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2010-01-30 21:53 |
半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)
《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 Llc|j&yHQ 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 aJ_Eh(cF [attachment=24316] $^aXVy5p 0P/LW|16 市场价:¥88.00 ?vNS!rY2& 优惠价:¥74.40 为您节省:13.60元 (85折) Y6DiISl
s1apHwJ - IL"#TKKv 第一章 半导体的光学常数 07Cuoqt2 1.1 半导体的光学常数及其相互关系 sU!q~`; J 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 >
V}NG 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 K'/x9.'% 1.4 半导体光学常数的实验测量 `IQC\DSl/ 参考文献 VQ3& | N,nt@~ 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 L6#d 2.1 半导体的带间跃迁过程 Y }d>%i+ 2.2 带间跃迁的量子力学理论 /7)G"qG~F~ 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 J(VZa_ 2.4 间接跃迁的量子力学处理 /VZU3p<~ 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 sgsMlZ3/ 参考文献 U}Fk%Jj <Y6>L}; 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 'Em($A( 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 },ZL8l{ 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 NVPYv#uK 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 5X-{|r3q 3.4 半导体的调制光谱 V1qHl5" 3.5 激子吸收 .}>[Kr 参考文献 ]qRz!D%@^ &bx,6dX 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 HWZ*Htr 4.1 带内越和自由载流子吸收 htlWC>* 4.2 自由载流子吸收的量子理论 emO!6]0gJ 4.3 杂质吸收光谱 $MGd>3%y 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 %.Y`X(g6/ 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 j*
?MFvwE 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 KJSy7F 参考答献 7w({ GZ kS!*kk*a 第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 M#|xj <p 5.1 引言 h UDEjW@S 5.2 导带-价带辐射复合跃迁 2ARh-zLb 5.3 激子符合发光 5?"ZM'4 5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 z05pVe/5 5.5 非本征辐射复合发光过程 q[g^[~WM# 5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 d|lzkY~ 5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 8t; nU;E* 参考答献 2US8<sq+ *i90[3l 第六章 半导体的光电导和其他相关效应 ?~8V;Qn 6.1 引言 ;[ojwcK[ZF 6.2 光电导现象的分类 sS|5x 6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 pTd@i1%Nr 6.4 光扩散效应 }wKU=Vm 6.5 光电磁效应 [rem,i+ 6.6 光伏效应 <L0_<T 6.7 光激发载流子的寿命 SM?<woY=* 6.8 非本征光电导 sj2+|> 6.9 热电子光电导 "
8v 参考答献 wvY$s; 3f
x!\ 第七章 半导体磁光效应 5@\<:Zmi 7.1 回旋共振 Zs)9OJu 7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 7EUaf;d^ 7.3 磁光效应的量子力学解释 {fs(+
0ei 7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 Dc5XU3Eu` 7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 u)ItML 7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 6|x<)Gc 7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 n&lLC | |