首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光电资讯及信息发布 -> 半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

cyqdesign 2010-01-30 22:09

半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona

半导体基础是一部享誉世界经典图书,作者Peter Y.Yu (于鑫) 是美国加州大学的教授, Manuel Cardona 是德国斯图加特马普所的教授, 他们长期从事半导体物理研究和教学工作, 是半导体领域顶级科学家。 A0OA7m:~4  
半导体科学是一本不断取得令人惊奇进展的一门科学, 是人类社会现代化赖以实现的基础学科。本书从实验和计算两个角度详细地介绍了半导体材料的电子、振动、输运和光学性质, 强调的是对硅及其它四面体结合的半导体材料基本物理性质的理解。该书自1995年推出, 2001年即更新到第3版.,书中包含大量的数据、图表和习题, 它既是半导体物理方面难得的教科书, 同时也是从事半导体研究和器件开发的研究者必备的参考书。本书叙述条理清楚,语言流畅,自写作开始作者就牢记兼顾学生和专业研究人员的需要, 阅读本书对读者来说是一种享受。 N`~f77G  
此书为英文版。 p`EgMzVO,  
[attachment=24318] Q\>mg*79  
MRg Ozg  
市场价:¥89.00 ~n! & ~  
优惠价:¥71.20 为您节省:17.80元 (80折) Qq'e#nI@  
Yr>0Qg],  
;y-:)7J  
1.Introduction tEt46]{  
1.1 A Survey of Semiconductiors nw_s :  
1.2 Growth Techniques .PV(MV  
Summary d2TIG<6/  
Peirodic Table of“Semiconductor-Forming”Elements kP'm$+1or  
2.Electronic Band Structures Kv)}  
2.1 Quantum Mechanics ;G[0%z+*  
2.2 Translational Symmetry and Brillouin Zones )5n:UD{f[#  
2.3 A Pedestrian's Guide to Group Theory +o):grWvQ  
2.4 Empty Lattice or Nearly Free Electron Energy Bands s6r(\L_Im  
2.5 Band Structure Calculations by Pseudopotential Methods 'Lw8l `7  
2.6 The k·p Method of Band-Structure Calcuations 3V7WIj<  
2.7 Tight-Binding or LCAO Approach to the Band Structure x6*y$D^B  
Problems RR's W@  
Summary q`?M+c*F  
3.Vibrational Properties of Semiconductors,and Electron-Phonon Interaction ]0BX5Z'  
3.1 Phonon Dispersion Curves of Semiconductors 9Ofls9]U  
3.2 Models for Calculating Phonon Dispersion Curves b- bvkPN  
3.3 Electron-Phonon Ineratctions 5SZa, +]  
Problems hn\d{HP  
Summary i+pQ 7wx  
4.Electronic Properties of Defects zR <fz  
4.1 Classification of Defects }"SqB{5e(  
4.2 Shallow or Hydrogenic Impurities e]CoYuPr  
4.3 Deep Centers 8vtembna4  
Problmes bub6{MQW8e  
Summary hg#O_4D  
5.Electrical Transport >#'?}@FWQN  
5.1 Quasi-Classical Approach cx ("F /Jm  
5.2 Carrier Mobility for a Nondegenerate Electron Gas a2ho+TwT  
5.3 Modulation Doping HVhP |+  
5.4 High-Field Transport and Hot Carrier Effects MT:VQ>f C  
5.5 Magneto-Transport and the Hall Effect cA|vH^:  
Problems q VI0?B x  
Summary aC%Q.+-t  
6.Optical Properties Ⅰ !dU$1:7  
7.Optical Properties Ⅱ +S[3HX7H  
8.Photoelectron Spectroscopy $4~Z]-38#A  
9.Effect of Quantum Confinement on Electrons and Phonons in Semiconductors 8qaU[u&$  
Appendix:Pioneer of Semiconductor physics Remember U^BM5b  
References m(d|TwG{  
Subject Index (xoYYO  
Physical Parameters of Tetrahedral Semiconductors(Inside Front Cover) RgW#z-PZF  
Talbe of Fundamental Physical Constats(Inside Back Cover) Y/"t!   
Table fo Units(Inside Back Cover) F#M(#!)Y"  
M_-L#FHX  
市场价:¥89.00 eB=&(ZT  
优惠价:¥71.20 为您节省:17.80元 (80折) <pjxJ<1 l  
查看本帖完整版本: [-- 半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona --] [-- top --]

Copyright © 2005-2026 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计