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cyqdesign 2010-01-31 22:03

半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 &Kc'g H  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 fIg~[VN"  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 WCZeY?_^c  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 LDv>hzo  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 a$P$Ngi?S  
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第1章 真空技术 l>:\% ol  
1.1 真空的基本概念 B< BS>(Nr>  
1.1.1 真空的定义 rpO>l  
1.1.2 真空度单位 E'4 dI:  
1.1.3 真空区域划分 9\D0mjn=l  
1.2 真空的获得 {oc7Chv=/H  
1.3 真空度测量 2w? 5vSv  
1.3.1 热传导真空计 LS4|$X4H`!  
1.3.2 热阴极电离真空计 b!xm=U  
1.3.3 冷阴极电离真空计 :*{\oqFn~$  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 u9R:2ah&K  
参考文献 b9@VD)J0E  
GLIP;)h1  
第2章 蒸发技术 G@;I^_gN  
2.1 发展历史与简介 -$m?ShDd  
2.2 蒸发的种类 nH^RQ'19  
2.2.1 电阻热蒸发 gR:21*&cz  
2.2.2 电子束蒸发 b5Pakz=jNM  
2.2.3 高频感应蒸发 z ''-AH,  
2.2.4 激光束蒸发 0al8%z9e@  
2.2.5 反应蒸发 jIs2R3B  
2.3 蒸发的应用实例 IB+)2`  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 M,b^W:('4  
2.3.2 ITO薄膜 l]o)KM<  
参考文献 'U'#_mYG  
'}q1 F<&  
第3章 溅射技术 nmrYBw>  
3.1 溅射基本原理 ,dIo\Lm  
3.2 溅射主要参数 CD+2 w cy  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 4C{3>BE  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ^9C9[$Q  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ~NtAr1  
3.3 溅射装置及工艺 *PVv=SU  
3.3.1 阴极溅射 vz_ZXy9Z  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 |r=.}9 -  
3.3.3 射频溅射 U\Hd?&`9gz  
3.3.4 磁控溅射 xz$S5tgDQK  
3.3.5 反应溅射 p-t*?p C  
3.4 离子成膜技术 z.7'yJIP#  
3.4.1 离子镀成膜 `i)&nW)R  
3.4.2 离子束成膜 .5~W3v <  
3.5 溅射技术的应用 JrdH6Zg  
3.5.1 溅射生长过程 ?~5J!|r#  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 YQ+Kl[ec  
参考文献 SLze) ?.  
:>t? ^r(  
第4章 化学气相沉积 }@V ,v[&e  
4.1 概述 D< 4!7*9%  
4.2 硅化学气相沉积 H}$hk  
4.2.1 CVD反应类型 /:}z*a  
4.2.2 CVD热力学分析 FiQx5}MMhu  
4.2.3 CVD动力学分析 mxRe2<W  
4.2.4 不同硅源的外延生长 -^JGa{9*  
4.2.5 成核 : a4FO  
4.2.6 掺杂 6/#5TdJA  
4.2.7 外延层质量 (Q$]X5L  
4.2.8 生长工艺 [,|Z<  
4.3 CVD技术的种类 92k}ON  
4.3.1 常压CVD E+&]96*Lby  
4.3.2 低压CVD =/Dp*  
4.3.3 超高真空CVD `f2m5qTP%  
4.4 能量增强CVD技术 {mp;^/O`er  
4.4.1 等离子增强CVD fV;&)7d&  
4.4.2 光增强CVD X&<#3n  
4.5 卤素输运法 afZPju"-  
4.5.1 氯化物法 p ?HODwZ  
4.5.2 氢化物法 N -]m <z>  
4.6 MOCVD技术 Wsr #YNhx|  
4.6.1 MOCVD简介 6L6Lk  
4.6.2 MOCVD生长GaAs )pVxp]EI  
4.6.3 MOCVD生长GaN CDcs~PR@B  
4.6.4 MOCVD生长ZnO o^Y'e+T"  
4.7 特色CVD技术 mP)<;gm,  
4.7.1 选择外延CVD技术 i#jCf3%+ h  
4.7.2 原子层外延 (!';  
参考文献 b* 6c.  
Lh &L5p7  
第5章 脉冲激光沉积 "gCSbMq(Vq  
5.1 脉冲激光沉积概述 Ej1 [ry  
5.2 PLD的基本原理 ubhem(p#  
5.2.1 激光与靶的相互作用 s 8``U~D   
5.2.2 烧蚀物的传输 na FZ<'t>&  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 jkNZv. )p  
5.3 颗粒物的抑制 0nAeeVz|  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 tS2lex%  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 gzDb~UEoF  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 nm'm*sU\  
参考文献 >?e*;f$VdJ  
y|KDh'Y  
第6章 分子束外延 f|VP_o<  
6.1 引言 "0L@cOyG  
6.2 分子束外延的原理和特点 $^7 &bQ  
6.3 外延生长设备 ,XP9NHE  
6.4 分子束外延生长硅 N13 <!QQ  
6.4.1 表面制备 gr=ke #   
6.4.2 外延生长 g{$&j*Q9  
6.4.3 掺杂 W,agP G\+  
6.4.4 外延膜的质量诊断 U(./LrM05  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 raJyo>xXb5  
6.5.1 MBE生长GaAs @V:b Co  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs xs &vgel>  
6.5.3 MBE生长GaN d(a6vEL4  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 <R{\pz2w  
6.6.1 HgCdTe材料 Mdwh-Cis/  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 z|P& 8#txM  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 0l_-   
6.6.4 ZnSe、ZnTe *pasI.2s#  
6.6.5 ZnO薄膜 6!Isz1.re  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 EoY#D'[  
6.7.1 SiC:材料 T  |j^  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 "Ln\ZYB]  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 3!$rp- !<)  
参考文献 <1jiU%!w  
9J]LV'f7  
第7章 液相外延 h}`<pq  
7.1 液相外延生长的原理 gieX`}  
7.1.1 液相外延基本概况 {{DW P-v4  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 hcaH   
7.2 液相外延生长方法和设备 98O z  
7.3 液相外延生长的特点 jA]xpf6}  
7.4 液相外延的应用实例 4t8 Hy  
7.4.1 硅材料 L7xTAFe  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 3]VTQl{P  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 &FanD   
7.4.4 SiC材料 rz.`$b  
参考文献 )O&$-4gL'  
aVtwpkgZ  
第8章 湿化学制备方法 fg1 zT~  
8.1 溶胶-凝胶技术 [w4z)!  
i'EXylb  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ss2:8up 99  
第10章 半导体器件制备技术 er<~dqZ}]  
参考文献 be@MQ}6>  
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gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 ~>EVI=?  
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