myjoy88 |
2010-01-13 17:44 |
薄膜厚度测量---激光椭偏仪
Multiple Angle Laser Ellipsometer 多入射角激光椭圆偏振仪 ^7i^ \w0 产品特点: kR<xtHW 高精度、高稳定性 pBlRd{#fL 快速、高精度样品校正 |?\gEY-Se 快速测量、操作简便 DBQOxryP>o 多角度测量 8# 6\+R 样品可水平或垂直放置 L@7Qs6G2u 一体化集成设计 ]WTf< W< 椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。 cDfx)sL M%7`8KQ 产品说明: eeZIa`.sX o)0C-yO0qf 多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征: oR-O~_)U fp9rO}## 1) 单层纳米薄膜; =YWT|%^uX ^Ku\l #B 2) 多层纳米层构膜系;
[<_"`$sm= S$S_nNq 3) 块状材料(基底) 4uFIpS|rq A ?#]s 4)透明薄膜 CT|z[^ 6,B-:{{e" EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。 uZ@-e|qto >NJjS8f5 EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性 \s,Iz[0Vfz LEWa6'0rq 产品性能简介: [:Be[pLC V{43HA10b 高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度; KA`0g= +H41]W6 样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。 <#zwKTmK1 :M@MmpPh 高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。 =.DTR5(_h 3voW 采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。 -&@]M>r@ :qBGe1Sv( 耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。 D)y{{g*Lnm _8al 高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正; &j3`
)N nlaG<L# 稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量; n;%y w2k<)3 g~ 分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量; Ah*wQow FQ U\0<5 仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试; " <qEXX tL1P<1j_ 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间; +a #lofhv i^R{Ul[ 专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。 tzPC/? ;xhOj<: 内置模型数据库,免费的软件升级 juH wHt X R4 )z 规格及主要技术指标: 2%5?Fn= |P>|D+I0 EM01技术指标: yji>*XG `-o5&>'nf R0vww_fz dec-kevin@163.com
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