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cyqdesign 2009-07-14 15:42

半导体激光器的设计和工艺下载

半导体激光器的设计和工艺 W?,$!]0  
黄永箴 s"#]L44N  
中国科学院半导体所,光电子研发中心 )q^ Bj$  
集成光电子国家重点实验室 ~uaP$*B[  
\P?ToTTV  
一. 半导体激光器的基本结构 sOC&Q&eg  
1.半导体双异质结构 Cw1( 5  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) $C_M&O}  
3. 侧模控制(基侧模) ?C;JJ#Ho  
4.横模控制 qc8Ta"  
5. 动态单模半导体激光器 \2DE ==M)P  
6. 波长可调谐半导体激光器 ijZ>:B2:  
7.长波长VCSEL的进展 >9(i)e  
8.微腔激光器和光子晶体 3 ]}'TA`v  
9.半导体激光器材料的选择 :EHQ .^  
l8wF0|  
二.半导体光波导 -CBD|fo[h  
1. 平板波导的模式,TE和TM模 [8]m8=n  
2. 光限制因子和模式增益 c~tAvDX  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }B)jq`a?|\  
4. 半导体激光器镜面反射系数 W cGXp$M  
5. DFB激光器的藕合模理论 ,b' 4CF  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 "bX4Q4Dq  
7. 等效折射率近似 &hN,xpC  
8. 数值模拟 HHS45kg[c  
'DAltr<  
三.半导体中的光跃迁和增益 1L[S*X  
1. 费米分布函数及跃迁速率 pMN<p[MB  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `SOhG?Zo  
3.简约态密度及增益谱 -<oZ)OfU  
4.模式的自发辐射速率 - V=arm\#z  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 k&GHu0z  
6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 TETsg5#  
7.增益谱峰值的近似表达式 Q4%IxR?  
?0J0Ij,  
四. 速率方程和动态效应 zqGYOm$r  
1.单模速率方程及基本物理量 oh&Y< d0  
2.稳态输出 <o@)SD~K  
3. 共振频率和3dB带宽 R<g=\XO'y  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Kym:J \}9B  
5. 开启延迟时间 *i?.y*g  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .BL:h&h|y  
7. 自发辐射引起的噪声 O,9X8$5H-a  
8. 相对强度噪声 s/ S+ ec3  
9. 模式线宽 %FS;>;i?  
10. 多模速率方程 faVS2TN4  
V_]-`?S  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Yq;&F0paK  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 cdsQ3o  
3.激光器寿命 MZ^Ch   
4.激光器阈值电流的温度特性 Oxn'bh6R0  
7.|S>+Q  
原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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