| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 f:]u` ziM
黄永箴 Hx$.9'Oq\Q
中国科学院半导体所，光电子研发中心 A -Mj|V
集成光电子国家重点实验室 j!YNg*H
;0IvF#SJ(.
一. 半导体激光器的基本结构 9%sFJ
1.半导体双异质结构 l+%Fl=Q2em
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ^6 Yd}
3. 侧模控制(基侧模) 8tU>DJ}0
4.横模控制 d] U`?A,
5. 动态单模半导体激光器 v@VLVf)>9^
6. 波长可调谐半导体激光器 i8K_vo2Z)
7.长波长VCSEL的进展 (Ao rx #z
8.微腔激光器和光子晶体 jz*0`9&_
9.半导体激光器材料的选择 hjkL VL
`M&P[ .9Pz
二.半导体光波导 9I85EcT^4"
1. 平板波导的模式，TE和TM模 Us'Cs+5XcG
2. 光限制因子和模式增益 # Mu<8`T-
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 kP@H G<~
4. 半导体激光器镜面反射系数 `%e|$pK
5. DFB激光器的藕合模理论 gNqAj# m
6. DFB半导体激光器的一维模拟 eNtf#Rqym
7. 等效折射率近似 z)
:ka"e
8. 数值模拟 $!f !,fw+
xk& N A B
三.半导体中的光跃迁和增益 1Pm4.C)
1. 费米分布函数及跃迁速率 FH.f- ZU
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I_ONbJ9]
3.简约态密度及增益谱 c&E]E(
4.模式的自发辐射速率 (~JwLe@a
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Xh?4mKgu
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 '3^Q14`R
7.增益谱峰值的近似表达式 %,0%NjK
k0JW[04j
四. 速率方程和动态效应 ?-f,8Z|h
1．单模速率方程及基本物理量 HmMO*k<6@
2．稳态输出 O r7
mD
3. 共振频率和3dB带宽 +
~ "5!
4. 载流子输运效应对带宽影响 eTT) P
5. 开启延迟时间 S`0NPGn;@[
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 5 Q W}nRCZ
7. 自发辐射引起的噪声 {=67XrWN1
8. 相对强度噪声 R::zuv
9. 模式线宽 kO1}?dWpa
10. 多模速率方程 Sm)u9
D SvmVI
五.半导体激光器的基本工艺和特性 4ZwK pQ6
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 h$`#YNd'
3.激光器寿命 ];1R&:t
4.激光器阈值电流的温度特性 L_Q S0_1
X3',v ey
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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