| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 Dx/BxqG6}_
黄永箴 v{"$:Z
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中国科学院半导体所，光电子研发中心 0~Z >}(
集成光电子国家重点实验室 Q}2aBU.f
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一. 半导体激光器的基本结构 ;z/Z(7<; ;
1.半导体双异质结构 K>Dn#"{Y
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) i<l_z&
3. 侧模控制(基侧模) 6Lr G+p`
4.横模控制 (;;%B =
5. 动态单模半导体激光器 V)72]p
6. 波长可调谐半导体激光器 Ds?
@ LE|
7.长波长VCSEL的进展 fgK 1+sW
8.微腔激光器和光子晶体
~oy =2Q<Z
9.半导体激光器材料的选择 $ 014/IB
-/Pg[Lx7Pb
二.半导体光波导 _SC{nZ[
1. 平板波导的模式，TE和TM模 f^b.~jXSR}
2. 光限制因子和模式增益 V6P2W0 m
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 X?&(i
s
4. 半导体激光器镜面反射系数 ]KdSwIbi
5. DFB激光器的藕合模理论 VAX@'i Zr
6. DFB半导体激光器的一维模拟 :sAb'6u1EU
7. 等效折射率近似 T^ > ST
8. 数值模拟 Zvz Zs
GX?R# cf
三.半导体中的光跃迁和增益 L& ucTc =
1. 费米分布函数及跃迁速率 ~(OG3`W!
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 mQdF+b 1o
3.简约态密度及增益谱 r#r L~Rsd}
4.模式的自发辐射速率 .\XFhOs a
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 gb+iy$o-
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 *;cvG ?V
7.增益谱峰值的近似表达式 Z" j #kaXA
f?vbIc`
四. 速率方程和动态效应 R8LJC]6Bh
1．单模速率方程及基本物理量 Cw6\'p%l-\
2．稳态输出 @oE^(
3. 共振频率和3dB带宽 5My 4a9
4. 载流子输运效应对带宽影响 @+C h2Lod
5. 开启延迟时间 O(x1Ja,&
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 1T&N U
7. 自发辐射引起的噪声 Rp .42v#ck
8. 相对强度噪声 9U ~fc U6
9. 模式线宽 !\|_,pSB
10. 多模速率方程 E2dl}S zp
JBqL0H
五.半导体激光器的基本工艺和特性 #uTNf78X
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 [g )HoR=&
3.激光器寿命 %8Eu{3
4.激光器阈值电流的温度特性 t5O '7x
s0r::y O
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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