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cyqdesign 2010-01-31 22:03

半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 o+{7"Na8[  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Za?BpV~  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ]N\D^`iQ  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ' Hj([N  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 -1hCi !  
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第1章 真空技术 mQt0?c _  
1.1 真空的基本概念 2zbn8tO  
1.1.1 真空的定义 K[?@nl?,z  
1.1.2 真空度单位 v.sjWF  
1.1.3 真空区域划分 h'GOO(  
1.2 真空的获得  6shN%  
1.3 真空度测量 ?Vh#Gr  
1.3.1 热传导真空计 ,*9gy$  
1.3.2 热阴极电离真空计 E:B<_  
1.3.3 冷阴极电离真空计 }4piZ ch  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 BbCW3!(  
参考文献 N_FjEZpX  
9:3`LY3wW  
第2章 蒸发技术 (]?M=?0\  
2.1 发展历史与简介 JbitRV@a  
2.2 蒸发的种类  `2\:b^h  
2.2.1 电阻热蒸发 6~>h;wC  
2.2.2 电子束蒸发 hW~UJ/$  
2.2.3 高频感应蒸发 4\ElMb[]  
2.2.4 激光束蒸发 A|4 3W =  
2.2.5 反应蒸发 (["V( $  
2.3 蒸发的应用实例 )Pc>+} D  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 *2.h*y'u  
2.3.2 ITO薄膜 YUTh*`1k<  
参考文献 WAtv4  
r? }|W2^%  
第3章 溅射技术 '~7zeZ'  
3.1 溅射基本原理 lqO>Q1_{K  
3.2 溅射主要参数 * RX^ z6  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 $Fi1Bv)  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 (7&b)"y  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 6#qt%t%?D  
3.3 溅射装置及工艺 Hj`\Fm*A  
3.3.1 阴极溅射 7 _"G@h  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 GJU9[  
3.3.3 射频溅射 I\M }Dxpp  
3.3.4 磁控溅射 De{ZQg)  
3.3.5 反应溅射 X f;R'a,$  
3.4 离子成膜技术 0DnOO0Nc  
3.4.1 离子镀成膜 zN)).a  
3.4.2 离子束成膜 PRB lf  
3.5 溅射技术的应用 P0sAq7"  
3.5.1 溅射生长过程 UUvCi+W  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 O:~J_Wwl!  
参考文献 @w(|d<5l:L  
|TQ4:P1T  
第4章 化学气相沉积 %<p/s;eu  
4.1 概述 k=d0%} `M(  
4.2 硅化学气相沉积 $Xu/P5  
4.2.1 CVD反应类型 z yp3 +|  
4.2.2 CVD热力学分析 K3WaBcm  
4.2.3 CVD动力学分析 Ejf5M\o  
4.2.4 不同硅源的外延生长 QctzIC#;k  
4.2.5 成核 #, 1)@[  
4.2.6 掺杂 yc`3)  
4.2.7 外延层质量 @,2,(=l*C  
4.2.8 生长工艺 VfDa>zV3  
4.3 CVD技术的种类 \L}7.fkb8  
4.3.1 常压CVD ;n|%W,b-  
4.3.2 低压CVD w8:  
4.3.3 超高真空CVD xpu 2RE  
4.4 能量增强CVD技术 4pelIoj  
4.4.1 等离子增强CVD <9:~u]ixt  
4.4.2 光增强CVD 5')]Y1J  
4.5 卤素输运法 1;B&R89}  
4.5.1 氯化物法 @o#Yq n3Y  
4.5.2 氢化物法 .wlKl[lE2  
4.6 MOCVD技术 8A::q;  
4.6.1 MOCVD简介 Lp4F1H2t-  
4.6.2 MOCVD生长GaAs q"S,<I<f  
4.6.3 MOCVD生长GaN qzO5p=}  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Y" rODk1  
4.7 特色CVD技术 5DkEJk7a  
4.7.1 选择外延CVD技术 0jPUDkH*  
4.7.2 原子层外延 6V@_?a-K  
参考文献 *DZ7,$LQ~D  
hd(TKFL^y  
第5章 脉冲激光沉积 a<E9@  
5.1 脉冲激光沉积概述 tTub W=H  
5.2 PLD的基本原理 OQKc_z'"  
5.2.1 激光与靶的相互作用 \I<R.4 9oW  
5.2.2 烧蚀物的传输 6R$Yh0%  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 28c6~*Te #  
5.3 颗粒物的抑制 rO{?.#~  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 $"MVr5q6  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 s aHY9{)  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 7xux%:BN  
参考文献 T{-gbo`Yji  
.=d40m  
第6章 分子束外延 )~ &gBX  
6.1 引言 @de0)AJG6  
6.2 分子束外延的原理和特点 fBz|-I:k +  
6.3 外延生长设备 :qj;f];|  
6.4 分子束外延生长硅 ?_p!teb  
6.4.1 表面制备 H5 :,hrZY  
6.4.2 外延生长 pjoyMHWK  
6.4.3 掺杂 4PkKL/E  
6.4.4 外延膜的质量诊断 \i}-Y[Dg  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 D@ !r?E`  
6.5.1 MBE生长GaAs 0M&~;`W}  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs `R7dn/  
6.5.3 MBE生长GaN )54a' Hp  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 =K|#5p`  
6.6.1 HgCdTe材料 > LN*3&W  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 0S'@(p[A  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 s16, *;Z  
6.6.4 ZnSe、ZnTe #Q-#7|0&  
6.6.5 ZnO薄膜 2Qh)/=8lM  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 _iEnS4$A8  
6.7.1 SiC:材料 yJ ljCu)f  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 lFSvHs5  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 kt\,$.v8  
参考文献 ~Lg ;7i1L  
q4G$I?4  
第7章 液相外延 ^e ;9_(  
7.1 液相外延生长的原理 W\5 -Yg(@  
7.1.1 液相外延基本概况 _Ex<VF u  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 . &`YlK  
7.2 液相外延生长方法和设备 7zA+UWr  
7.3 液相外延生长的特点 \&ZEIAe  
7.4 液相外延的应用实例 l?V#;  
7.4.1 硅材料 ^;9l3P{  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 bAN>\zG+  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 }aI>dHL  
7.4.4 SiC材料 YktZXc?iI<  
参考文献 j72mm!  
W=LJhCpRHj  
第8章 湿化学制备方法 Z#(Y%6[u  
8.1 溶胶-凝胶技术 7 b(  
`L[q`r7  
第9章 半导体超晶格和量子阱 fkImX:|q  
第10章 半导体器件制备技术 3/uvw>$  
参考文献 i_*.  
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gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 WS(m#WFQr  
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