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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 !4T7@V`G
黄永箴 LbnW(wr6:(
中国科学院半导体所，光电子研发中心 9@ :QBe3]
集成光电子国家重点实验室 l
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一. 半导体激光器的基本结构 1m<8M[6u
1.半导体双异质结构 yzyK$WN\[3
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) +.66Ky`|[
3. 侧模控制(基侧模) ?PU7xO;_
4.横模控制 lT;uL~j
5. 动态单模半导体激光器 _k U tj(re
6. 波长可调谐半导体激光器 (A~w IKY,
7.长波长VCSEL的进展 1oL3y;>iL
8.微腔激光器和光子晶体 f
SMy?8
9.半导体激光器材料的选择 T0%l$#6v
hfRx Z>O2
二.半导体光波导 X=%e'P*X
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ed $w5dv
2. 光限制因子和模式增益 Lwkl*
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 >]ZW.? 1h
4. 半导体激光器镜面反射系数 Ypx"<CKP}
5. DFB激光器的藕合模理论 8]xYE19=
6. DFB半导体激光器的一维模拟 __,F_9M
7. 等效折射率近似 ;AJ6I*O@+
8. 数值模拟 l6pvQ|
$ [+)N ~
三.半导体中的光跃迁和增益 GyQvodqD
1. 费米分布函数及跃迁速率 *JiI>[
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 2X 0<-Y#'
3.简约态密度及增益谱 Nt7z
]F `
4.模式的自发辐射速率 \?"kT}..
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 { EyWSf"
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 x+,:k=JMT
7.增益谱峰值的近似表达式 E[ c6*I
C{] 1+eL
四. 速率方程和动态效应 xi15B5 _Ps
1．单模速率方程及基本物理量 WUGFo$ xA
2．稳态输出 aJ
J63aJ
3. 共振频率和3dB带宽 axz.[L_elB
4. 载流子输运效应对带宽影响 SL?YU(a
5. 开启延迟时间 cs*"9 nKl
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 TPNKvv!s
7. 自发辐射引起的噪声 _tpOVw4I
8. 相对强度噪声 =JN{j2xY
9. 模式线宽
J j~|2Zt
10. 多模速率方程 @oQ"FLF.
=!IoL7x
五.半导体激光器的基本工艺和特性 - 9a4ej5
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 q5\iQ2f{WV
3.激光器寿命 _Oy;:XN
4.激光器阈值电流的温度特性 yBfX4aH:`
05o<fa 2HE
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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