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2010-01-30 21:53 |
半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)
《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 k6O.H 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 eB=v~I3 [attachment=24316] ?L@@;tt Pknc[h}, 市场价:¥88.00 OQ(D5GR:4 优惠价:¥74.40 为您节省:13.60元 (85折) cGE=.
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k#x zb5N,!%r 第一章 半导体的光学常数 W}XYmF*_? 1.1 半导体的光学常数及其相互关系 n$XdSh/ 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 sn-)(XU! 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 0%s3Mp6H 1.4 半导体光学常数的实验测量 x"
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( 参考文献 ?0rOcaTY Gz>Lqd 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 gEv-> pc 2.1 半导体的带间跃迁过程 =2
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2.2 带间跃迁的量子力学理论 ?wd|G4.Vo 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 }iilzE4oH# 2.4 间接跃迁的量子力学处理 M o}H_8y 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 'aD6>8/Hj 参考文献 +7Yu^& {ITv&5?> 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 8RdP:*HY 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 |l|_dn 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 +
<Z+- 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 Ue(r}* 3.4 半导体的调制光谱 E'5Ajtw; 3.5 激子吸收 YywEZ?X 参考文献 0Injyc*bMF j$@?62)6 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 iQt!PMF. 4.1 带内越和自由载流子吸收 M@|w[ydQG 4.2 自由载流子吸收的量子理论 HWqLcQ d:P 4.3 杂质吸收光谱 k$C"xg2 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 (/"thv5vT{ 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 g b -Bxf 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 C"w,('~@kW 参考答献 /7bw: h; < | |