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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 F!)M<8jL&9 黄永箴 -Y8ks7 中国科学院半导体所,光电子研发中心 C~KWH@ 集成光电子国家重点实验室 YQ@dl
'9 *|N= 一. 半导体激光器的基本结构 +%
XhQ 1.半导体双异质结构 G/fP(o-Wd 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) YBtq0c 3. 侧模控制(基侧模) DrCWvpudd 4.横模控制 3|K=%jr[ 5. 动态单模半导体激光器 b=K6IX; 6. 波长可调谐半导体激光器 MvZ+n 7.长波长VCSEL的进展 fVH*dX'Jz 8.微腔激光器和光子晶体 /lr1hW~Dbk 9.半导体激光器材料的选择 yE.495 bB;~,W&E1 二.半导体光波导 N753 1. 平板波导的模式,TE和TM模 t +3 2. 光限制因子和模式增益 <V$Y6(uMs 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 L}}=yh6r 4. 半导体激光器镜面反射系数 }fJ:wku 5. DFB激光器的藕合模理论 FDF3zzP0 6. DFB半导体激光器的一维模拟 g[EM]q, 7. 等效折射率近似 abROFI5.L 8. 数值模拟 >'} Y1_S5 K0O-WJ 三.半导体中的光跃迁和增益 0'yG1qG 1. 费米分布函数及跃迁速率 mUrS&&fu8 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ka5#<J7<p 3.简约态密度及增益谱 |
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4.模式的自发辐射速率 #Mj$o;SX 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 R`@8.]cpPy 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 xvwD3.1 7.增益谱峰值的近似表达式 z(g%ue\ T-a&e9B 四. 速率方程和动态效应 ny12U;'s, 1.单模速率方程及基本物理量 pqyWv; 2.稳态输出 BIxV|\k 3. 共振频率和3dB带宽 /d0Q>v.g 4. 载流子输运效应对带宽影响 2{A;du%& 5. 开启延迟时间 ^M`>YOU2+ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 n-b>m7O( 7. 自发辐射引起的噪声 <|{L[ 8. 相对强度噪声 1YOg1 n+k 9. 模式线宽 +1otn~(E 10. 多模速率方程 V";mWws+?# Pm$F2YrO3 五.半导体激光器的基本工艺和特性 &$mZ?%^C 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 2[jL^XMM 3.激光器寿命 PD6MyW05%9 4.激光器阈值电流的温度特性 8weSrm UWQtvQ
f 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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