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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 W? ,$!]0 黄永箴 s"#]L44N 中国科学院半导体所,光电子研发中心 )q^ Bj$ 集成光电子国家重点实验室 ~uaP$*B[ \P?ToTTV 一. 半导体激光器的基本结构 sOC&Q&eg 1.半导体双异质结构 Cw1(5 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) $C_M&O} 3. 侧模控制(基侧模) ?C;JJ#Ho 4.横模控制 qc8Ta" 5. 动态单模半导体激光器 \2DE==M)P 6. 波长可调谐半导体激光器 ijZ>:B2: 7.长波长VCSEL的进展 >9(i)e 8.微腔激光器和光子晶体 3]}'TA`v 9.半导体激光器材料的选择 :EHQ .^ l8wF0| 二.半导体光波导 -CBD|fo[h 1. 平板波导的模式,TE和TM模 [8]m8=n 2. 光限制因子和模式增益 c~tAvDX 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }B)jq`a?|\ 4. 半导体激光器镜面反射系数 WcGXp$M 5. DFB激光器的藕合模理论 ,b'4CF 6. DFB半导体激光器的一维模拟 "bX4Q4Dq 7. 等效折射率近似 &hN,xpC 8. 数值模拟 HHS45kg[c 'DAltr< 三.半导体中的光跃迁和增益 1L[S*X 1. 费米分布函数及跃迁速率 pMN<p[MB 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `SOhG?Zo 3.简约态密度及增益谱 -<oZ)OfU 4.模式的自发辐射速率 -V=arm\#z 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 k&GHu0z 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 TETsg5# 7.增益谱峰值的近似表达式 Q4%IxR? ?0J0Ij, 四. 速率方程和动态效应 zqGYOm$r 1.单模速率方程及基本物理量 oh&Y<d0 2.稳态输出 <o@ )SD~K 3. 共振频率和3dB带宽 R<g =\XO'y 4. 载流子输运效应对带宽影响 Kym:J \}9B 5. 开启延迟时间 *i?.y*g 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .BL:h&h|y 7. 自发辐射引起的噪声 O,9X8$5H-a 8. 相对强度噪声 s/S+ ec3 9. 模式线宽 %FS;>;i? 10. 多模速率方程 faVS2TN4 V_]-`?S 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Yq;&F0paK 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 cdsQ3o 3.激光器寿命 MZ^Ch 4.激光器阈值电流的温度特性 Oxn'bh6R0 7.|S>+Q 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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