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2010-01-31 21:37 |
半导体器件物理与工艺,作者:(美国)施敏,译者:赵鹤鸣
《半导体器件物理与工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成电路土的压用。 B*,)@h 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。 pL5cw= [attachment=24329] N,c!1:b @kqxN\DE 市场价:¥55.00 !:^q_q4 优惠价:¥44.00 为您节省:11.00元 (80折) L%T(H< | |