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2010-01-30 21:53 |
半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)
《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 og$dv
23 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 )-+tN>Bb [attachment=24316] Rs<S}oeLn
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C=c&.-Nb9 @{V`g8P> 第一章 半导体的光学常数 T72Li"00 1.1 半导体的光学常数及其相互关系 <c@dE 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 +
o< 7* 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 .dzw5R& 1.4 半导体光学常数的实验测量 tqA-X[^ 参考文献 fwtsr>SV |vi=h2* 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 heF'7ezv# 2.1 半导体的带间跃迁过程 }Bh\N5G% 2.2 带间跃迁的量子力学理论 hpOY&7QUTD 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 Z+R-}< 2.4 间接跃迁的量子力学处理 \R&ZWJKh 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 J{Ij 参考文献 e>Q:j_?.e b0f6?s 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 j; /@A
lZl 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 QdZHIgh`i 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 GLY,<O>D5 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 [9EL[} 3.4 半导体的调制光谱 ;d7Qw~v1s 3.5 激子吸收 o)\EfPT 参考文献 'o]}vyz; B%Oi1bO 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 Jv2V@6a( 4.1 带内越和自由载流子吸收 1b=\l/2 4.2 自由载流子吸收的量子理论 t2ui9:g4j 4.3 杂质吸收光谱 }2y"F@{T 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 TFc/` 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 99h#M3@! 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 #!z'R20PH 参考答献 N}bZdE9F IxG0TJ_
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 Ejf>QIB 5.1 引言 ohXbA9&(x 5.2 导带-价带辐射复合跃迁 k< | |