| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 :j,}{)5 =
黄永箴 " #v%3 6U
中国科学院半导体所，光电子研发中心 RG}}Oh="v
集成光电子国家重点实验室 * |KVN&#
MUwxgAG`G
一. 半导体激光器的基本结构 l!@ 1u^v2
1.半导体双异质结构 Z0\Iyc G
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 9!#EwPD$#
3. 侧模控制(基侧模) R6P\T\~E
4.横模控制 y/tSGkMv
5. 动态单模半导体激光器 $ >r5>6
6. 波长可调谐半导体激光器 (w$'o*z;(
7.长波长VCSEL的进展 iRt*A6`m+
8.微腔激光器和光子晶体 q3+8]-9|5
9.半导体激光器材料的选择 b# ='^W3
YtYy zX5u7
二.半导体光波导 =
F<:}Tx)C
1. 平板波导的模式，TE和TM模 f^e&hyC
2. 光限制因子和模式增益 [.&[<!,.
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 'RLOV
4. 半导体激光器镜面反射系数 Yt{&rPv,
5. DFB激光器的藕合模理论 5g0_WpO
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Ct!S Tk[2
7. 等效折射率近似 HeozJ^u \?
8. 数值模拟 x{hn2]6+eB
<5IQc[3]aP
三.半导体中的光跃迁和增益 JA6";fl;
1. 费米分布函数及跃迁速率 A[JM4 x
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 D#0O[F@l##
3.简约态密度及增益谱 yU_9a[$V
4.模式的自发辐射速率 xS+rHC
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 7I
>J$"
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 >n M%p4E
7.增益谱峰值的近似表达式 ab4LTF|
mi^hvks<
四. 速率方程和动态效应 ]sL45k2W
1．单模速率方程及基本物理量 8x{Hg9
2．稳态输出 vgThK9{m;
3. 共振频率和3dB带宽 Gru ALx7
4. 载流子输运效应对带宽影响 BX3lP v
5. 开启延迟时间 LNiS`o\
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 % rc FT_
7. 自发辐射引起的噪声 N`1r;%5
8. 相对强度噪声 _B$"e[:yX
9. 模式线宽 =x
H~ww (D
10. 多模速率方程 U
~1 SF
'{VM> Q
五.半导体激光器的基本工艺和特性 /80YZ
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 8R4qU! M
3.激光器寿命 r\xXU~$9v
4.激光器阈值电流的温度特性 ~ 5"J(
ipZHSA
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
|
|