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2010-01-31 21:48 |
半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼
《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 vV
PK 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 eeVzOq( 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 3[*x'"Q;H [attachment=24330] DeK&_)g| Z )\PPIY>iP 市场价:¥69.00 8"=E0(m 优惠价:¥55.20 为您节省:13.80元 (80折) }q?*13iy( prw% )#, |s!<vvp] Preface xvii PP{s&( CHAPTER 1 r?%,#1|$$ The Crystal Structure of Solids ZCAg)/ 1.0 Preview 1 O-uf^S4 1.1 Semiconductor Materials 2 E51'TT9 1.2 Types of Solids 3 J]ri|a 1.3 Space Lattices 4 N"[r_! 1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 TQL_K8k@_ 1.3.2 Basic Crystal Structures 6 Wr6y w# 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices |_\q5?S 1.3.4 The Diamond Structure 13 KN<KZM 1.4 Atomic Bonding 15 VJbn/5+P 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 iezY+`x4 1.5.1 Imperfections in Solids 17 H tx)MEZ 1.5.2 Impurities in Solids 18 ~P,@">} 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 .22}=z 1.6.1 Growth from a Melt 20 70F(`; 1.6.2 Epitaxial Growth 22 &BOG&ot 1.7 Device Fabrication Techniques: 0f;`Zj0l8 Oxidation 23 R<Uu(-O- 1.8 Summary 25 k vF[d{l Problems 27 N"Cd{3 CHAPTER 2 lPA:ho/`: Theory of Solids 31
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Z"& 2.0 Preview 31 {C'9?4& 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 H=@S+4_bK 2.1.1 Energy Quanta 32 T]lVwj 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 z)fg>?AGr 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 #XeEpdE 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 -~TgA*_5] 2.2.2 The One-Electron Atom 37 jc7NYoT: 2.2.3 Periodic Table 40 A3A"^f$$ 2.3 Energy-Band Theory 41 ?'mi6jFFh 2.3.1 Formation of Energy Bands 41 K!O7q~s[D 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 C<E;f]d 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 "ZR^w5 2.3.4 Effective Mass 49 w9,w?%F 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 4mci@1K#^ 2.3.6 The k-Space Diagram 52 (i@B+c 2,4 Density of States Function 55 P~@.(hed 2.5 Statistical Mechanics 57 qlg?'l$03) 2.5.1 Statistical Laws 57 %Hpz^<` 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 8C4v and the Fermi Energy 58 KY9&Ky+2 B 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Rf#t|MW*# 2.6 Summary 64 0#!Z1:Y Problems 65 .]LP327u CHAPTER 3 *k
!zdV The Semiconductor in Equilibrium 70 \heQVWRl 3.0 Preview 70 @YI-@ 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 G0Wv=tX| 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 KFf6um 3.1.2 The no and Po Equations 74 ;#n+$Q#: 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 T?EFY}f 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 GcHZ&m4 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 [' cq 3.2.1 Qualitative Description 83 QmY1Bn?s 3.2.2 Ionization Energy 86 cE7IHQ 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 f1RX`rXf 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 ct@i]}"` 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ,H:{twc …… 89l{h8R 市场价:¥69.00 `cpUl*Y= 优惠价:¥55.20 为您节省:13.80元 (80折) r=:o$e
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