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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 Q
4CjA3 黄永箴 \
w3]5gJZ 中国科学院半导体所,光电子研发中心 zYXV; 集成光电子国家重点实验室 =4GSg1Biy e \O/H< 一. 半导体激光器的基本结构 Cg*H.f%Mr 1.半导体双异质结构 5cx#SD&5/ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) A!1;}x 3. 侧模控制(基侧模) Zmbfq8K 4.横模控制 0$r^C6}f 5. 动态单模半导体激光器 cj11S>D 6. 波长可调谐半导体激光器 =PGs{?+&O 7.长波长VCSEL的进展 fs/*V~@ 8.微腔激光器和光子晶体 &.TTJsKG h 9.半导体激光器材料的选择 E2)h?cs y
qtKy 二.半导体光波导 (a9d/3M 1. 平板波导的模式,TE和TM模 r$)w7Gk< 2. 光限制因子和模式增益 #^+DL]*l 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 G[jW<'f 4. 半导体激光器镜面反射系数 +iOKb c' 5. DFB激光器的藕合模理论 O|_h_I-2 6. DFB半导体激光器的一维模拟 V)}rEX 7. 等效折射率近似 v+99
-. 8. 数值模拟 ](|\whI [=~ pe|8: 三.半导体中的光跃迁和增益 Y`?-VaY 1. 费米分布函数及跃迁速率 Yup3^E
w& 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ?IpLf\n- 3.简约态密度及增益谱 43=,yz2Ef 4.模式的自发辐射速率 O$cHZs$ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 <tioJG{OT 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 NIw\}[-Z0E 7.增益谱峰值的近似表达式 !W?gR.0$= l#n,Fg3 四. 速率方程和动态效应 -IV]U*4 1.单模速率方程及基本物理量 ~y7jCcd` 2.稳态输出 j)q\9#sI/( 3. 共振频率和3dB带宽 Dih3}X&jn$ 4. 载流子输运效应对带宽影响 j1(D]Z=\ 5. 开启延迟时间 %; D.vKoh 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =z8f]/k*> 7. 自发辐射引起的噪声 N?.%?0l 8. 相对强度噪声 0x!2ihf 9. 模式线宽 z<5m
fAm 10. 多模速率方程 N\bocMc,X 4
uQT5 五.半导体激光器的基本工艺和特性 MuSUKBhM 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 (IPY^>h 3.激光器寿命 D:K4H+ch 4.激光器阈值电流的温度特性 FLY
Ca e$pMsw'MJ 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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