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2010-01-31 22:03 |
半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌
《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 o+{7"Na8[ 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Za?BpV~ 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ]N\D^`iQ 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 'Hj([N 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 -1hCi! [attachment=24333] S.>fB7'(?= E|oOd<z 市场价:¥36.00 %jx<<hW 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) Ik,N/[
C \5yo $mf O:% 第1章 真空技术 mQt0?c _ 1.1 真空的基本概念 2zbn8tO 1.1.1 真空的定义 K[?@nl?,z 1.1.2 真空度单位 v.sjWF 1.1.3 真空区域划分 h'GOO( 1.2 真空的获得 6shN% 1.3 真空度测量 ?Vh#Gr 1.3.1 热传导真空计 ,*9gy$ 1.3.2 热阴极电离真空计 E:B<_ 1.3.3 冷阴极电离真空计 }4piZ
ch 1.4 真空度对薄膜工艺的影响 BbCW3!( 参考文献 N_FjEZpX 9:3`LY3wW 第2章 蒸发技术 (]?M=?0\ 2.1 发展历史与简介 JbitRV@a 2.2 蒸发的种类 `2\:b^h 2.2.1 电阻热蒸发 6~>h;wC 2.2.2 电子束蒸发 hW~UJ/$ 2.2.3 高频感应蒸发 4\ElMb[] 2.2.4 激光束蒸发 A|4
3W= 2.2.5 反应蒸发 (["V( $ 2.3 蒸发的应用实例 )Pc>+}D 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 *2.h*y'u 2.3.2 ITO薄膜 YUTh*`1k< 参考文献 WAtv4 r?
}|W2^% 第3章 溅射技术 '~7zeZ' 3.1 溅射基本原理 lqO>Q1_{K 3.2 溅射主要参数 * RX^ z6 3.2.1 溅射闽和溅射产额 $Fi1Bv) 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 (7&b)"y 3.2.3 溅射速率和淀积速率 6#qt%t%?D 3.3 溅射装置及工艺 Hj `\Fm*A 3.3.1 阴极溅射 7 _"G@h 3.3.2 三极溅射和四极溅射 GJU9[ 3.3.3 射频溅射 I\M
}Dxpp 3.3.4 磁控溅射 De{ZQg) 3.3.5 反应溅射 X f;R'a,$ 3.4 离子成膜技术 0DnOO0Nc 3.4.1 离子镀成膜 zN)) .a 3.4.2 离子束成膜 PRBlf 3.5 溅射技术的应用 P0sAq7" 3.5.1 溅射生长过程 UUvCi+W 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 O:~J_Wwl! 参考文献 @w(|d<5l:L |TQ4:P1T 第4章 化学气相沉积 %<p/s;eu 4.1 概述 k=d0%}
`M( 4.2 硅化学气相沉积 $Xu/P5 4.2.1 CVD反应类型 z
yp3+| 4.2.2 CVD热力学分析 K3WaBcm 4.2.3 CVD动力学分析 Ejf5M\o 4.2.4 不同硅源的外延生长 QctzIC#;k 4.2.5 成核 #,1)@[ 4.2.6 掺杂 yc`3) 4.2.7 外延层质量 @,2,(=l*C 4.2.8 生长工艺 VfDa>zV3 4.3 CVD技术的种类 \L}7.fkb8 4.3.1 常压CVD ;n|%W,b- 4.3.2 低压CVD w8: 4.3.3 超高真空CVD xpu2RE 4.4 能量增强CVD技术 4pelIoj 4.4.1 等离子增强CVD <9:~u]ixt 4.4.2 光增强CVD 5')]Y1J 4.5 卤素输运法 1;B&R89} 4.5.1 氯化物法 @o#Yq
n3Y 4.5.2 氢化物法 .wlKl[lE2 4.6 MOCVD技术 8A::q ; 4.6.1 MOCVD简介 Lp4F1H2t- 4.6.2 MOCVD生长GaAs q"S,<I<f 4.6.3 MOCVD生长GaN qzO5p=} 4.6.4 MOCVD生长ZnO Y" rODk1 4.7 特色CVD技术 5DkEJk7a 4.7.1 选择外延CVD技术 0jPUDkH* 4.7.2 原子层外延 6V@_?a-K 参考文献 *DZ7,$LQ~D hd(TKFL^y 第5章 脉冲激光沉积 a<E9@ 5.1 脉冲激光沉积概述 tTubW=H 5.2 PLD的基本原理 OQKc_z'" 5.2.1 激光与靶的相互作用 \I<R.49oW 5.2.2 烧蚀物的传输 6R$Yh0% 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 28c6~*Te# 5.3 颗粒物的抑制 rO{?.#~ 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 $"MVr5q6 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 s aHY9{) 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 7xux%:BN 参考文献 T{-gbo`Yji .=d40m 第6章 分子束外延 )~ &gBX 6.1 引言 @de0)AJG6 6.2 分子束外延的原理和特点 fBz|-I:k
+ 6.3 外延生长设备 :qj;f];| 6.4 分子束外延生长硅 ?_p!teb 6.4.1 表面制备 H5
:,hrZY 6.4.2 外延生长 pjoyMHWK 6.4.3 掺杂 4PkKL/E 6.4.4 外延膜的质量诊断 \i}-Y[Dg 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 D@ !r?E` 6.5.1 MBE生长GaAs 0M&~;`W} 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs `R7dn/ 6.5.3 MBE生长GaN )54a' Hp 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 =K|#5p` 6.6.1 HgCdTe材料 >LN*3&W 6.6.2 CdTe/Si的外延生长 0S'@(p[A 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 s16, *;Z 6.6.4 ZnSe、ZnTe #Q-#7|0& 6.6.5 ZnO薄膜 2Qh)/=8lM 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 _iEnS4$A8 6.7.1 SiC:材料 yJ ljCu)f 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 lFSvHs5 6.7.3 生长有机半导体薄膜 kt\,$.v8 参考文献 ~Lg ;7i1L
q4G$I?4 第7章 液相外延 ^e;9_( 7.1 液相外延生长的原理 W\5 -Yg(@ 7.1.1 液相外延基本概况 _Ex<VF u 7.1.2 硅液相外延生长的原理 . &`YlK 7.2 液相外延生长方法和设备 7zA+UWr 7.3 液相外延生长的特点 \&ZEIAe 7.4 液相外延的应用实例 l?V#; 7.4.1 硅材料 ^;9l3P{ 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 bAN>\zG+ 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 }aI>dHL 7.4.4 SiC材料 YktZXc?iI< 参考文献 j72mm! W=LJhCpRHj 第8章 湿化学制备方法 Z#(Y%6[u 8.1 溶胶-凝胶技术 7 b( `L[q`r7 第9章 半导体超晶格和量子阱 fkImX:|q 第10章 半导体器件制备技术 3/uvw>$ 参考文献 i_*. @p}_"BHYWt 市场价:¥36.00 ],~[ ^0 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折) J=(i0A
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