LED照明产品光学设计人才培训精品课程

LED 照明产品光学设计人才培训精品课程（基础班）

•  缘起

LED 照明产业方兴未艾，配合环保与绿能的时代需求，政府与诸多企业，竞相投入， LED 照明市场也孕育巨大无比的商机。相较于其它高新科技领域， LED 照明因为仍属萌芽初期，这意味着与欧美日科技先进大国站在同样地起跑在线，不受他国已有专利箝制该领域产品的创新发展，这正是千载难逢，迎头赶上的绝佳契机。
    LED 照明产业链可以分为上游 ( 芯片 ) 、中游 ( 封装 ) 以及下游 ( 产品应用 ) ，而其未来的关键技术则是在下游众多照明产品的光学设计。反观 LED 照明产业要扎根、要发展，要能普及应用，其关键不在有无少数杰出的光学设计工程师，而端视是否有足够的人才投入产品端光学设计的工作。量变生质变，有一定量好的设计，其中就能产生专利，有关键性专利，就能提升产业的技术层次以及国家的竞争力。然而光学设计人才的缺乏，不独国内为然，全世界对此人才的需求都极为殷切。因此培育大量的光学设计人才，投入 LED 照明产业，以研发创新 LED 照明产品取代传统灯具，当是刻不容缓的课题，这也是本培育计划的重点。

•  课程目的

本培育计划之目的，在于养成众多不同专业等级之光学设计工程师，以投入求才孔急的 LED 照明产业。期盼经由大量人才的投入，能加速提升 LED 照明产业的设计技术水平，进而提升国家整体的竞争力，使我国可以跻身 LED 照明产品设计大国，此时也是最好的时机。

•  课程内容

本课程开授，以学生与 LED 产业从业人员为对象

光学设计能力可以区分为不同的专业层级本期开授基础级 54 小时课程。基础级课程大纲如表格 1 所示。

查看：http://www.infotek.com.cn/2009news/20090519/20090519.htm

•  课程费用及优惠方式

开授 54 小时 ( 相当于 3 学分课程 ) ，收费 10,000 RMB/ 人 /54 学时（课程费用中包括开课当日中、晚餐，其他费用自理）

课程优惠方式

•  学生持有效证件报名所有主题课程可以享受 5 折优惠，单项报名不予优惠，主办单位将保证提供就业机会。
•  同时报名以上所有主题课程均可享受 7 折优惠（学生除外）。
•  同一个单位同时报名 2 人以上可享 7 折优惠。
•  已购买过讯技产品的客户报名 2 项以上主题课程可享 8 折优惠
•  提前一个月以上报名客户报名 2 项以上主题课程可享 8 折优惠。

说明：
1 以上所有优惠不得同时享有，并要求至少提前 2 周报名缴费，只报名未缴费者不得享有优惠。
2 报名任意主题课程，必须包含有 " 基础原理 " 课程。
3 所有参会人员可获赠 LEDBASE 数据库专利 2 个以及 FRED DEMO 1 张，上课教材 1 本。
4 学完此课程学员单位，三个月内购买 FRED 标准版以上软件，可全额退还 1 名学员之学费。
5 报名『 LED 照明产品光学设计人才培训班』全程课程之学员 , 保证课程结束后您将拥有光学设计的能力与技术 , 另提供学员重修贴心服务 :
        ◆ 自开课日起算一年内可享重修权利。
    ◆ 重修课程排课时，必需为该课程第一次上课结束后，方可安排重修。
    ◆ 重修请学员于重修课开课前一个月提出申请办理，以便保留座位。重修及选修课程时不发放教材，学员可自由
       选购教材。
    ◆ 重修应该在报名课程有效期限截止前一个月提出申请，方为有效。重修学员登记课程后，若未能于开课日至分
       校上课者，且未于开课日前二周取消座位者，将取消该课程重修资格。
6 各单项主题课程上课人员达到至少 15 人才准予开课，主办单位有异动之权利。
7 本课程以学生、教师和 LED 产业从业人员为对象，除以上课程主题外，我们还可以针对珠宝灯、办公室 T-Bar 灯、低温灯等进行实际产品的光学设计，如您有这方面的需求，可以随时与我们讨论，我们将根据您的需求特别设置课程。

•  课程时间（9：00~12：00，14：00~17：00，18：00~21：00）

   2009 年 7 月 5 日（六）至 7 月 10 日（五）上海场
   2009 年 7 月 7 日（二）至 7 月 12 日（日）深圳场

•  结语

本计划所培育人才，可以直接投入光电相关的产业，如固态 LED 照明、汽车头灯，太阳绿能等产业。这些产业各种产品其中所涉及的光学设计部份，所培育的学生，都有设计这些光学组件的能力。在众多实际光电新产品的设计中，“量变生质变”，好的设计就可以产生关键专利，而经由这些专利智财权的保护，产品和产业的实力可以得到保护，竞争力也因而提升。同时，培育养成教育，是透过全国各地的大学，结合在地的产业来执行。结果可以形成绵密的光学设计网络，以各培育大学为光学设计中心，结合并扶植在地各种产业，成为辐射全国的仿真光学设计资源网。这种产业、教育与人才的互动，势必能提高教育与产业的质量水平，也能提高国家的实力。

『创新根源于模仿，仿真引领创新』，当此世界各国国力丕变，如何把握契机，以所谓的“引导技术 (Enabling Technology) ”来培育人才，引爆其在不同地相关领域产出有优良价值的相关产品，实属当务之急。而光学设计仿真技术人才的培育，可谓当前最为适切的课题。能养成质量优异的仿真光学设计工程师，投入业界，就能有效率的研发出具有价值的创新产品，此所谓“人尽其才”。在地产业能获得专业人才，与教育单位仿真设计中心的长期支持，其在商品的竞争上必然不落人后，此所谓“地尽其利”。结合专业人才、在地产业，以及学校力量所研发出的新产品，性能必然优越，正所谓“物尽其用”。而具专利的优势产品，也必能营销国际，布展商机，赚取厚利，此之谓“货畅其流”。本计划的最终目的，也在经由政府所主导的光学设计仿真技术的养成教育，结合学校与产业，培育大量专业人才，提升教育、产业与国家的竞争力，现在就是最好的契机 !

xunjigd	2009-06-19 11:54
联系电话：021-6440-1131

xunjigd	2009-06-23 17:51
请注意：LED课程时间将调整到 q}jh>`d 4#W$5_Ny 8月22日（六）- 8月28日（五）（上海） 4J'0k<5S U43U2/^ 8月25日（二）-8月30日（日）（深圳）

hj20081234

2009-07-02 16:44

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，简称LED,，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。由于具有容易控制、低压直流驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点，广泛应用于城市各工程中、大屏幕显示系统。LED可以作为显示屏，在计算机控制下，显示色彩变化万千的视频和图片。 LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体。
　　LED外延片工艺[2]流程：
　　近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III－V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。
　　一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解，另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。
　　LED外延片工艺流程如下：
　　衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片
　　外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级
　　具体介绍如下：固定：将单晶硅棒固定在加工台上。切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废传世1.975天绝魔域版本传奇1.85翎风内挂极品版水和硅渣。分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。 RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下： SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。 DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。 APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。 DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。

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