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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 j. cH,Y
黄永箴 vM8]fSc
中国科学院半导体所，光电子研发中心 @@&;gWr;
集成光电子国家重点实验室 XA%?35v~
@) wXP@7
一. 半导体激光器的基本结构 D=]P9XDvb.
1.半导体双异质结构 eU*h qy?0
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 5=e@yIr'#
3. 侧模控制(基侧模) 0\A[a4crj
4.横模控制 #2iA-5
5. 动态单模半导体激光器 >MLqOUr#
6. 波长可调谐半导体激光器 \t3i9#Q
7.长波长VCSEL的进展 S OJHw6
8.微腔激光器和光子晶体 i^ Q^F
9.半导体激光器材料的选择 :l{-UkbB
_uacpN/<|
二.半导体光波导 vzPrG%Uu7g
1. 平板波导的模式，TE和TM模 %/p 5C
2. 光限制因子和模式增益 :PJjy6,1
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 )JON&~C
4. 半导体激光器镜面反射系数 &[xJfL
5. DFB激光器的藕合模理论 ~C3-E %h@Z
6. DFB半导体激光器的一维模拟 EY(4 <;)
7. 等效折射率近似 B{< 6 & bQ
8. 数值模拟 QB g 'VV
cA,xf@itp
三.半导体中的光跃迁和增益 E O^0sF<
1. 费米分布函数及跃迁速率 *{Vyt5
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Q}]u n]]Zt
3.简约态密度及增益谱 i[swOY z]X
4.模式的自发辐射速率 1l{n`gR
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 -i4gzak
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [a2/`ywdV
7.增益谱峰值的近似表达式 H>?@nYP
-lHJ\ =
四. 速率方程和动态效应 v?J2cL
1．单模速率方程及基本物理量 e %#f9i
2．稳态输出 [ q}WS5Cp
3. 共振频率和3dB带宽 7}MWmS^8j
4. 载流子输运效应对带宽影响 1k`!w}
5. 开启延迟时间 a ?dM8zAnc
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 #v1 4"s Z}
7. 自发辐射引起的噪声 u Wtp2]A
8. 相对强度噪声 a&JAF?k
9. 模式线宽 7e4\BzCC
10. 多模速率方程 l"64w>,
sz5@=
五.半导体激光器的基本工艺和特性 t+
@F"[j
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 SJfsFi?n
3.激光器寿命 Zs E8eD
4.激光器阈值电流的温度特性 :Wln$L$
gNJ\*]SY
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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