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cyqdesign 2009-07-14 15:42

半导体激光器的设计和工艺下载

半导体激光器的设计和工艺 F!)M<8jL&9  
黄永箴 - Y8ks7  
中国科学院半导体所,光电子研发中心 C~KWH@  
集成光电子国家重点实验室 YQ @dl  
'9 *|N=  
一. 半导体激光器的基本结构 +% XhQ  
1.半导体双异质结构 G/fP(o-Wd  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) YBtq0c  
3. 侧模控制(基侧模) DrCWvpudd  
4.横模控制 3|K=%jr[  
5. 动态单模半导体激光器 b =K6IX;  
6. 波长可调谐半导体激光器 MvZ+n  
7.长波长VCSEL的进展 fVH*dX'Jz  
8.微腔激光器和光子晶体 /lr1hW~Dbk  
9.半导体激光器材料的选择 yE.495  
bB;~,W&E1  
二.半导体光波导 N75 3  
1. 平板波导的模式,TE和TM模 t+3   
2. 光限制因子和模式增益 <V$Y6(uMs  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 L}}=yh6r  
4. 半导体激光器镜面反射系数 }fJ:wku  
5. DFB激光器的藕合模理论 FDF3zzP0  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 g[EM]q,  
7. 等效折射率近似 abROFI5.L  
8. 数值模拟 >'} Y1_S5  
K0 O-WJ  
三.半导体中的光跃迁和增益 0'yG1qG  
1. 费米分布函数及跃迁速率 mUrS &&fu8  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ka5#<J7<p  
3.简约态密度及增益谱 | V.S.'  
4.模式的自发辐射速率 #Mj$o;SX  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 R`@8.]cpPy  
6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 xvwD3.1  
7.增益谱峰值的近似表达式 z(g%ue\  
T-a&e9B  
四. 速率方程和动态效应 ny12U;'s,  
1.单模速率方程及基本物理量 pqyWv;  
2.稳态输出 BIxV|\k  
3. 共振频率和3dB带宽 /d0Q>v.g  
4. 载流子输运效应对带宽影响 2{A;du%&  
5. 开启延迟时间 ^M`>YOU2+  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 n-b>m7O(  
7. 自发辐射引起的噪声 <|{L[  
8. 相对强度噪声 1YOg1 n+k  
9. 模式线宽 +1otn~(E  
10. 多模速率方程 V";mWws+?#  
Pm$F2YrO3  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 &$mZ?%^C  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 2[jL^ XMM  
3.激光器寿命 PD6MyW05%9  
4.激光器阈值电流的温度特性 8weSrm  
UWQtvQ f  
原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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