| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 j^/<:e c.
黄永箴 n<EIu
中国科学院半导体所，光电子研发中心 n{|j#j
集成光电子国家重点实验室 ?b d&Av
pV<K=;:x>
一. 半导体激光器的基本结构 DB"z93Mr<K
1.半导体双异质结构 Dg^s$2
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) =WF @S1
3. 侧模控制(基侧模) wR 2`*.O
4.横模控制 c 9gm%
5. 动态单模半导体激光器 IF&edP[V
6. 波长可调谐半导体激光器 V#59 9-
7.长波长VCSEL的进展 |@rf#,hTDp
8.微腔激光器和光子晶体 r ,|}^u8`
9.半导体激光器材料的选择 xxGQXW
='I2&I,)
二.半导体光波导 Oxu}W%BF*
1. 平板波导的模式，TE和TM模 &iuMB0rbu
2. 光限制因子和模式增益 r
'ioH"=
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ?/3{gOgI$`
4. 半导体激光器镜面反射系数 'D+njxCk.A
5. DFB激光器的藕合模理论 Ye^#]%m
6. DFB半导体激光器的一维模拟 c -~i=C]
7. 等效折射率近似 @B)5Ho
8. 数值模拟 6 X2w )cO
/.m x\_$
三.半导体中的光跃迁和增益 j`u2\ ;
1. 费米分布函数及跃迁速率 &mJm'Ks
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 (=%0 x"'
3.简约态密度及增益谱 &4t= Y`]SL
4.模式的自发辐射速率 ) WkN 34Q
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 !y1qd
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 TD ;u"
7.增益谱峰值的近似表达式 Kr<a6BEv5
[*vR& 4mk
四. 速率方程和动态效应 &x.5TDB>%
1．单模速率方程及基本物理量 9D5v0Qi
2．稳态输出 0 4ceDe
3. 共振频率和3dB带宽 % Q93n {?
4. 载流子输运效应对带宽影响 fn //j7 j
5. 开启延迟时间 #cl|5jm+m#
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 bT:;^eG"
7. 自发辐射引起的噪声 ;k1VY
Ie}
8. 相对强度噪声 R,h wn2@B
9. 模式线宽 rgv$MnG
10. 多模速率方程 W1}d6Sbg
'8^>Z.~V
五.半导体激光器的基本工艺和特性 sVS),9\}
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 > W^"*B
3.激光器寿命 AhV V
4.激光器阈值电流的温度特性 ;|vn;s/
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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