TZ 4.7 特色CVD技术 ch]29 4.7.1 选择外延CVD技术 PI<vxjOK` 4.7.2 原子层外延 I}Q2Vu< 参考文献 .wr>]yN rM"l@3hP 第5章 脉冲激光沉积 }~q5w{_n 5.1 脉冲激光沉积概述 -{A<.a3P}= 5.2 PLD的基本原理 -$@h1Y 5.2.1 激光与靶的相互作用 L0]_X#s># 5.2.2 烧蚀物的传输 L%5%T;0'~ 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 et+0FF
, 5.3 颗粒物的抑制 WPDyu.QD 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ?%kV?eu' 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 ctV,Q3'Z 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 y> (w\K9W 参考文献 J8~haim 'f|o{ 第6章 分子束外延 q'11^V!0 6.1 引言 .sA.C]f 6.2 分子束外延的原理和特点 *|l/6!WM 6.3 外延生长设备 |&jXp%4T 6.4 分子束外延生长硅 {: W$LWET 6.4.1 表面制备 SY8C4vb'h 6.4.2 外延生长 'm9` 12H 6.4.3 掺杂 L8n|m!MOD 6.4.4 外延膜的质量诊断 "h ^Z 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 k_R"CKd 6.5.1 MBE生长GaAs ze;KhUPRm 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs RT5T1K08I 6.5.3 MBE生长GaN 1nOCQ\$l 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 y3ikWnx 6.6.1 HgCdTe材料 Np)lIGE 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 ]{L jRSV 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 &~w}_Fjk 6.6.4 ZnSe、ZnTe Q7A MRrN 6.6.5 ZnO薄膜 yppo6HGD 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 c:g'.'/* 6.7.1 SiC:材料 {_dvx*M 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 ,Lt[\_ 6.7.3 生长有机半导体薄膜 [8*)8jP3 参考文献 %%wNZ{ 2px|_)i 第7章 液相外延 PxE3K-S)G 7.1 液相外延生长的原理 ]9,;K;1< 7.1.1 液相外延基本概况 8.~kK<)! 7.1.2 硅液相外延生长的原理 PYzvCf`? 7.2 液相外延生长方法和设备 ~v"L!=~G;a 7.3 液相外延生长的特点 Q3SS/eNP 7.4 液相外延的应用实例 bJ;'`sw1 7.4.1 硅材料 sNwI0o 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 bYPK h 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 yiI1x*^ 7.4.4 SiC材料 ,v&(Y Od 参考文献 sT' 5%4 RX5dO% 第8章 湿化学制备方法 x3krbUlx 8.1 溶胶-凝胶技术 A +)`ZTuO YgoBHE0# 第9章 半导体超晶格和量子阱 rXU\ 第10章 半导体器件制备技术 T,tdL
N- 参考文献 k;L6R!V C'X!\}f.b/ 市场价:¥36.00 BF <ikilR 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) tRfo$4#NY
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