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cyqdesign 2010-01-31 21:48

半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 {J/I-=CmML  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 m"c :"I6  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 b{DiM098  
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Preface xvii *5$&`&,  
CHAPTER 1 "HM{b?N  
The Crystal Structure of Solids $3=:E36K  
1.0 Preview 1 .'[/|4H  
1.1 Semiconductor Materials 2 v;y0jD#b  
1.2 Types of Solids 3 (kTXP_  
1.3 Space Lattices 4 {mE! Vf  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 &Y@#g9G  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 U3vEdw<lV  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices RaSz>-3d  
1.3.4 The Diamond Structure 13 #iSFf  
1.4 Atomic Bonding 15 jn9 ShF  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 XM Vq-8B0  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 z/&;{J  
1.5.2 Impurities in Solids 18 DJh&#b  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 @D`zKYwX1  
1.6.1 Growth from a Melt 20 VS?@y/\In  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 &ntBU]< q  
1.7 Device Fabrication Techniques: V9x8R  
Oxidation 23 ~!%0Z9>ap  
1.8 Summary 25 &A!KJ.  
Problems 27 fm1X1T.  
CHAPTER 2 SP 2 8  
Theory of Solids 31 ;Hm'6TR!  
2.0 Preview 31 +-068k(  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 4lc)&  
2.1.1 Energy Quanta 32 gvli%9n  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 c-XLI  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Wf02$c0#K  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 {7Cx#Ewd  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 ^>~dlS  
2.2.3 Periodic Table 40 `!\ivIi^  
2.3 Energy-Band Theory 41 d+z[\i  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ](r ^.k,R  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 c|wCKn}`  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 +?-qfp,:0  
2.3.4 Effective Mass 49 #G _/.h@  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 Z$K+ 7>^  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 ){Z  
2,4 Density of States Function 55 ||TtNH  
2.5 Statistical Mechanics 57 snk$^  
2.5.1 Statistical Laws 57 #dJ 2Q_2  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 3 %(Y$8U  
and the Fermi Energy 58 1czG55 |  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 z<C[nR$N  
2.6 Summary 64 >.dHt\  
Problems 65 ;?9A(q_Z  
CHAPTER 3 f==*"?6\  
The Semiconductor in Equilibrium 70 oo'w-\2]p  
3.0 Preview 70 MUof=EJg>u  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 |i)lh_iN  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 2tr :xi@  
3.1.2 The no and Po Equations 74 P!\hnm)%4  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 ,zgNE*{Y"4  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 hN4VlNKu  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 +BB0wY  
3.2.1 Qualitative Description 83 oXc/#{NC  
3.2.2 Ionization Energy 86 A|vP$zy  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 H/i<_LP  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 }z'DWp=uN  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 Vq}r_#!Q  
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