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cyqdesign 2010-01-30 21:53

半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 P@c5pc#|  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 DEZve Qr=  
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^k9I(f^c-_  
第一章 半导体的光学常数 @E|}Y  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系 eehb1L2(b  
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 }&D32\  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 /IMFO:c  
1.4 半导体光学常数的实验测量 I b5rqU\  
参考文献 YUk\Q%  
ZPYS$Ydy  
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 (SAs-  
2.1 半导体的带间跃迁过程 =D"#U#>;7&  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 d7bS wL  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 <wD-qTW  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 }0Ed ]  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 )l DD\J7  
参考文献 u]UOSfn  
7-fb.V9  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 8KzkB;=n  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 * r7rZFS  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 /cP"h!P}~~  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 1bwOm hkS  
3.4 半导体的调制光谱 X!EP$!  
3.5 激子吸收 /N.U/MPL_  
参考文献 3%b6{ie/=  
z<' u1l3  
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 |P?*5xPB  
4.1 带内越和自由载流子吸收 nAlQ7 '  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 + v:SM 9  
4.3 杂质吸收光谱 O0H.C0}  
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 FfT`;j  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 (TT}6j  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 J5,9_uo]  
参考答献 Uw<nxD/+  
[ub e6  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 sK?twg;D*|  
5.1 引言 q'Pf]  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 bW(0Ng  
5.3 激子符合发光 j^RmrOg ,  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 [j+sC*  
5.5 非本征辐射复合发光过程 O5BYD=7  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 ;#< 0<  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 1T n}  
参考答献 5wU]!bxr  
NL+N%2XG7  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 ('+d.F[109  
6.1 引言 +] {G@pn  
6.2 光电导现象的分类 >Y@H4LF;1x  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 h^P#{W!e\  
6.4 光扩散效应 @gK?\URoT  
6.5 光电磁效应 W: z;|FF  
6.6 光伏效应 aV0"~5  
6.7 光激发载流子的寿命 Xne1gms  
6.8 非本征光电导 =~LJ3sIX  
6.9 热电子光电导 KLk~Y0$:v  
参考答献 +D*Z_Yh6  
4Ftu  
第七章 半导体磁光效应 <<O$ G7c  
7.1 回旋共振 R`-S/C  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 <qt|d&  
7.3 磁光效应的量子力学解释 C\hM =%  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 sU^1wB Rj  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 &=mtc%mL  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 XW92gI<O  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 @BMx!r5kn  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用 4E}Yt$|  
参考文献 ;5( UzQU  
P16~Qj  
第八章 半导体的拉曼散射 SSzIih@u  
8.1 概述 b*lkBqs$  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 buHJB*?9  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 Y8t8!{ytg  
8.4 半导体的二级拉曼散射 ;}p  
8.5 半导体的共振拉曼散射 *|HY>U.  
参考文献 ChQx a  
)D%~` ,#pQ  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 J] r^W)O  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 5 SQ 8}Or3  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 l9"s>PU  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱 z\4.Gm-  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射 7 _[L o4_  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 `\ol,B_l  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱 >/6 _ ^  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 dqcL]e  
参考文献 |JsZJ9W+J  
;<4a*;IO  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 iH'p>s5L  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 G^@5H/)  
10.2 半导体量子线光谱 | 6y  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 ?Q;=v~-Q  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 + >!;i6|  
参考文献 Vi|#@tC'  
英汉对照主题索引 3PF_H$`oJ  
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