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| cyqdesign | 2010-01-30 21:53 |  
| 半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)
《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 I"`M@	% 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 &
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 第一章 半导体的光学常数 OD_W8!-
 1.1 半导体的光学常数及其相互关系 }C|dyyr
 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 B2O} 1.
 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 !3ctB3eJ
 1.4 半导体光学常数的实验测量 x]33LQ1]
 参考文献 =J~ x
 `Ry]y"K
 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 c}0@2Vf
 2.1 半导体的带间跃迁过程 !e?.6%	%
 2.2 带间跃迁的量子力学理论 5v6Eii:
 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 y.Z?LCd<
 2.4 间接跃迁的量子力学处理 b?'yAXk
 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 p"U,G
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 参考文献 mbueP.q[?
 71{p+3Z&
 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 M^]cM(swK5
 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 l(#)WWr+
 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 9cj9SB4
 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 y(xJTj
 3.4 半导体的调制光谱 Tq4-wE+
 3.5 激子吸收 7!N2-6GV
 参考文献 ~B(6+~%
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 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 Zg.&
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